三激光器模组403包括第三巴条405、第三上电极层406及第三下电极层407，第三上电极层406位于第二热沉基板408的下表面与第三巴条405之间；第三下电极层407位于第三巴条405与第三热沉基板402的上表面之间；其中，第二下电极层409与第三上电极层406通过第二连接件404连接。可选地，本实施例的连接件414连接激光器模组415的p面及第二激光器模组413的n面，第二连接件404连接第二激光器模组413的p面及第三激光器模组403的n面。具体地，激光器模组415的巴条410的上表面为半导体n面，巴条410的下表面为半导体p面，第二激光器模组413的第二巴条411的上表面为半导体n面，第二巴条411的下表面为半导体p面，第三激光器模组403第三巴条405的上表面为半导体n面，第三巴条405的下表面为半导体p面，上电极层412与负电极引线a连接，第三下电极层407与正电极引线b连接。通过上述分析可知，本实施例能够实现三个激光器模组串联。当然，在其它实施例中，不限定激光器模组及热沉基板的具体数量，可以实现三个以上的激光器模组串联。桠大地推勤了板级封装雷路的微小化追程；上海质量半导体激光加工哪个好
半导体激光器原理析读来源：未知2014-10-14作者：陈睿[摘要]半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。下面小编给大家介绍一下半导体激光器原理。【华强安防网讯】半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。下面小编给大家介绍一下半导体激光器原理。半导体激光器通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种：电注入式、电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由GaAS（砷化镓）、InAS（砷化铟）、Insb（锑化铟）等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用N型或者P型半导体单晶（PbS、CdS、ZhO等）作为工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。河北定制半导体激光加工哪家好江苏小型半导体激光加工值得推荐。
激光器的结构基本上就是把普通双异质结（DH）激光器的有源层厚度做成数十nm以下的一种激光器，通常把势垒较厚以致于相邻势阱中电子波函数不发生交迭的周期结构称为多量子阱（MQW).量子阱激光器单个输出功率现已大于1W，承受的功率密度已达10MW/cm3以上）而为了得到更大的输出功率，通常可以把许多单个半导体激光器组合在一起形成半导体激光器列阵。因此，量子阱激光器当采用阵列式集成结构时，输出功率则可达到l00w以上.高功率半导体激光器（特别是阵列器件）飞速发展，已经推出的产品有连续输出功率5W,10W,20W和30W的激光器阵列.脉冲工作的半导体激光器峰值输出功率50W、120W和1500W的阵列也已经商品化。一个cmx9cm的二维阵列，其峰值输出功率已经超过45kW。峰值输出功率为350kW的二维阵列也已间世。半导体激光器从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器.另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器.在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器（连续输出功率在100W以上，脉冲输出功率在5W以上，均可称之谓高功率半导体激光器）在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率增加。
半导体激光器501与上述实施例半导体激光器301的区别在于：本实施例的连接件508连接激光器模组509的p面及第二激光器模组510的p面。具体地，激光器模组509的巴条502的上表面为半导体n面，巴条502的下表面为半导体p面，第二激光器模组510第二巴条503的上表面为半导体p面，第二巴条503的下表面为半导体n面，上电极层504及第二下电极层505与负电极引线a连接，下电极层506或第二上电极层511与正电极引线b连接。本实施例的贯穿热沉基板507的连接件508的两端分别连接激光器模组509的下电极层506(正电极层)与第二激光器模组510的第二上电极层511(正电极层)，以实现激光器模组509与第二激光器模组510的并联设置。通过这种并联设置，使得只需将激光器模组509的上电极层504(负电极层)与负电极引线a连接，将激光器模组509的下电极层506(正电极层)或将第二激光器模组510的第二上电极层511(正电极层)与正电极引线b连接，将第二激光器模组510的第二下电极层505(负电极层)与负电极引线a连接即可使得激光器模组509和第二激光器模组510同时工作。通过这种方式能够实现激光器模组509与第二激光器模组510并联设置，能够减少半导体激光器501的电极引线数量。当然，在其它实施例中。江苏工业半导体激光加工值得推荐。
一种半导体激光器，该半导体激光器包括：半导体激光器芯片cos(chip-on-submount)1、快轴准直透镜3、光束整形机构4和光纤输入端结构7，具体结构参见图1。如图2所示，光束整形机构4包括：套筒41，以及设置在套筒41内的慢轴准直透镜42、自聚焦透镜43和限位环44。如图2所示，光纤输入端结构7包括：陶瓷插针71和穿设在陶瓷插针71内的光纤73；陶瓷插针71用于固定光纤73。陶瓷插针71的一端安装于套筒41内，限位环44位于陶瓷插针71和自聚焦透镜43中间，实现自聚焦透镜43和光纤73的光学定位；限位环44的长度控制光纤73与自聚焦透镜43间距，实现耦合焦距等的调整。半导体激光器芯片cos1依次通过快轴准直透镜3、慢轴准直透镜42、自聚焦透镜43实现和光纤73前端的耦合对准，半导体激光器芯片cos1输出光束的光轴与快轴准直透镜3的光轴及光束整形机构4的光轴在同一条直线上，使其适用于大的发光条宽的半导体激光器芯片cos1耦合进芯径较小的光纤73内，耦合效率高，可靠性好，操作简单。快轴准直透镜3是固定于靠近半导体激光器芯片cos1前端的位置，两者距离在微米级。在一个实施例中，如图3所示，陶瓷插针71的一端通过胶粘方式安装于套筒41内。江苏小型半导体激光加工批量定制。直销半导体激光加工订制价格
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第二连接件连接第二激光器模组的p面及第三激光器模组的n面。该技术方案能够实现激光器模组、第二激光器模组及第三激光器模组串联，能够减少激光器的电极引线数量。在一个实施方式中，热沉基板设置多个所述通孔，半导体激光器包括多个容置于通孔内的连接件。该技术方案能够在某个连接件出现导电不良时，其它连接件可以实现热沉基板上、下表面电极层的连接，使得激光器正常工作。在一个实施方式中，热沉基板为陶瓷基板。本申请实施例的有益效果是：区别于现有技术，本申请实施例半导体激光器至少包括：热沉基板，包括相对设置的上表面及下表面，热沉基板设置有至少一个通孔，通孔从上表面贯穿至下表面；激光器模组，设置在热沉基板的上表面；第二激光器模组，设置在热沉基板的下表面；连接件，容置于通孔内；其中，激光器模组与第二激光器模组通过连接件电连接。通过这种方式，本申请实施例通过容置于贯穿热沉基板的通孔中的连接件将激光器模组中与第二激光器模组进行电连接，能够实现激光器模组与第二激光器模组共用电极引线，从而能够减少半导体激光器的电极引线的数量，进而减少发热及提升其性能的稳定性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案。上海质量半导体激光加工哪个好
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