光纤。具体实施方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。本发明的技术构思是：本发明公开的半导体激光器中半导体激光器芯片cos输出光束的光轴与快轴准直透镜的光轴及光束整形机构的光轴在同一条直线上。江苏国内半导体激光加工供应商家。湖北哪些半导体激光加工哪里买
本发明涉及激光技术领域，特别涉及一种半导体激光器。背景技术：半导体激光器所发出的光在垂直于p-n结方向(通称快轴)具有较大发散角和较窄的发光区，快轴发散角通常为30°～60°，厚度通常小于1μm；平行于p-n结方向(通称慢轴)具有较小发散角及较大的发光区，慢轴发散角通常为8°～12°，发光条的宽度通常在100～200μm。如何提高大的发光条宽度的半导体激光器芯片cos发出的光耦合进入直径和na(数值孔径)较小的光纤内的耦合效率，一直是一个难题。技术实现要素：鉴于上述问题，本申请提出了一种半导体激光器，以便解决或者部分解决上述问题。为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：本发明公开一种半导体激光器，该半导体激光器包括：半导体激光器芯片cos、快轴准直透镜、光束整形机构和光纤输入端结构；所述光束整形机构包括：套筒，以及设置在所述套筒内的慢轴准直透镜、自聚焦透镜和限位环；所述光纤输入端结构包括：陶瓷插针和穿设在所述陶瓷插针内的光纤；所述陶瓷插针的一端安装于所述套筒内，所述限位环位于所述陶瓷插针和所述自聚焦透镜中间，实现所述自聚焦透镜和所述光纤的光学定位。江苏附近半导体激光加工推荐厂家SCM-A300型芯片载板刻线机-代理产品。
贯穿热沉基板308的连接件309的两端分别连接激光器模组310的下电极层311(正电极层)与第二激光器模组305的第二上电极层312(负电极层)，以实现激光器模组310与第二激光器模组305的串联设置。通过这种串联设置，使得只需将激光器模组310的上电极层307(负极层)与负电极引线a连接，将第二激光器模组305的第二下电极层303(正极层)与正电极引线b连接即可使得激光器模组310和第二激光器模组305同时工作。因此，这种设置方式，能够减少半导体激光器的电极引线数量。当然，在其它实施例中，连接件还连接激光器模组的n面及第二激光器模组的p面，以实现激光器模组与第二激光器模组的串联设置。本申请进一步提出第三实施例的半导体激光器，如图4所示，本实施例半导体激光器401与上述实施例半导体激光器301的区别在于：本实施例的第二热沉基板408设置有从上表面贯穿至下表面的至少一个第二通孔；本实施例激光器401进一步包括第三热沉基板402、第三激光器模组403及第二连接件404，其中，第三激光器模组403位于第二热沉基板408与第三热沉基板402的上表面之间；第二连接件404容置于第二通孔内；第二激光器模组413与第三激光器模组403通过第二连接件404连接。具体地。
根据至少一个实施方式，激光辐射具有如下比较大强度的波长，所述波长位于近紫外光谱范围中。近紫外光谱范围尤其表示在200nm和420nm之间或在320nm和420nm之间的波长，其中包括边界值。替选地，半导体激光器设计用于：发射可见的激光辐射，例如蓝色的激光辐射或红色的激光辐射。蓝光推荐涉及至少420nm和/或比较高490nm的主波长。尤其将在600nm和700nm之间的主波长理解为红光，其中包括边界值。还可行的是：激光辐射为近红外辐射，即为比较大强度的波长例如在700nm和1600nm之间的辐射，其中包括边界值。同样地，能够产生在490nm和600nm之间的绿色或黄色光谱范围中的激光辐射。根据至少一个实施方式，半导体激光器具有p型接触层。p型接触层推荐直接处于p型区域处。此外，p型接触层设置用于将电流直接注入到p型区域中。 江苏工业半导体激光加工设备。
半导体激光器501与上述实施例半导体激光器301的区别在于：本实施例的连接件508连接激光器模组509的p面及第二激光器模组510的p面。具体地，激光器模组509的巴条502的上表面为半导体n面，巴条502的下表面为半导体p面，第二激光器模组510第二巴条503的上表面为半导体p面，第二巴条503的下表面为半导体n面，上电极层504及第二下电极层505与负电极引线a连接，下电极层506或第二上电极层511与正电极引线b连接。本实施例的贯穿热沉基板507的连接件508的两端分别连接激光器模组509的下电极层506(正电极层)与第二激光器模组510的第二上电极层511(正电极层)，以实现激光器模组509与第二激光器模组510的并联设置。通过这种并联设置，使得只需将激光器模组509的上电极层504(负电极层)与负电极引线a连接，将激光器模组509的下电极层506(正电极层)或将第二激光器模组510的第二上电极层511(正电极层)与正电极引线b连接，将第二激光器模组510的第二下电极层505(负电极层)与负电极引线a连接即可使得激光器模组509和第二激光器模组510同时工作。通过这种方式能够实现激光器模组509与第二激光器模组510并联设置，能够减少半导体激光器501的电极引线数量。当然，在其它实施例中。江苏国内半导体激光加工批发厂家。广东节能半导体激光加工哪里买
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本发明技术公开了一种半导体激光加工装置，在所述激光焊接头上设置有以激光焊接头的中心轴线转动的调节架，在所述调节架的底部两侧关于激光焊接头的中心轴线对称设置有用于吹除焊烟的吹气组件和用于吹出保护气体的第二吹气组件，所述吹气组件和所述第二吹气组件的出气口自激光焊接头的下方自上而下顺次设置，使用时，可通过设置的喷气组件和第二喷气组件来分别对在焊接时所产生的焊烟以及焊接件表面所存在的焊渣吹除，并且其还能够通过调节架来根据焊接的运动方向实时调整喷气组件和第二喷气组件的相对位置，可避免因工件形状多变，其无法及时将焊烟以及焊接件表面焊渣吹除，而造成焊接后的工件存在瑕疵的问题。全部详细技术资料下载【技术实现步骤摘要】一种半导体激光加工装置本技术涉及激光加工，具体涉及一种半导体激光加工装置。技术介绍激光焊接是利用高能量密度的激光束作为热源的一种高效精密焊接方法，即激光辐射加热工件表面，表面热量通过热传导向内部扩散，通过控制激光脉冲的宽度、能量、峰值功率和重复频率等参数，使工件熔化，形成特定的熔池。而由于激光的特殊性，在焊接的过程中，其很容易由于焊接处所游离的焊烟，而导致激光能量的大幅度损失。湖北哪些半导体激光加工哪里买
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