在测试测量相关应用中，模拟开关和多路复用器具有十分普遍的应用，例如运放的增益调节、ADC分时收集多路传感器信号等等。虽然它的机能很简单，但是依然有很多细节，需大家在采用的过程中留意。所以，在这里为大家介绍一下模拟开关和多路复用器的基本参数。在开始介绍根基的参数之前，我们有必要介绍一下模拟开关和多路复用器的基本单元MOSFET开关的基本构造。一.MOSFET开关的架构MOSFET开关常见的架构有3种，如图1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隐含电荷泵的NFET。三种架构各有特征，详实的介绍，可以参看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培训视频和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》应用文档。本文主要基于NFET和PFET架构进行介绍和仿真，但是关乎到的定义在三种架构中都是适用的。图1MOSFET开关构造另外，需留意的是，此处的MOSFET构造，S和D是对称的，所以在功用上是可以交换的，也因此，开关是双向的，为了便于讨论，我们统一把S极作为输入。二.模拟开关和多路复用器直流参数介绍1.导通电阻OnResistance(1).概念图2OnResistance概念(2).特征1）随输入信号电压而变动：当芯片的供电电压固定时，对于NMOS而言，S级的电压越高。上海金樽自动化控制科技有限公司于提供八路模拟开关板，有想法的可以来电咨询！四川双电源八路模拟开关板原理
焊接10秒）300℃RecommendedOperatingConditions提议操作条件：SupplyVoltage电源电压(VDD)3Vto15VInputVoltage输入电压(VIN)0VtoVDDOperatingTemperatureRange工作温度范围(TA)−55℃to+125℃DCElectricalCharacteristics直流电气特性：Symbol符号Parameter参数Conditions条件−55℃+25℃+125℃Units单位**小**大**小典型**大**小**大IDDQuiescentDeviceCurrent静态电流VDD=5VμAVDD=10V15VDD=15V30SIGNALINPUTSANDOUTPUTSRON“ON”ResistanceRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VC=VDD,VSStoVDDVDD=5V300ΩVDD=10V0VDD=15VΔRONΔ“ON”ResistanceBetweenAny2of4SwitchesRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VCC=VDD,VIS=VSStoVDDVDD=10V10ΩVDD=15V5IISInputorOutputLeakageSwitch“OFF”VC=0±50±±50±500nACONTROLINPUTSVILCLOWLevelInputVoltage输入低电平电压VIS=VSSandVDDVOS=VDDandVSSIIS=±10μAVDD=5VVVDD=10VVDD=15VVIHCHIGHLevelInputVoltage输入高电平电压VDD=5VVVDD=10V。江苏电路板八路模拟开关板成本价八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，让您满意，期待您的光临！
5、接线安放通孔；6、盒盖拉动瓣；7、进气孔；8、出气孔；9、l型限位块；10、静铁芯；11、防落罩限位块；12、动铁芯；13、伸缩连接柱；14、拉动扣环；15、连接柱置于槽；16、线圈；17、活动连接块；18、弹簧；19、伸缩管；20、固定柱；21、***流通阀；22、第二流通阀；23、***密封块；24、第二密封块；25、***堵气块；26、***堵气限位块；27、第二堵气块；28、第二堵气限位块；29、防落罩；30、海绵圆套；31、橡胶圆套；32、气管放到槽。实际实施方法下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案展开明了、完整地描述，显然，所叙述的实施例**是本实用新型一部分实行例，而不是全部的实施例。请参阅图1-3，本实用新型提供的一种实施例：一种多路开关电磁阀，包括开关电磁阀阀体1，开关电磁阀阀体1的下端设立有***流通阀21，***流通阀21的下方设立有第二流通阀22，且第二流通阀22与***流通阀21密封连接，***流通阀21的两边和第二流通阀22的两边分别设立有进气孔7和出气孔8，进气孔7和出气孔8的一侧均设立有防落罩29，防落罩29的设可以有效性防范气管与进气孔7和出气孔8分开，防落罩29与进气孔7和出气孔8通过l型限位块9固定连结。
