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    栅极绝缘层324可以被图案化成具有与栅极电极330相同的形状。在栅极电极330上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层332。层间绝缘层332可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。层间绝缘层332包括暴露半导体层322的两侧的接触孔334和第二接触孔336。接触孔334和第二接触孔336被定位在栅极电极330的两侧以与栅极电极330间隔开。接触孔334和第二接触孔336形成为穿过栅极绝缘层324。或者，当栅极绝缘层324被图案化成具有与栅极电极330相同的形状时，接触孔334和第二接触孔336形成为只穿过层间绝缘层332。在层间绝缘层332上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极340和漏电极342。源电极340和漏电极342相对于栅极电极330彼此间隔开，并且分别通过接触孔334和第二接触孔336接触半导体层322的两侧。半导体层322、栅极电极330、源电极340和漏电极342构成tfttr。tfttr用作驱动元件。在tfttr中，栅极电极330、源电极340和漏电极342被定位在半导体层322上方。即，tfttr具有共面结构。或者，在tfttr中，栅极电极可以被定位在半导体层下方，并且源电极和漏电极可以被定位在半导体层上方，使得tfttr可以具有倒置交错结构。捷捷微二极管一级代理商。辽宁乐山无线电二极管企业

    在照明装置中，需要具有宽的半高全宽(fwhm)以提供高的色彩连续性的发光。为了提供w-oled，需要红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料。然而，未开发出具有宽的fwhm的红色延迟荧光材料。因此，需要开发具有高的色彩连续性和高的发光效率的发光材料层。技术实现要素：因此，本公开内容涉及有机发光二极管(oled)和包括其的有机发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。本发明的另外的特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而显而易见，或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目的和其他优点将通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。为了实现这些和其他优点并且根据本公开内容的目的，如本文所体现和广描述的，有机发光二极管包括：电极；面向电极的第二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与第二电极之间的发光材料层，其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，有机发光显示装置包括：基板；有机发光二极管。肇庆乐山无线电二极管强茂稳压二极管原装现货。

    2.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂具有比较大发射波长，以及所述磷光掺杂剂具有比所述比较大发射波长更长的第二比较大发射波长。3.根据实施方案2所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。4.根据实施方案3所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。5.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂由式1表示：[式1]其中r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺，以及其中m为2至5的整数，n为1至3的整数，以及m+n小于或等于6。6.根据实施方案5所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂选自式2：[式2]7.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂由式3表示：[式3]其中r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。

    在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且形成切换tft以与栅极线和数据线连接。切换tft与作为驱动元件的tfttr连接。此外，还可以形成电力线，所述电力线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并间隔开；和用于在一帧中保持tfttr的栅极电极的电压的存储电容器。形成有钝化层350以覆盖tfttr，钝化层350包括暴露tfttr的漏电极342的漏极接触孔352。在各像素中单独形成有电极220，电极220通过漏极接触孔352与tfttr的漏电极342连接。电极220可以为阳极，并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，电极220可以由透明导电材料例如ito或izo形成。可以在电极220下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。在钝化层350上形成有堤层360以覆盖电极220的边缘。即，堤层360被定位在像素的边界并且暴露像素中的电极220的中心。堤层360可以省略。在电极220上形成有有机发光层290。参照图5，有机发光层290包括发光部分250，发光部分250包括有eml240；和第二发光部分270，第二发光部分270包括有第二eml260。例如。捷捷微整流二极管原装现货。

    所以二pmos管mp2管的源极电压可以随着输入改变，从而将其钳位到步进电压处。本发明提出通过引入负电源电压vne对apd的偏压进行调节，为了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端电压为0v时，四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能开启，四pmos管mp4和五pmos管mp5的栅极电压至少要比各自的源极电压低一个阈值电压vth，而四pmos管mp4和五pmos管mp5的栅极电压分别由二电阻r2和三电阻r3上的压降决定，pmos管的阈值电压vth接近1v，所以负电源电压vne可以设置为-1v。可见本发明通过引入负电源电压vne扩大了apd偏置电压的调节范围。一些实施例中，一运算放大器op1的输出端和一pmos管mp1的栅极之间还设置有一电平位移电路，二运算放大器op2的输出端和三pmos管mp3的栅极之间还设置有二电平位移电路，电平位移电路能够保证二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端电位更好地钳位在步进电压和0v处。为了精简电路，像素外偏置电压产生模块中一运算放大器和二运算放大器可以采用相同的结构，如均采用折叠式共源共栅运放结构或其他类型的运放结构。如图2所示给出了折叠式共源共栅运放结构的实现形式，本实施例以一运算放大器为例进行说明。乐山二极管原装现货。肇庆激光二极管

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    具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细的描述。本发明提出一种基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路，包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块，如图1所示，像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器op1、二运算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一电阻r1、二电阻r2、一电流源i1和二电流源i2，一运算放大器op1的正相输入端连接基准电压vref，其反相输入端连接二pmos管mp2的源极和一电流源i1，其输出端连接一pmos管mp1的栅极；一pmos管mp1的源极连接电源电压，其漏极连接二pmos管mp2的栅极并通过一电阻r1后连接负电源电压vne；二运算放大器op2的正相输入端接地，其反相输入端连接四pmos管mp4的源极和二电流源i2，其输出端连接三pmos管mp3的栅极；三pmos管mp3的源极连接电源电压，其漏极连接四pmos管mp4的栅极并通过二电阻r2后连接负电源电压vne；二pmos管mp2和四pmos管mp4的漏极连接负电源电压vne。二pmos管mp2和四pmos管mp4用于产生一运算放大器op1和二运算放大器op2的反相输入端信号，一电流源i1和二电流源i2用于为二pmos管mp2和四pmos管mp4提供偏置电流。辽宁乐山无线电二极管企业

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