MUX输出就会需一定的时间来平稳。对于一个N-bit的ADC：K实际上是**RC电路中，电压抵达目标误差以内时所需的时间常数的数目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下来用一个仿真来说明这种现象：为了更明显地观察到这种现象，在Vout端加入一个电容C1，可以明白为增加了CD，也可以明白为负载电容和CD的并联。图14OnCapacitance对输出影响的仿真示例电路当C1=50pF时，整个回路的时间常数较大，需更长时间平稳，所以在开关导通20uS之后，输出电压依然并未平稳到信号源的电压。图15C1=50pF仿真结果当C1=10pF时，整个回路的时间常数较小，需较短时间安定，所以在开关导通20uS之内，输出电压平稳到了信号源的电压。图16C1=10pF仿真结果2.流入电荷ChargeInjection(1).概念流入电荷指的是从控制端EN耦合至输出端的电荷。(2).影响因为在开关导通的通道上，缺失损耗这部分电荷的通道，所以当这部分电荷注入漏极电容和输出电容上时，会在输出产生一个电压误差。图17ChargeInjection过程示意图过程如下：当在EN端有一个阶跃信号时，这个阶跃电压会通过栅极和漏极之间的寄生电容CGD，耦合至输出端，输出电压的改变取决流入电荷QINJ，CD和CL。所以，当流入的电荷越小时。上海金樽自动化控制科技有限公司致力于提供 八路模拟开关板，欢迎您的来电哦！安徽智能八路模拟开关板功能
在测试测量相关应用中，模拟开关和多路复用器具有十分普遍的应用，例如运放的增益调节、ADC分时搜集多路传感器信号等等。虽然它的机能很简单，但是依然有很多细节，需大家在用到的过程中留意。所以，在这里为大家介绍一下模拟开关和多路复用器的根基参数。在开始介绍基石的参数之前，我们有必要介绍一下模拟开关和多路复用器的基本单元MOSFET开关的基本构造。一.MOSFET开关的架构MOSFET开关常见的架构有3种，如图1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）含有电荷泵的NFET。三种架构各有特色，详实的介绍，可以参阅《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培训视频和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》应用文档。本文主要基于NFET和PFET架构进行介绍和仿真，但是关乎到的定义在三种架构中都是适用的。图1MOSFET开关构造另外，需留意的是，此处的MOSFET构造，S和D是对称的，所以在功用上是可以对调的，也因此，开关是双向的，为了便于讨论，我们统一把S极作为输入。二.模拟开关和多路复用器直流参数介绍1.导通电阻OnResistance(1).概念图2OnResistance概念(2).特征1）随输入信号电压而变动：当芯片的供电电压固定时，对于NMOS而言，S级的电压越高。安徽智能八路模拟开关板功能上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供 八路模拟开关板，有想法的可以来电咨询！
导通电阻越发大，对于PMOS而言，S级的电压越高，导通电阻愈加小。图3导通电阻随输入信号电压变化的曲线2）导通电阻的阻值与温度有关：当VDD和VSS固定不变时，随着温度的升高，导通电阻的曲线总体向上平移。图4导通电阻随温度变动的曲线3）导通电阻的平坦度：On-resistanceflatness图5On-resistanceflatness在一定的输入电压范围内，导通电阻的最大值与最小值的差叫作导通电阻的平坦度，这个值越大，解释导通电阻的变化大幅度越大。(3).影响在这里，我们通过一个仿真实例来观察一下导通电阻及平坦度对于系统的影响，如图6。为了更容易地观察到影响，我们选取设立R1和R2为100Ω。图6MUX36S08仿真电路图7输入及输出波形从仿真的结果我们可以看出：1）输出电压并不是我们输入电压乘以放大百分比后的结果，这是因为有导通电阻的存在。2）输出电压随输入电压的并不是线性联系，这是因为Ron随着Vin在转变，会在输出端引入非线性误差。所以，Ron的平坦度越小，输出的非线性误差越小。2.漏电流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在开关断开时，从源极注入或流出的电流称做Is(off)，如图8。2)Drainoff-leakagecurrent:在开关断开时，从漏极注入或流出的电流称做Id。
