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当一个电信号通过两个光电二极管时，电容就会快速放电，两个光电二极管就会发出噪声信号，这就形成了雪崩效应。当这两个光电二极管进行驱动恢复时，电容又会收缩，进行了新的电信号的新的刺激，这样就可以控制雪崩光电二极管的速度和准确性。从外形和用途来看，雪崩光电二极管是一种PC端型的特殊光电探测器，但它的功能强大得多。它的特点包括：高速性能，可以快速捕获容易破坏的脉冲，可以保护工程负载中的信号；高抗干扰性，能够适应较大的电磁干扰；自动跳闸开关，电路中有一个自动跳闸开关芯片可以将脉冲电压快速掐断；雪崩特性，在输入信号电压变化范围内，其开关特性几乎不受影响。滨松光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。成都跨阻光电批发

光电二极管是经常使用的光电探测器，它在很大程度上已经取代了以前使用的真空光管。它们是含有p-n结的半导体器件，通常在n层和p层之间还有一个内在（未掺杂）层。具有内在层的器件被称为p-i-n或PIN光电二极管。在耗尽区或本征区吸收的光会产生电子-空穴对，其中大部分有助于产生光电流。在很宽的光功率范围内，光电流可以相当精确地与吸收（或入射）的光强度成正比。人们在n掺杂区和p掺杂区之间有一个固有的区域，大部分的电载流子在这里产生。通过电接触（阳极和阴极），可以获得产生的光电流。阳极可以有一个环形，这样光就可以通过孔注入。一个大的活性区域可以通过一个相应的大环来获得，但这往往会增加电容，从而降低检测带宽，并增加暗电流；另外，如果产生的载流子离电极太远，效率可能会下降。四川索雷博光电模块绵阳微安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

向 pn 结施加反向偏置电压会导致耗尽区变宽。这在光电二极管应用的背景下有两个有益的影响。首先，如上一篇文章所述，较宽的耗尽区会使光电二极管更敏感。因此，当您想要产生与照度相关的更多输出信号时，光电导模式是一个不错的选择。其次，较宽的耗尽区会降低光电二极管的结电容。在上面所示的电路中，反馈电阻和结电容（以及其他电容源）的存在限制了系统的闭环带宽。与基本的 RC 低通滤波器一样，减小电容会增加截止频率。因此，光电导模式允许更宽的带宽，并且当您需要化检测器响应照度快速变化的能力时更可取。反向偏压还扩展了光电二极管的线性工作范围。如果您担心在高照度下保持测量，您可以使用光电导模式，然后根据您的系统要求选择反向偏置电压。但请记住，更多的反向偏压也会增加暗电流。

光电转换器的基本原理是光电效应。光电效应是指当光照射到物质表面时，光子能量被物质吸收并激发物质中的电子，使其跃迁到导带或价带中，从而产生电流。根据光电效应的不同机制，光电转换器可分为光电导和光电发射两种类型。·光电导:光电导是指当光照射到半导体材料上时，产生电子与空穴对，并在电场作用下产生电流。太阳能电池就是一种典型的光电导器件，其通过光照射到半导体材料上产生电子与空穴对，然后通过电场将电子与空穴分离，形成电流。·光电发射，光电发射是指当光照射到金属表面时，金属表面的电子受到光激发，跃迁到金属的导带中，从而产生电流。光电发射器件常用于光电传感器和光电显示器中。四川跨阻光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

二极管具有单向导电性，外加正向电压在一定的值才会存在电流，当正向电压达到一定值时，正向电流会随着端电压的增大而极速增大。我们一般称产生正向电流的临界电压为开启 电压。同理，当反向施加电压到一定的值时会使二极管击穿，型号不同，二极管的击穿电压也不同，一般可以根据零部件的设计需要进行设计开发，一般为几十伏到几千伏不等。当反向施加的电压小于击穿的临界值时，反向饱和电流为一定的值。3、二极管的种类1）稳压二极管也叫稳压管，由于反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压保持在一个稳定的值，因为稳压特性故叫稳压管，一般运用于稳压电源中。稳压管的主要参数有：稳定电压（反向击穿电压）、稳定电流、额定功耗。在不超过额定功耗的情况下，电流增大，稳压效果增强。2）发光二极管，常见的是可见光的发光二极管，不同的材料可做成不同颜色的发光二极管。发光二极管具有单向导电性，在外加正向电压在一定的值时二极管才能发光。发光二极管驱动电压小，功耗小，寿命长，可靠性高，故泛用于显示电路中。3）光电二极管光能和电能的转换，之前说过的PN结的光敏特性来设计。四川滨松光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。广州紫外光电模块

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光电二极管可以在两种非常不同的模式下工作。光伏模式：像太阳能电池一样，被照亮的光电二极管产生一个可以测量的电压。然而，该电压对光功率的依赖性是非线性，而且动态范围相当小。另外，也没有达到速度。光导模式：在这里，对二极管施加反向电压（即在没有入射光线的情况下二极管不导电的方向施加电压），并测量由此产生的光电流。该反向偏置模式的简单解决方案是基于一个电压源和一个负载电阻。光电流对光功率的依赖性在光功率的六个或更多数量级上可以是非常线性的，例如，对于活性面积为几平方毫米的硅p-i-n光电二极管来说，其范围从几纳瓦到几十毫瓦。反向电压的大小对光电流几乎没有影响，而对暗电流（通常很小）（在没有光的情况下获得）有一些影响。较高的反向电压往往会使反应更快，但也会增加器件的加热，这对高光电流来说是个问题。成都跨阻光电批发