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    并且滤色器层380被布置在oledd2上方。或者，可以将来自oledd2的光设置成穿过电极220，并且可以将滤色器层380布置在oledd2与基板310之间。此外，在图6中，电极220与tfttr连接。或者，可以将第二电极230定位在tfttr与电极220之间并且可以使其与tfttr连接。来自oledd2的白色光穿过红色像素rp中的红色滤色器图案382、绿色像素gp中的绿色滤色器图案384和蓝色像素中的蓝色滤色器图案386，使得分别由红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp提供红色光、绿色光和蓝色光。在图6中，将oledd2用于包括红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的显示装置300。或者，也将oledd2用于照明装置。图7是根据本公开内容的第三实施方案的oled的示意性截面图。如图7所示，oledd3包括电极410、第二电极412、在电极410与第二电极412之间的有机发光层414。有机发光层414包括：发光部分430，发光部分430包括eml420；第二发光部分450，第二发光部分450包括第二eml440；和第三发光部分470，第三发光部分470包括第三eml460；在发光部分430与第二发光部分450之间的cgl480；以及在第二发光部分450与第三发光部分470之间的第二cgl490。电极410为用于注入空穴的阳极并且包含高的功函数的导电材料例如ito或izo。原装强茂二极管采购。上海panjit二极管哪家公司好

    由第二发光部分450提供红色波长范围的光和绿色波长范围的光。因此，包括第二发光部分450、包含蓝色掺杂剂422的发光部分430和包含第二蓝色掺杂剂462的第三发光部分470的oledd3发射白色光。此外，由于发光部分430和第三发光部分470分别包括分别包含蓝色掺杂剂422和第二蓝色掺杂剂462的eml420和第三eml460，因此oledd3的色温得到改善。图8是根据本公开内容的第四实施方案的oled的示意性截面图。如图8所示，oledd4包括电极510、第二电极512、在电极510与第二电极512之间的有机发光层514。有机发光层514包括：发光部分530，发光部分530包括eml520；第二发光部分550，第二发光部分550包括第二eml540；和第三发光部分570，第三发光部分570包括第三eml560；在发光部分530与第二发光部分550之间的cgl580；以及在第二发光部分550与第三发光部分570之间的第二cgl590。电极510为用于注入空穴的阳极并且包含高的功函数的导电材料例如ito或izo。第二电极512为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl580和第二cgl590分别被定位在发光部分530与第二发光部分550之间和第二发光部分550与第三发光部分570之间。即。上海快恢复二极管厂家乐山整流二极管原装现货。

    根据本发明的一方面，磷光掺杂剂与延迟荧光掺杂剂的重量％比(wpd/wtd)等于或小于％，并且推荐地为约％至％。根据本发明的一方面，延迟荧光掺杂剂相对于基质的重量百分比可以为约1/4至3/7。如实施例7、9和10中所示，随着磷光掺杂剂与延迟荧光掺杂剂的重量百分比增加，oled的效率降低。如上所述，在本公开内容的oledd1中，eml150包含在发射波长范围方面具有差异的延迟荧光掺杂剂152和磷光掺杂剂154，并且相对于延迟荧光掺杂剂152，磷光掺杂剂154的重量百分比等于或小于约5％。因此，oledd1的色彩连续性得到提高。图4为根据本公开内容的照明装置的示意性截面图。如图4所示，照明装置100包括基板110和在基板110上或在基板110上方的oledd1。oledd1包括电极120、有机发光层140和第二电极130。在图4中，有机发光层140和第二电极130顺序堆叠在电极120上。或者，有机发光层140和电极120可以顺序堆叠在第二电极130上。如上所述，在本公开内容的oledd1中，eml150包含在发射波长范围方面具有差异的延迟荧光掺杂剂152和磷光掺杂剂154，并且相对于延迟荧光掺杂剂152，磷光掺杂剂154的重量百分比等于或小于约5％。因此，oledd1的色彩连续性得到提高，并且提供好的的照明装置100。