容上的电压可长时间基本维持不变模拟开关S1为电容提供充电回路当S1导通时电源通过S1给电容充电电容上电压不停增高使VT1导通电阻更为小使响度也愈来愈小模拟开关S2为电容提供放电回路当S2导通时电容通过S2放电电容上电压不停下滑使响度越发大模拟开关S3起开机响度复位功用开机时电源在S3控制端产生一短暂的正脉冲使S3导通由于与S3联接的电阻较小故使电容迅速充到一定的电压使起始响度处于较小的状态F1～F6及其**元件构成高低脉冲识别电路静态时F1、F2输入为高电平当较长时间按压按钮开关AN时F4输出变高经100k电阻给μF电容充电当充电电压超过CMOS门转换电压时F5输出由高变低F6输出由低变高模拟开关S2导通100μF电容放电音量变大与此同时F1输出也变高也给电容充电但F1输出的一次正跳变不足以使电容上电压超过转换电压故F2输出仍为高电平F3输出低电平模拟开关S1维持截止当连续按动按钮开关AN时F4输出也不停转变输出为高时给电容充电而输出变低时电容又迅速通过二极管VD3放电故电容上电压总是达不到转换电压因此F6输出始终为低而此时F1输出连续优劣转变经二极管整流不停给电容充电使μF电容上电压迅速达到转换电压F2输出变低F3输出变高模拟开关S1导通给电容充电音量变小由此运用。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，欢迎客户来电！
晶体管m6和晶体管m7根据参考电压vmax将开关管mp1的栅极电压保持在参考电压vmax，此时开关管mp1的栅源电压为：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉电保护电路302可在电源电压掉电时将开关管mp1的栅源电压vgs保持在，小于开关管mp1的导通阈值vtp(本实施例的pmos管的导通阈值vtp为)，因此当电源电压掉电时开关管mp1可以一直处于截止状态，进一步解决了电源电压掉电时开关管mp1的误导通造成的信号泄露问题。在上述实施例中以单通道的模拟开关电路对本发明的掉电保护电路进行了说明。需要说明的是，本发明实施例的掉电保护电路也适用于其他通道数量的模拟开关电路，本领域技术人员可以根据具体情况进行适应性修改。如图4示出根据本发明实施例的另一种模拟开关电路的电路示意图，图4中的模拟开关电路400例如为单刀双掷开关，包括模拟开关401、掉电保护电路402、驱动电路403、模拟开关404、以及驱动电路405。模拟开关401包括开关管mp1和开关管mn1，开关管mp1为pmos管，开关管mn1为nmos管。开关管mp1和开关管mn1并联连接，二者的漏极彼此连接且都连接至信号输入端a，二者的源极彼此连接且都连接至信号输出端y，开关管mp1的衬底与掉电保护电路402连接，开关管mn1的衬底接地。上海金樽自动化控制科技有限公司是一家专业提供 八路模拟开关板的公司，欢迎您的来电！安徽智能八路模拟开关板功能
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焊接10秒）300℃RecommendedOperatingConditions提议操作条件：SupplyVoltage电源电压(VDD)3Vto15VInputVoltage输入电压(VIN)0VtoVDDOperatingTemperatureRange工作温度范围(TA)−55℃to+125℃DCElectricalCharacteristics直流电气特性：Symbol符号Parameter参数Conditions条件−55℃+25℃+125℃Units单位**小**大**小典型**大**小**大IDDQuiescentDeviceCurrent静态电流VDD=5VμAVDD=10V15VDD=15V30SIGNALINPUTSANDOUTPUTSRON“ON”ResistanceRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VC=VDD,VSStoVDDVDD=5V300ΩVDD=10V0VDD=15VΔRONΔ“ON”ResistanceBetweenAny2of4SwitchesRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VCC=VDD,VIS=VSStoVDDVDD=10V10ΩVDD=15V5IISInputorOutputLeakageSwitch“OFF”VC=0±50±±50±500nACONTROLINPUTSVILCLOWLevelInputVoltage输入低电平电压VIS=VSSandVDDVOS=VDDandVSSIIS=±10μAVDD=5VVVDD=10VVDD=15VVIHCHIGHLevelInputVoltage输入高电平电压VDD=5VVVDD=10V。安徽智能八路模拟开关板功能
