嘉兴高导热氮化硼

随着电子和光电行业蓬勃发展，电子产品的功能越发，同时体积也越来越小，使集成电路(IC)和电子系统在半导体工业上也朝向高集成密度以及高功能化的方向发展。目前，封装基板材料主要采用氧化铝陶瓷或高分子材料，但随着对电子零件的承载基板的要求越来越严格，它们的热导率并不能满足行业的需求，而AlN因具有良好的物理和化学性能逐步成了封装材料的首要选择。氮化铝陶瓷室温比较强度高，且不易受温度变化影响，同时热导率高（比氧化铝高5-8倍）且热膨胀系数低，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热，是一种优良的耐热冲材料及热交换材料，作为热交换材料，可望应用于燃气轮机的热交换器上。氮化铝陶瓷作为耐火材料应用于纯铁、铝以及铝合金的熔炼。嘉兴高导热氮化硼

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到陶瓷基片表面（单面或双面）上的特殊工艺板。氮化铝陶瓷基板是以氮化铝陶瓷为主要原材料制造而成的基板。氮化铝陶瓷基板作为一种新型陶瓷基板，具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。近年来，随着我国电子信息行业的快速发展，市场对陶瓷基板的性能要求不断提升，氮化铝陶瓷基板凭借其优异的特征，其应用范围不断扩展。氮化铝陶瓷基板应用领域较广，涉及到汽车电子、光电通信、航空航天、消费电子、LED、轨道交通、新能源等多个领域，但受生产工艺、技术水平、市场价格等因素的影响，目前我国氮化铝陶瓷基板应用范围仍较窄，主要应用在制造业领域。相比与氧化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板性能优异，随着市场对基板性能的要求不断提升，未来我国氮化铝陶瓷基板行业发展空间广阔。嘉兴高导热氮化硼直接氮化法：直接氮化法就是在高温的氮气气氛中，铝粉直接与氮气化合生成氮化铝粉体。

由于氮化铝具有与铝、钙等金属不润湿等特性，所以可以用其作坩埚、保护管、浇注模具等。将氮化铝陶瓷作为金属熔池可以用在浸入式热电偶保护管中，由于它不粘附熔融金属，在800~1000度的熔池中可以连续使用大约3000个小时以上并且不会被侵蚀破坏。此外，由于氮化铝材料对熔盐砷化镓等材料性能稳定，那么将氮化铝坩埚替代玻璃进行砷化镓半导体的合成，能够完全消除硅的污染而得到高纯度的砷化镓。氮化铝陶瓷拥有高硬度和高温强度性能，可制作切割工具、砂轮、拉丝模以及制造工具材料、金属陶瓷材料的原料。

氮化铝陶瓷基板作为一种新型陶瓷基板，具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。作为DPC、DBC、AMB等陶瓷覆铜板的陶瓷基板之一，氮化铝陶瓷基板用量十分巨大。因制备难度较大，目前国内氮化铝陶瓷基板仍以进口为主。氮化铝具有六方纤锌矿晶体结构，具有密度低、强度高、耐热性好、导热系数高、耐腐蚀等优点。由于铝和氮的原子序数小，氮化铝本身具有很高的热导率，其理论热导率可达319W/m·K。然而，在实际产品中，氮化铝的晶体结构不能完全均均匀分布，并且存在许多杂质和缺陷，使得其热导率低至170-230W/m·K。制备氮化铝粉末一般都需要较高的温度，从而导致生产制备过程中的能耗较高，同时存在安全风险。

具有优良的耐磨损性能，可用作研磨材料和耐磨损零件，但由于造价高，只能用于磨损严重的部位。将某些易氧化的金属或非金属表面包裹AlN涂层，可以提高其抗氧化、耐磨的性能；也可以用作防腐蚀涂层，如腐蚀性物质的处理器和容器的衬里等。纯度高、致密度高、气孔率少的氮化铝陶瓷呈透明状，可用来制作电子光学器件。也可用作雷达和红外线的透过材料，因此，在**方面同样具有良好的发展。氮化铝陶瓷同样可以用来制作纳米陶瓷管，可以用在发热板，作载热材料，在微电子工业用途范围较广。随着近年来全球范围内电子陶瓷产业化规模的不断扩大，CIM 技术诱人的应用前景更值得期待。嘉兴高导热氮化硼

氮化铝陶瓷成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。嘉兴高导热氮化硼

氮化铝粉体的合成方法：直接氮化法：在高温氮气氛围中，铝粉直接与氮气化合生产氮化铝粉末，反应温度一般在800℃~1200℃。反应式为：2Al＋Ｎ2→2AlN。该方法的缺点很明显，在反应初期，铝粉颗粒表面会逐渐生成氮化物膜，使氮气难以进一步渗透，阻碍氮气反应，致使产率较低；又由于铝和氮气之间的反应是强放热反应，速度很快，造成AlN粉体自烧结，形成团聚，使得粉体颗粒粗化。碳热还原法：将氧化铝粉末和碳粉的混合粉末在高温下（1400℃~1800℃）的流动氮气中发生还原氮化反应生成AlN粉末。其反应式为：Al2O3＋3Ｃ＋Ｎ2→２AlN＋3CO。该方法的主要难点在于，对氧化铝和碳的原料要求比较高，原料难以混合均匀，氮化温度较高，合成时间较长，而且还需对过量的碳进行除碳处理，工艺复杂，制备成本较高。嘉兴高导热氮化硼