    r1至r15各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。14.根据实施方案13所述的有机发光二极管，其中所述基质选自式8：[式8]15.根据实施方案1所述的有机发光二极管，还包括：包含蓝色掺杂剂并布置在所述发光材料层与所述第二电极之间的第二发光材料层；和在所述发光材料层与所述第二发光材料层之间的电荷生成层。16.根据实施方案15所述的有机发光二极管，还包括：包含第二蓝色掺杂剂并布置在所述电极与所述发光材料层之间的第三发光材料层；和在所述发光材料层与所述第三发光材料层之间的第二电荷生成层。17.根据实施方案15所述的有机发光二极管，还包括：包含第二延迟荧光掺杂剂和第二磷光掺杂剂并布置在所述第二发光材料层与所述第二电极之间的第三发光材料层；以及在所述第二发光材料层与所述第三发光材料层之间的第二电荷生成层。18.根据实施方案17所述的有机发光二极管，其中所述第二延迟荧光掺杂剂为绿色掺杂剂，以及所述第二磷光掺杂剂为红色掺杂剂。19.根据实施方案18所述的有机发光二极管，其中所述第二磷光掺杂剂相对于所述第二延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。强茂开关二极管原装现货。

    一pmos管mp1和三pmos管mp3用于产生一电流镜单元偏置电压和二电流镜单元偏置电压。像素外偏置电压产生模块包括运放钳位和产生电流镜偏置两部分，运放钳位部分包括一运算放大器op1、二运算放大器op2、一电阻r1、二电阻r2、二pmos管mp2、四pmos管mp4。一运算放大器op1的正相输入端接基准电压vref，反相输入端接二pmos管mp2的源极即a点，a点通过运放钳位产生步进电压，步进电压的值通过基准电压vref设置，基准电压vref的大小即为想要实现的步进电压的值，一些实施例中基准电压vref和基准电流iref可由同一个带隙基准产生。二运算放大器op2的正相输入端接地，反相输入端接四pmos管mp4的源极即b点，b点通过运放钳位产生0v电压。产生电流镜偏置部分包括一pmos管mp1、三pmos管mp3，一pmos管mp1和三pmos管mp3分别与像素内偏压调节模块内的一电流镜单元和二电流镜单元构成电流镜结构，将流过一pmos管mp1和三pmos管mp3的电流进行镜像。像素内偏压调节模块包括一电流镜单元、二电流镜单元、三电阻r3和五pmos管mp5，一电流镜单元用于将流过一pmos管mp1的电流按比例镜像，二电流镜单元用于镜像流过三pmos管mp3的电流。华南乐山二极管代理商公司。上海品牌二极管代理商

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    利用运放将四pmos管mp4的源极电压和二pmos管mp2的源极电压分别钳位至0v和步进电压，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3产生像素内的偏置电流；在像素内利用电流镜单元镜像一pmos管mp1和三pmos管mp3产生的偏置电流，一电流镜单元通过数字开关控制像素内的比例电流镜镜像偏置电流的比例，从而实现雪崩光电二极管apd偏置电压的步进调节；通过引入负电源电压，扩大了apd偏置电压的调节范围，有利于提高apd阵列的均匀性和电压稳定性，提升光子探测的灵敏度；提出以pmos源极，而不是ldo电路中的漏极产生步进电压，具有面积小、响应速度快，电压准确度高等优点；像素外的运放采用折叠式共源共栅运放结构时，选择pmos管作为输入对管用于增大共模输入范围，另外将p输入对管的衬底接到比较高电位，能够使得输入对管的阈值电压因衬底偏置效应而增大。附图说明图1为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路的一种电路实现结构框图。图2为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路中一运算放大器在实施例中采用折叠式共源共栅运放的电路原理图。图3为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路在不同配置的情况下apd接口电压的仿真波形示意图。上海panjit二极管哪家公司好

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