栅极与晶体管m2和晶体管m3的中间节点连接。其中，晶体管m1、晶体管m2和晶体管m4为pmos管，晶体管m3为nmos管。在现有技术的模拟开关电路200中，当电源电压vcc发生掉电时，晶体管m1导通并将开关管mp1的衬底连接到信号输入端a，可以避免当信号输入端a有输入信号时开关管mp1的误导通。但是模拟开关电路200的开关管mp1仍然具有误导通的风险，例如当信号输出端y存在信号时仍然可以导通开关管mp1的寄生二极管，形成从信号输出端y至信号输入端a的信号通路，从而产生信号泄露，尤其对于多通道的模拟开关电路来说这种信号泄露情况更加明显。技术实现要素：有鉴于此，本发明的目的在于提供一种模拟开关电路，解决了电源电压掉电时模拟开关误导通造成的信号泄露问题。根据本发明实施例，提供了一种模拟开关电路，包括至少一个信号输入端和信号输出端，其中，所述模拟开关电路还包括：至少一个模拟开关，每个所述模拟开关都包括连接于对应的所述信号输入端和信号输出端之间的p型开关管；至少一个驱动电路，所述驱动电路用于控制对应的模拟开关的p型开关管的导通和关断；以及掉电保护电路。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，用户的信赖之选，欢迎新老客户来电！河南八路模拟开关板阻燃
模拟开关101包括开关管mp1和开关管mn1，开关管mp1为pmos管，开关管mn1为nmos管。开关管mp1和开关管mn1并联连接，二者的漏极彼此连接且都连接至信号输入端a，二者的源极彼此连接且都连接至信号输出端y，开关管mp1的衬底连接电源电压vcc，开关管mn1的衬底接地。开关管mp1的栅极接收控制信号cp1，开关管mn1的栅极接收控制信号cn1，控制信号cp1和控制信号cn1为相位相反的控制信号。当控制信号cp1为高电平，控制信号cn1为低电平时，模拟开关101断开；当控制信号cp1为低电平，控制信号cn1为高电平时，模拟开关101导通，输入信号从信号输入端a传输至信号输入端y。模拟开关102包括开关管mp2和开关管mn2，开关管mp2为pmos管，开关管mn2为nmos管。开关管mp2和开关管mn2并联连接，二者的漏极彼此连接且都连接至信号输入端b，二者的源极彼此连接且都连接至信号输出端y，开关管mp2的衬底连接电源电压vcc，开关管mn2的衬底接地。开关管mp2的栅极接收控制信号cp2，开关管mn2的栅极接收控制信号cn2，控制信号cp2和控制信号cn2为相位相反的控制信号。当控制信号cp2为高电平，控制信号cn2为低电平时，模拟开关102断开；当控制信号cp2为低电平，控制信号cn2为高电平时，模拟开关102导通。湖南集成电路八路模拟开关板应用上海金樽自动化控制科技有限公司八路模拟开关板服务值得放心。
在测试测量相关应用中，模拟开关和多路复用器具有十分普遍的应用，例如运放的增益调节、ADC分时收集多路传感器信号等等。虽然它的机能很简单，但是依然有很多细节，需大家在采用的过程中留意。所以，在这里为大家介绍一下模拟开关和多路复用器的基本参数。在开始介绍根基的参数之前，我们有必要介绍一下模拟开关和多路复用器的基本单元MOSFET开关的基本构造。一.MOSFET开关的架构MOSFET开关常见的架构有3种，如图1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隐含电荷泵的NFET。三种架构各有特征，详实的介绍，可以参看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培训视频和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》应用文档。本文主要基于NFET和PFET架构进行介绍和仿真，但是关乎到的定义在三种架构中都是适用的。图1MOSFET开关构造另外，需留意的是，此处的MOSFET构造，S和D是对称的，所以在功用上是可以交换的，也因此，开关是双向的，为了便于讨论，我们统一把S极作为输入。二.模拟开关和多路复用器直流参数介绍1.导通电阻OnResistance(1).概念图2OnResistance概念(2).特征1）随输入信号电压而变动：当芯片的供电电压固定时，对于NMOS而言，S级的电压越高。
