根据至少一个实施方式，激光辐射具有如下比较大强度的波长，所述波长位于近紫外光谱范围中。近紫外光谱范围尤其表示在200nm和420nm之间或在320nm和420nm之间的波长，其中包括边界值。替选地，半导体激光器设计用于：发射可见的激光辐射，例如蓝色的激光辐射或红色的激光辐射。蓝光推荐涉及至少420nm和/或比较高490nm的主波长。尤其将在600nm和700nm之间的主波长理解为红光，其中包括边界值。还可行的是：激光辐射为近红外辐射，即为比较大强度的波长例如在700nm和1600nm之间的辐射，其中包括边界值。同样地，能够产生在490nm和600nm之间的绿色或黄色光谱范围中的激光辐射。根据至少一个实施方式，半导体激光器具有p型接触层。p型接触层推荐直接处于p型区域处。此外，p型接触层设置用于将电流直接注入到p型区域中。 包括POP通孔、SIP通孔与开槽等工艺。上海定制半导体激光加工排行榜
这些器件的发展特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐以及短波长化和光电单片集成化等。半导体激光器高功率1983年，波长800nm的单个LD输出功率已超过100mW，到了1989年，，而1cm线阵LD已达到76W输出，转换效率达39%。1992年，美国人又把指标提高到一个新水平：1cm线阵LD连续波输出功率达121W，转换效率为45%。输出功率为120W、1500W、3kW等诸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列阵的迅速发展也为全固化激光器，亦即半导体激光泵浦（LDP）的固体激光器的迅猛发展提供了强有力的条件。为适应EDFA和EDFL等需要，波长980nm的大功率LD也有很大发展。配合光纤Bragg光栅作选频滤波，大幅度改善其输出稳定性，泵浦效率也得到有效提高。半导体激光器产品分类编辑（1）异质结构激光器（2）条形结构激光器（3）GaAIAs/GaAs激光器（4）InGaAsP/InP激光器（5）可见光激光器（6）远红外激光器（7）动态单模激光器（8）分布反馈激光器（9）量子阱激光器（10）表面发射激光器（11）微腔激光器半导体激光器半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广。河北现代半导体激光加工哪家好江苏直销半导体激光加工值得推荐。
一种半导体激光器，该半导体激光器包括：半导体激光器芯片cos(chip-on-submount)1、快轴准直透镜3、光束整形机构4和光纤输入端结构7，具体结构参见图1。如图2所示，光束整形机构4包括：套筒41，以及设置在套筒41内的慢轴准直透镜42、自聚焦透镜43和限位环44。如图2所示，光纤输入端结构7包括：陶瓷插针71和穿设在陶瓷插针71内的光纤73；陶瓷插针71用于固定光纤73。陶瓷插针71的一端安装于套筒41内，限位环44位于陶瓷插针71和自聚焦透镜43中间，实现自聚焦透镜43和光纤73的光学定位；限位环44的长度控制光纤73与自聚焦透镜43间距，实现耦合焦距等的调整。半导体激光器芯片cos1依次通过快轴准直透镜3、慢轴准直透镜42、自聚焦透镜43实现和光纤73前端的耦合对准，半导体激光器芯片cos1输出光束的光轴与快轴准直透镜3的光轴及光束整形机构4的光轴在同一条直线上，使其适用于大的发光条宽的半导体激光器芯片cos1耦合进芯径较小的光纤73内，耦合效率高，可靠性好，操作简单。快轴准直透镜3是固定于靠近半导体激光器芯片cos1前端的位置，两者距离在微米级。在一个实施例中，如图3所示，陶瓷插针71的一端通过胶粘方式安装于套筒41内。
光纤。具体实施方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。本发明的技术构思是：本发明公开的半导体激光器中半导体激光器芯片cos输出光束的光轴与快轴准直透镜的光轴及光束整形机构的光轴在同一条直线上。江苏大型半导体激光加工设备。
本发明涉及激光技术领域，特别涉及一种半导体激光器。背景技术：半导体激光器所发出的光在垂直于p-n结方向(通称快轴)具有较大发散角和较窄的发光区，快轴发散角通常为30°～60°，厚度通常小于1μm；平行于p-n结方向(通称慢轴)具有较小发散角及较大的发光区，慢轴发散角通常为8°～12°，发光条的宽度通常在100～200μm。如何提高大的发光条宽度的半导体激光器芯片cos发出的光耦合进入直径和na(数值孔径)较小的光纤内的耦合效率，一直是一个难题。技术实现要素：鉴于上述问题，本申请提出了一种半导体激光器，以便解决或者部分解决上述问题。为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：本发明公开一种半导体激光器，该半导体激光器包括：半导体激光器芯片cos、快轴准直透镜、光束整形机构和光纤输入端结构；所述光束整形机构包括：套筒，以及设置在所述套筒内的慢轴准直透镜、自聚焦透镜和限位环；所述光纤输入端结构包括：陶瓷插针和穿设在所述陶瓷插针内的光纤；所述陶瓷插针的一端安装于所述套筒内，所述限位环位于所述陶瓷插针和所述自聚焦透镜中间，实现所述自聚焦透镜和所述光纤的光学定位。江苏小型半导体激光加工推荐厂家。四川节能半导体激光加工哪家好
贝努力气浮抓手无抓痕，同轴视觉定位。上海定制半导体激光加工排行榜
量子阱和应变层量子阱激光器的出现，大功率激光器及其列阵的进展，可见光激光器的研制成功，面发射激光器的实现、单极性注人半导体激光器的研制等等一系列的重大突破，半导体激光器的应用越来越，半导体激光器已成为激光产业的主要组成部分，已成为各国发展信息、通信、家电产业及装备不可缺少的重要基础器件.半导体激光器在半导体激光打标机中的应用：半导体激光器因其使用寿命长、激光利用效率高、热能量比YAG激光器小、体积小、性价比高、用电省等一系列优势而成为2010年热卖产品，e网激光生产的国产半导体激光器的出现，加速了以半导体激光器为主要耗材的半导体激光机取代YAG激光打标机市场份额的步伐。半导体激光器发展过程编辑半导体激光器半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作为杰出。半导体激光器在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）半导体激光器和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象。上海定制半导体激光加工排行榜
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