电容与直流偏置电压的关系：***类型电介质电容器的电容与DC偏置电压无关。第二类型电介质电容器的电容随DC偏压而变化，陶瓷电容器允许负载的交流电压与电流和频率的关系主要受电容器ESR的影响；相对来说，C0G的ESR比较低，所以可以承受比较大的电流，对应的允许施加的交流电压也比较大；X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比较大，可以承受C0G以下。同时由于电容远大于C0G，所以施加的电压会比C0G小很多。1类介质电容器允许电压、电流和频率的解释当负载频率较低时，即使负载的交流电压为额定交流电压，当流经电容器的电流低于额定电流时，允许电容器负载额定交流电压，即平坦部分；电容的本质：两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质，这就构成了电容器。徐州NPO电容
I类陶瓷电容器按照美国电工协会(EIA)的标准，是C0G(数字0，不是字母O，部分文件笔误COG)或NP0(数字0，不是字母O，部分文件笔误NPO)，以及中国标准CC系列等各类陶瓷介质(温度系数为030ppm/)，极其稳定，温度系数极低，不会出现老化现象和损耗因子。这种介质非常适用于高频(特别是用于工业高频感应加热、高频无线传输等应用的高频电力电容器)、超高频以及对电容和稳定性有严格要求的定时和振荡电路的工作环境。这种介质电容的缺点就是电容不能做得很大(因为介电系数比较小)。通常情况下，1206表贴C0G介质电容的电容范围为0.5pf至0.01f。 主板固态电容批发电解电容目前分为铝电解电容和钽电解电容两大类。
为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向发展。MLCC也随之迅速向前发展：种类不断增加，体积不断缩小，性能不断提高，技术不断进步，材料不断更新，轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。其应用逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。移动通信设备更是大量采用片式元件。随着世界电子信息产业的迅速发展，MLCC的发展方向呈现多元化：1、为了适应便携式通信工具的需求，片式多层电容器也正在向低压大容量、超小超薄的方向发展。2、为了适应某些电子整机和电子设备向大功率高耐压的方向发展（通信设备居多），高耐压大电流、大功率、超高Q值低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。3、为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电容器（LTCC）正成为技术研究热点。
陶瓷电容器品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器；按无功功率大小可分为低功率、高功率陶瓷电容器；按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。陶瓷电容器的温度特性应用陶瓷电容器首先要注意的就是其温度特性；不同材料的陶瓷介质，其温度特性有极大的差异。常用陶瓷电容容量范围：0.5pF~100uF。
当负载频率上升到额定电流值时，即使电容器上的交流电压没有达到额定电压，负载的交流电流也必须保持不高于额定电流值。如果电容器损耗因数引起的发热开始发挥更明显的作用，则负载电流必须降低，如图右侧曲线部分所示，其中电流随着频率的增加而降低。由于第二类介质陶瓷电容器的电容远大于1类介质电容器的电容，所以滤波用的F陶瓷电容器的交流电压通常在1V以下，无法加载到额定交流电压。所以第二类介质电容主要讨论允许加载的纹波电流。电容容量越大、信号频率越大，电容呈现的交流阻抗越小。扬州陶瓷薄膜电容批发
电容器的电容量的基本单位是法拉(F)。在电路图中通常用字母C表示电容元件。徐州NPO电容
MLCC电容器的生产工艺非常严谨，每个细节都是不可忽视的关键。这些细致的工序是保证产品质量的关键。无论任何一个细节，都必须严格按照生产工艺进行，保证每一个细节都能做到精细，这样才能保证电容器的质量，保证电容器的误差小。层压：层压棒，棒用层压袋包装，抽真空封装后，用等静压加压，使棒内各层结合更紧密。切割：将层叠棒切割成的电容器生坯。出胶：将绿色电容放在烤盘上，按照一定的温度曲线进行高温烘烤(最高温度一般在400左右)，去除芯片中的粘合剂等有机物。脱胶功能：1)去除芯片中的粘性有机物，避免烧成时有机物快速挥发造成产品脱层、开裂，保证烧成所需形状的完整瓷件。2)消除烧制过程中粘合剂的还原作用。烧结：脱胶后的芯片经过高温处理，烧结温度一般在1140-1340之间，使其成为机械强度高、电性能优良的陶瓷体。徐州NPO电容