off)，如图83)On-leakagecurrent:当开关闭合时，从漏极注入或流出的电流叫作Id(on)，如图8。图8漏电流概念(2).特色漏电流随温度变化剧烈。图9漏电流随温度变动的曲线(3).影响在很多数据采集系统中，接入MUX前的传感器有或许是高阻抗的传感器。这时，漏电流的影响就会凸显出来。例如，在图10的仿真中，输入源有1MΩ的源阻抗，我们对这个电阻展开直流参数扫描，观察它从1MΩ转变至10MΩ时，对输出电压的影响，结果可以见到，漏电流通过传感器的内阻会给输出电压带来一个直流误差。所以，在为高输出阻抗的传感器选项MUX时，要尽量挑选低漏电流的芯片。图10漏电流仿真电路图11漏电流仿真结果三.模拟开关和多路复用器动态参数介绍1.导通电容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了开关在断开时的源极和漏极电容。当开关导通时，CON相等源极的电容和漏极的电容之和，如图12。图12OnCapacitance(2).影响图13MUX36S08示例当MUX在不同通道之间切换时，CD也会随着通道的切换被充电或者放电。例如，当S1闭合时，CD会被充电至V1。那么此时CD上的电荷QD1：当MUX从S1切换至S2时，CD会被充电至V2。那么此时CD上的电荷QD2：那么两次CD上的电荷差就需V2来提供，所以这时候。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！
晶体管m5的栅极电压被电阻r1下拉至地，晶体管m5导通，将参考电压vmax上拉至电源电压vcc，使得模拟开关电路300可以正常工作。此外，本实施例的模拟开关电路300还包括驱动电路303，驱动电路303与模拟开关301相连接，用于根据控制信号cp1控制开关管mp1的导通和关断。在本实施例中，驱动电路303例如通过缓冲器实现。缓冲器可隔离前端控制电路与开关管mp1的栅极之间的较大的寄生电容，且可使得开关管mp1具有较快的摆率驱动，可以提高开关管的响应速度。在其中一个实施例中，所述缓冲器可以为源跟随器、cmos缓冲器或者其他合适的缓冲器。进一步的，驱动电路303包括晶体管m6和m7，晶体管m6选自pmos管，晶体管m7选自nmos管。晶体管m6的源极连接至掉电保护电路302，用于接收所述参考电压vmax，晶体管m6的漏极与晶体管m7的漏极连接，晶体管m7的源极接地。晶体管m6和晶体管m7的栅极彼此连接且接收所述控制信号cp1，晶体管m6和晶体管m7的中间节点连接至开关管mp1的栅极。掉电保护电路302还用于在电源端掉电时将参考电压vmax提供至驱动电路303的供电端，并在电源端正常工作时将电源电压vcc提供至驱动电路303的供电端。当电源端掉电时。上海金樽自动化控制科技有限公司是一家专业提供八路模拟开关板的公司。合肥控制八路模拟开关板哪家好
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导通电阻更为大，对于PMOS而言，S级的电压越高，导通电阻越发小。图3导通电阻随输入信号电压变化的曲线2）导通电阻的阻值与温度有关：当VDD和VSS固定不变时，随着温度的升高，导通电阻的曲线总体向上平移。图4导通电阻随温度转变的曲线3）导通电阻的平坦度：On-resistanceflatness图5On-resistanceflatness在一定的输入电压范围内，导通电阻的最大值与最小值的差称之为导通电阻的平坦度，这个值越大，解释导通电阻的变化大幅度越大。(3).影响在这里，我们通过一个仿真实例来观察一下导通电阻及平坦度对于系统的影响，如图6。为了更容易地观察到影响，我们选项设立R1和R2为100Ω。图6MUX36S08仿真电路图7输入及输出波形从仿真的结果我们可以看出：1）输出电压并不是我们输入电压乘以放大百分比后的结果，这是因为有导通电阻的存在。2）输出电压随输入电压的并不是线性联系，这是因为Ron随着Vin在变动，会在输出端引入非线性误差。所以，Ron的平坦度越小，输出的非线性误差越小。2.漏电流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在开关断开时，从源极注入或流出的电流叫作Is(off)，如图8。2)Drainoff-leakagecurrent:在开关断开时，从漏极注入或流出的电流称作Id。四川双电源八路模拟开关板原理
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