off)，如图83)On-leakagecurrent:当开关闭合时，从漏极注入或流出的电流叫作Id(on)，如图8。图8漏电流概念(2).特征漏电流随温度变化剧烈。图9漏电流随温度变动的曲线(3).影响在很多数据采集系统中，接入MUX前的传感器有也许是高阻抗的传感器。这时，漏电流的影响就会凸显出来。例如，在图10的仿真中，输入源有1MΩ的源阻抗，我们对这个电阻展开直流参数扫描，观察它从1MΩ变动至10MΩ时，对输出电压的影响，结果可以见到，漏电流通过传感器的内阻会给输出电压带来一个直流误差。所以，在为高输出阻抗的传感器选项MUX时，要尽量挑选低漏电流的芯片。图10漏电流仿真电路图11漏电流仿真结果三.模拟开关和多路复用器动态参数介绍1.导通电容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了开关在断开时的源极和漏极电容。当开关导通时，CON相等源极的电容和漏极的电容之和，如图12。图12OnCapacitance(2).影响图13MUX36S08示例当MUX在不同通道之间切换时，CD也会随着通道的切换被充电或者放电。例如，当S1闭合时，CD会被充电至V1。那么此时CD上的电荷QD1：当MUX从S1切换至S2时，CD会被充电至V2。那么此时CD上的电荷QD2：那么两次CD上的电荷差就需V2来提供，所以这时候。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司。
2).特性图23简化的MUX内部的开关模型及通道间串扰随信号频率的变化ChanneltoChannelcrosstalk是和频率有关的一种现象。主要是由于关断状况下寄生电容造成的。有时，也会由于布局技术不佳而引入了寄生电容，展现为串扰。CSS表示两个输入通道之间的寄生电容。这也许是传输信号的两个输入走线之间的电容，或者是多路复用器的两个输入引脚之间的电容。在较低频率的时候，从S1到OUTPUT的阻抗是RON，因为S2是断开的，从S2到OUTPUT的阻抗十分高。随着强加到S1的输入信号的频率增加，寄生电容CSD的阻抗变得更低，并在S2引入了一部分S1的输入信号。相同的法则，寄生电容CSS随频率的增加也会将一部分输入信号直接耦合到断开的通道S2。缩减杂散电容的电路板配置技术也会有助于通道间的串扰疑问。5.关断隔离Offisolation(1).概念关断隔离概念为当在关闭通道的源极引脚上强加已知信号时在多路复用器输出引脚上引入的电压。图24关断隔离示意图(2).特征图25简化的MUX内部的开关模型及关断隔离随信号频率的变化像串扰一样，关断隔离也是一种与频率相关的现象，由于模拟开关或多路复用器的OFF状况寄生电容CSD而时有发生。而开关在截止状况的寄生电容又取决多个因素。上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供八路模拟开关板。山东电路板八路模拟开关板配件
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所述防落罩的两侧均设立有l型限位块，所述l型限位块与***流通阀和第二流通阀均固定连接，所述开关电磁阀阀体内部的上方设立有静铁芯，所述静铁芯的两侧均设立有连接柱置放槽，所述连接柱放到槽的内部设置有伸缩连接柱，所述伸缩连接柱的顶端设立有拉动扣环，所述伸缩连接柱的下方设立有动铁芯，且动铁芯与伸缩连接柱固定连接，所述动铁芯的下端设立有活动连接块，所述活动连接块的两端均设立有弹簧，所述弹簧的外部设置有线圈，所述活动连接块的下端设立有伸缩管，所述伸缩管的内部设置有固定柱，且固定柱与活动连接块固定联接，所述固定柱的外部设置有***堵气块，所述***堵气块的下方设立有***密封块，所述***堵气块上方的两侧均设立有***堵气限位块，且***堵气限位块与***流通阀固定连接，所述***密封块的下方设立有第二密封块，所述第二密封块的下方设立有第二堵气块，所述第二堵气块下方的两侧均设立有第二堵气限位块，且第二堵气限位块与第二流通阀固定联接。推荐的，所述开关电磁阀阀体上方的一侧设立有接线盒，且接线盒与开关电磁阀阀体固定连结。推荐的，所述接线盒的一端设立有盒盖放到槽，所述盒盖置于槽的内部设置有接线盒盒盖。河南八路模拟开关板阻燃
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