在智能穿戴设备和户外运动设备上集成紫外传感器，可实时检测日光中紫外线强度，对皮肤保健提供防护建议。根据世界卫生组织的统计数据，在美国皮肤病的发病率接近20%，也就是说平均每5个人就有1人在其一生中会得一次皮肤病，而且这个数字仍在逐年上升。高皮肤*发病率与过量紫外线照射直接相关。 据国际IFSA组织的市场研究报告，38%的受访者希望未来智能手机上能够集成日照紫外线指数传感器，相应紫外探测器的市场需求极其庞大。 由于手机和智能穿戴设备的透光窗口面积有限，对紫外传感器的尺寸有严格的要求；镓敏光电于2014年已经推出业界尺寸较小的GaN紫外传感器。紫外传感器可以帮助评估皮肤病的光疗效果。山西紫外传感器生产企业
新一代SiC基真空紫外（VUV）探测器和极紫外（EUV）探测器具有暗电流低、量子效率高、本征白光抑制、温度稳定性优和抗辐射能力强等系列性能优势，在193 nm和13.5 nm光刻机紫外光源强度监控、同步辐射等大科学装置、太阳风观测、地球等离子体物理以及工业测量等领域均具有重要的应用。
典型应用： 193 nm激光器输出强度监控，真空紫外同步辐射光源监控，VUV紫外能量计，VUV紫外光谱仪
镓敏光电与南京大学“江苏省光电功能材料重点实验室”、江苏省“固态照明与节能电子学协同创新中心”、“南京人工微结构科学与技术协同创新中心”等平台单位保持有长期深入且***的合作，其完善的材料生长、器件加工和测试分析设备可为镓敏团队提供更***的技术支撑。
镓敏光电提供高性能SiC、GaN紫外传感器，咨询1 8 0- 1 5 5 0 -3 5 5 8 重庆紫外传感器生产企业紫外传感器可用于日光紫外线指数测试。
紫外成像在航天与医疗等领域颇具应用价值。目前，紫外成像芯片难以获得。同时，基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等宽禁带半导体的紫外探测器难以与Si基读出电路实现大规模集成，这限制了性能紫外成像芯片的制造与应用。中国科学院微电子研究所重点实验室与中国科学技术大学合作，实现基于超宽禁带半导体材料Ga2O3的背照式主动紫外图像传感器阵列，并在极弱光照条件下实现了成像。研究采用CMOS工艺兼容的IGZOTFT驱动Ga2O3紫外探测器，实现单片集成32×32紫外成像阵列。IGZOTFT器件表现出极低的漏电和驱动能力以及在正负偏压下良好的稳定性。Ga2O3探测器具有极低的噪声，对紫外光表现出极高的灵敏度，可实现对低至1pW/cm2的紫外光进行探测。通过外围电路进行信号读取和处理，该图像传感器实现了在弱光下的成像应用。该成果为基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等材料的可扩展、高密度图像传感器集成与应用提供了新的思路和解决方法。
氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料，禁带宽度为3.4eV，对应截至波长365nm，对可见光无响应，克服了硅基紫外传感器对可见光有强烈响应，且紫外灵敏度低的缺点，是制备紫外线传感器的理想材料。III-Ⅴ族氮化物化合物半导体具有带隙可调的优点，响应波段范围可覆盖可见-紫外波段。GaN紫外传感器具有体积小、灵敏度高、噪声低、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。 镓敏光电提供高性能SiC、GaN紫外传感器，咨询1 8 0 -1 5 5 0- 3 5 5 8紫外传感器可提升紫外线的使用安全性。
臭氧检测仪就是采用紫外线吸收法的原理，用稳定的紫外灯光源产生紫外线，用光波过滤器过滤掉其它波长紫外光，只允许波长。经过样品光电传感器，再经过臭氧吸收池后，到达采样光电传感器。通过样品光电传感器和采样光电传感器电信号比较，再经过数学模型的计算，就能得出臭氧浓度大小。镓敏光电致力于研发和生产基于新型宽禁带半导体材料的高性能紫外探测器。宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，其**材料包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于耐高温、高效能的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，具有***的材料性能优势。 紫外传感器可用于检测工业废水中的紫外线辐射。上海新型紫外传感器
紫外传感器在科学研究方面可以用于研究光化学反应。山西紫外传感器生产企业
紫外线为不可见光，是高能量光，会灼伤眼睛，并导致皮肤病变。国内曾多次报道幼儿园利用紫外线消毒时，由于未安装紫外监测装置，导致儿童眼睛灼伤。 在进行紫外线消毒时，必须使用紫外线传感器对紫外线辐照强度和辐照剂量进行监测，并进行紫外监测安全报警。我司研发多种型号(In)GaN紫外传感器、SiC紫外传感器可应用于紫外消毒的各种场景，具有较好灵敏度、可靠性、稳定性的优点。使用紫外探测器对紫外辐射剂量进行监控，确保消毒彻底并安全使用。山西紫外传感器生产企业
