激光器模组203包括：巴条206、上电极层207及下电极层208，其中，上电极层206设置在巴条203的上表面，下电极层208位于巴条206与热沉基板202的上表面之间；第二激光器模组204包括：第二巴条209、第二上电极层210及第二下电极层211，第二上电极层210位于热沉基板202的下表面与第二巴条209之间，第二下电极层211设置在第二巴条209的下表面；其中，下电极层208与第二上电极层210通过连接件205连接。本实施例的热沉基板202用于对位于其上表面的激光器模组203及位于下表面的第二激光器模组204进行散热。其中，本实施例的巴条206及第二巴条209均为半导体巴条。本实施例可以通过激光打孔或者光刻、刻蚀等工艺在热沉基板202上形成上述通孔。通孔的形状、大小和数量是由半导体激光器功率和制备的工艺等因素来决定。其中，本实施例的上述通孔推荐为圆形，该通孔的孔径范围为5～200um，具体可为5um、50um、100um、150um及200um等，具体不做限定。当然，在其它实施例中，该通孔还可以是其它形状，如方形，或者具有其它孔径。需要注意的是，本实施例只示出了半导体激光器201的垂直叠层结构，在水平方向上。江苏智能半导体激光加工设备厂家。安徽工业半导体激光加工推荐厂家
具有较窄能隙材料的一个薄层，因此注人的载流子被限制在该区域内（有源区），因而注人较少的电流就可以实现载流子数的反转。在半导体激光器件中，比较成熟、性能较好、应用较广的是具有双异质结构的电注人式GaAs二极管激光器。随着异质结激光器的研究发展，人们想到如果将超薄膜（<20nm）的半导体层作为激光器的激括层，以致于能够产生量子效应，结果会是怎么样?再加之由于MBE,MOCVD技术的成就。于是，在1978年出现了世界上只半导体量子阱激光器（QWL），它大幅度地提高了半导体激光器的各种性能.后来，又由于MOCVD,MBE生长技术的成熟，能生长出高质量超精细薄层材料，之后，便成功地研制出了性能更加良好的量子阱激光器，量子阱半导体激光器与双异质结（DH）激光器相比，具有阑值电流低、输出功率高，频率响应好，光谱线窄和温度稳定性好和较高的电光转换效率等许多优点。QWL在结构上的特点是它的有源区是由多个或单个阱宽约为100人的势阱所组成，由于势阱宽度小于材料中电子的德布罗意波的波长，产生了量子效应，连续的能带分裂为子能级.因此，特别有利于载流子的有效填充，所需要的激光阈值电流特别低.半导体激光器的结构中应用的主要是单、多量子阱，单量子阱。吉林附近半导体激光加工设备江苏大型半导体激光加工设备厂家。
技术实现要素：本申请主要解决的技术问题是提供一种半导体激光器，以减少半导体激光器的电极引线数量，减少发热及提升其性能稳定性。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体激光器，该半导体激光器至少包括：热沉基板，包括相对设置的上表面及下表面，热沉基板设置有至少一个通孔，通孔从上表面贯穿至下表面；激光器模组，设置在热沉基板的上表面；第二激光器模组，设置在热沉基板的下表面；连接件，容置于通孔内；其中，激光器模组与第二激光器模组通过连接件电连接。该技术方案能够减少激光器的电极引线的数量，因此能够减少发热及提升其性能的稳定性。在一个实施方式中，半导体激光器进一步包括第二热沉基板，第二激光器模组位于热沉基板的下表面与第二热沉基板的上表面之间。该技术方案能够增加对第二激光器模组的散热。在一个实施方式中，连接件连接激光器模组的p面及第二激光器模组的n面，或者连接件连接激光器模组的n面及第二激光器模组的p面。该技术方案能够实现激光器模组和第二激光器模组串联设置，能够减少激光器的电极引线数量。在一个实施方式中，连接件连接激光器模组的n面及第二激光器模组的n面。
这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。像晶体二极管一样，半导体激光器也以材料的p-n结特性为基础，且外观亦与前者类似，因此，半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。半导体激光器早期的激光二极管有很多实际限制，例如，只能在77K低温下以微秒脉冲工作，过了8年多时间，才由贝尔实验室和列宁格勒（圣彼得堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造出能在室温下工作的连续器件。而足够可靠的半导体激光器则直到70年代中期才出现。半导体激光器体积非常小，小的只有米粒那样大。工作波长依赖于激光材料，一般为～，由于多种应用的需要，更短波长的器件在发展中。据报导，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为工作物质的激光器，低温下已得到，而波长～。但迄今尚未实现商品化。光纤通信是半导体激光可预见的重要的应用领域，一方面是世界范围的远距离海底光纤通信，另一方面则是各种地区网。后者包括高速计算机网、航空电子系统、卫生通讯网、高清晰度闭路电视网等。但就而言，激光唱机是这类器件的大市场。以便PoP堆叠封装时前制作层间引线；
在半导体激光器件中，性能较好，应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。半导体激光器激光器编辑半导体激光器半导体激光（Semiconductorlaser）在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出。后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管（Laserdiode）等，使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量大的激光器。激光二极体的优点有：效率高、体积小、重量轻且价格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也达到数15%~25%，总而言之能量效率高是其大特色。另外，它的连续输出波长涵盖了红外线到可见光范围，而光脉冲输出达50W（脉宽100ns）等级的产品也已商业化，作为激光雷达或激发光源可说是非常容易使用的激光的例子。半导体激光器工作原理编辑根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs。江苏小型半导体激光加工推荐厂家。广东工程半导体激光加工排行榜
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半导体激光器封装技术编辑半导体激光器半导体激光器封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而半导体激光器封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于半导体激光器。半导体激光器半导体激光器的发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高半导体激光器的内、外部量子效率。常规Φ5mm型半导体激光器封装是将边长，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光，向期望的方向角内发射。顶部包封的环氧树脂做成一定形状。安徽工业半导体激光加工推荐厂家
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