深圳微米氮化铝价格

氮化铝陶瓷因具有高热导率、低膨胀系数、度、耐腐蚀、电性能优、光传输性好等优异特性，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。随着我国电子信息产业蓬勃发展，电子设备仪器的小型轻量化，以及混合集成度大幅提高，对散热基板的导热性能要求越来越高，氮化铝陶瓷的热导率较氧化铝陶瓷高5倍以上，膨胀系数低，与硅芯片的匹配性更好，因此在大功率器件等领域，已逐渐取代氧化铝基板，成为市场主流。但氮化铝陶瓷基板行业进入技术壁垒高，全球市场中，具有量产能力的企业主要集中在日本，日本企业在国际氮化铝陶瓷基板市场中处于垄断地位，此外，中国台湾地区也有部分产能。而随着国内市场对氮化铝陶瓷基板的需求快速上升，在市场的拉动下，进入行业布局的企业开始增多，但现阶段我国拥有量产能力的企业数量依然极少。陶瓷电子基板和封装材料领域，其性能远超氧化铝。深圳微米氮化铝价格

高电阻率、高热导率和低介电常数是电子封装用基片材料的很基本要求。封装用基片还应与硅片具有良好的热匹配、易成型、高表面平整度、易金属化、易加工、低成本等特点和一定的力学性能。陶瓷由于具有绝缘性能好、化学性质稳定、热导率高、高频特性好等优点，成为很常用的基片材料。常用的陶瓷基片材料有氧化铍、氧化铝、氮化铝等，其中氧化铝陶瓷基板的热导率低，热膨胀系数和硅不太匹配；氧化铍虽然有优良的性能，但其粉末有剧毒；而氮化铝陶瓷具有高热导率、好的抗热冲击性、高温下依然拥有良好的力学性能，被认为是很理想的基板材料。氮化铝陶瓷拥有高硬度和高温强度性能，可用作切割工具、砂轮和拉丝模以及制造工具材料、金属陶瓷材料的原料。还具有优良的耐磨损性能，可用作耐磨损零件，但由于造价高，只能用于磨损严重的部位。将某些易氧化的金属或非金属表面包覆AlN涂层，可以提高其抗氧化、耐磨的性能；也可以用作防腐蚀涂层，如腐蚀性物质的处理器和容器的衬里等。大连电绝缘氮化硼多少钱凝胶流延成型和注凝成型，成为氮化铝陶瓷的主要生产方法，从而促进氮化铝陶瓷的推广与应用。

直接覆铜陶瓷基板是基于氧化铝陶瓷基板的一种金属化技术，利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，在铜与陶瓷之间存在很薄的过渡层。由于ＡｌＮ陶瓷对铜几乎没有浸润性能，所以在敷接前必须要对其表面进行氧化处理。由于ＤＢＣ基板的界面靠很薄的一层共晶层粘接，实际生产中很难控制界面层的状态，导致界面出现空洞。界面孔洞率不易控制，在承受大电流时，界面空洞周围会产生较大的热应力，导致陶瓷开裂失效，因此还有必要进行相关基础理论研究和工艺条件的优化。活性金属钎焊陶瓷基板是利用钎料中含有的少量活性元素，与陶瓷反应形成界面反应层，实现陶瓷金属化的一种方法。活性钎焊时，通过钎料的润湿性和界面反应可使陶瓷和金属形成致密的界面，但残余热应力大是陶瓷金属化中普遍存在的问题。

氮化铝粉体的制备工艺：碳热还原法：碳热还原法就是将混合均匀的Al2O3和C在N2气氛中加热，首先Al2O3被还原，所得产物Al再与N2反应生成AlN，其化学反应式为：Al2O3(s)+3C(s)+N2(g)→2AlN(s)+3CO(g)；其优点是原料丰富，工艺简单；粉体纯度高，粒径小且分布均匀。其缺点是合成时间长，氮化温度较高，反应后还需对过量的碳进行除碳处理，导致生产成本较高。高能球磨法：高能球磨法是指在氮气或氨气气氛下，利用球磨机的转动或振动，使硬质球对氧化铝或铝粉等原料进行强烈的撞击、研磨和搅拌，从而直接氮化生成氮化铝粉体的方法。其优点是：高能球磨法具有设备简单、工艺流程短、生产效率高等优点。其缺点是：氮化难以完全，且在球磨过程中容易引入杂质，导致粉体的质量较低。氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。

氮化铝陶瓷的制备技术：压制成形的三个阶段：一阶段，主要是颗粒的滑动和重排，无论是一般的粉体或者造粒后的粉体，其填充于模具中的很初结构中都含有和颗粒尺寸接近或稍小的空隙。第二阶段，颗粒接触点部位发生变形和破裂，当压力超过颗粒料的表观屈服应力时，颗粒发生变形使得颗粒间空隙减小，随着颗粒的变形，坯体体积很大空隙尺寸减少，塑性低的致密粒料对应的屈服应力大，达到相同致密度所需要更高的压力。第三阶段，坯体进一步密实与弹性压缩，这一阶段起始于高压力阶段，但密度提高幅度较小，此阶段发生一定程度的弹性压缩，这种弹性压缩过大，则在脱模后会造成应力开裂与分层。模压成型的优点是成型坯体尺寸准确、操作简单、模压坯体中粘结剂含量较少、干燥和烧成收缩较小，特别适用于制备形状简单、长径比小的制品。但是，这种传统的成型方法效率低，且制得的AlN陶瓷零部件的尺寸精度取决于所用模具的精度，而高精度模具的制备成本较高。氮化铝具有六方纤锌矿晶体结构，具有密度低、强度高、耐热性好、导热系数高、耐腐蚀等优点。绍兴高导热氧化铝

氮化铝粉体的制备工艺主要有直接氮化法和碳热还原法。深圳微米氮化铝价格

AlN陶瓷金属化的方法主要有：厚膜金属化法是在陶瓷基板上通过丝网印刷形成封接用金属层、导体（电路布线）及电阻等，通过烧结形成钎焊金属层、电路及引线接点等。厚膜金属化的步骤一般包括：图案设计，原图、浆料的制备，丝网印刷，干燥与烧结。厚膜法的优点是导电性能好，工艺简单，适用于自动化和多品种小批量生产，但结合强度不高，且受温度影响大，高温时结合强度很低。直接覆铜法利用高温熔融扩散工艺将陶瓷基板与高纯无氧铜覆接到一起，所形成的金属层具有导热性好、附着强度高、机械性能优良、便于刻蚀、绝缘性及热循环能力高的优点，但是后续也需要图形化工艺，同时对AlN进行表面热处理时形成的氧化物层会降低AlN基板的热导率。深圳微米氮化铝价格

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