浙江四氟化碳超高纯气体芯片制造

上海弥正针对光伏产业多晶硅生产、硅片切割、电池片制造等全流程，推出包含超高纯氢气、氮气、氩气、硅烷等的气体套装解决方案，适配 N 型 TOPCon 与 HJT 高效电池技术需求。套装内所有气体均通过光伏行业**提纯工艺，其中超高纯氢气纯度达 6N 级，硅烷纯度达 5N 级，杂质含量严格遵循《光伏制造用特种气体发展白皮书》标准，确保不影响电池转换效率。提供按需定制的混合气体配比服务，可根据客户工艺要求精细调配不同比例的保护气与反应气，同时配备智能供气系统，支持流量、压力的实时监测与自动调节，流量控制精度达 ±0.5%。某大型光伏企业应用后，多晶硅生产能耗降低 12%，电池片转换效率提升 0.8%，年新增发电量超 1 亿千瓦时，且气体供应稳定性满足 24 小时连续生产需求，2023 年助力客户实现 9.8 万吨的高纯气体消耗量适配，响应光伏产业 24.6% 的年增长需求。超高纯氚气（杂质≤0.1ppm）用于核工业与放射性检测设备。浙江四氟化碳超高纯气体芯片制造

上海弥正超高纯三氟化氮（5N 级纯度），是半导体等离子体刻蚀工艺的关键清洗气体，以 “高纯度 + 低污染” 助力芯片制程精细化。采用低温吸附与精馏提纯工艺，将杂质含量控制在 1ppb 以内，其中金属杂质与颗粒物杂质均≤0.1ppb，能准确匹配 7nm 及以下先进制程的刻蚀需求。其强氧化性可高效去除晶圆表面的硅化物、金属氧化物等残留沉积物，且反应产物易挥发，无需额外复杂清洗步骤，有效提升刻蚀工艺效率。配备特用环保处理系统，气体使用后可通过回收装置实现 67% 的再利用率，降低环境排放与使用成本，符合亚洲芯片代工厂的生态合规要求。某半导体代工厂应用后，晶圆刻蚀残留率从 0.8% 降至 0.05%，刻蚀工艺效率提升 15%，单晶圆制造成本降低 3%，同时满足 SEMI 国际半导体产业协会的环保与纯度标准，成为先进制程刻蚀工艺的推荐清洗气体。上海氯甲烷超高纯气体检测分析超高纯氘气（纯度 99.999%）用作核磁共振成像的造影气体。

上海弥正超高纯氮气（纯度达 6N 级），专为半导体晶圆加工设计，以 “杂质 + 稳定供应” 成为芯片制造的关键基础材料。采用低温精馏与吸附分离双重提纯工艺，将氧气、水分、碳氢化合物等杂质含量控制在 0.1ppb 以下，完全满足半导体刻蚀、沉积等重心工艺对气体纯度的严苛要求。作为惰性保护气体，它能有效隔绝空气与工艺环境接触，防止晶圆表面氧化或污染，保障光刻胶涂覆、等离子体刻蚀等环节的工艺稳定性。配备特用超洁净包装与输送系统，气瓶内壁经电解抛光处理，避免二次污染，气体输送过程中纯度衰减率低于 0.01%。某芯片制造企业应用后，晶圆氧化缺陷率从 0.3% 降至 0.02%，芯片良率提升 2.8%，连续供应 12 个月无纯度波动问题，完全适配 5G 芯片、人工智能芯片等制程的生产需求，成为半导体产业不可或缺的惰性保护解决方案。

上海弥正防爆型超高纯气体供应方案，针对化工、油气等易燃易爆危险环境，以 “本质安全 + 全流程防护” 确保气体使用安全，适配高危场景的生产需求。方案涵盖防爆型气瓶、防爆输送管路、防爆阀门及在线监测系统，所有设备均通过国家防爆电气产品质量监督检验中心认证，防爆等级达 Ex d IIB T4 Ga，可在性气体环境中安全运行。提供的超高纯气体（如氧气、氢气、乙炔等）均采用特制防爆气瓶包装，瓶体配备压力过高自动泄放装置与防静电接地端子，防止静电积聚引发危险。在油气开采领域，防爆型超高纯氮气用于油气井的氮气驱油与井控作业；在化工领域，防爆型超高纯氧气用于氧化反应工艺。配备专业的安全评估与现场服务团队，为客户提供防爆系统设计、安装调试及安全操作培训，定期进行安全巡检。某油田企业应用该方案后，氮气驱油作业的安全事故发生率降为零，原油采收率提升 8%；某化工企业使用后，氧化反应工艺的安全性明显增强，通过了生产标准化一级企业评审。超高纯氯化氢纯度≥99.999%，是光伏行业多晶硅提纯的关键试剂。

上海弥正超高纯气体产品多面符合欧盟 RoHS 2.0 指令要求，为电子电器产品达到环保标准提供关键材料保障，助力客户产品顺利进入全球市场。公司对生产超高纯气体的原料、辅料及包装材料进行严格筛选与检测，确保铅、汞、镉、六价铬等 RoHS 限制物质的含量均低于指令限值（如铅≤1000ppm），并建立了完整的供应商合规档案与物料追溯体系。所有产品均通过第三方机构的 RoHS 检测，出具合格的检测报告，可应客户要求提供，用于产品的 RoHS 符合性声明。在半导体与电子元件制造中，使用该合规气体能有效避免产品因材料环保问题被市场拒入，提升产品的环保竞争力。某消费电子企业使用其 RoHS 合规超高纯气体生产的智能手机零部件，顺利通过欧盟 RoHS 认证，产品在欧洲市场的销量同比增长 22%，品牌环保形象得到明显提升。超高纯氙气纯度达 99.999%，用作医疗成像与激光技术的发光气体。上海氯甲烷超高纯气体检测分析

超高纯四氟化碳（纯度 99.999%）适配等离子刻蚀，保障芯片图形精度。浙江四氟化碳超高纯气体芯片制造

上海弥正针对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体制造，打造专属超高纯气体解决方案，以 “适配宽禁带特性 + 准确工艺控制” 助力功率器件与射频器件量产。方案涵盖超高纯氨气、硅烷、氢气、氩气等重心气体，其中用于 GaN 外延生长的超高纯氨气纯度达 7N 级，金属杂质含量≤0.01ppb；用于 SiC 刻蚀的超高纯氟化物气体纯度达 6N 级，确保材料刻蚀的准确度与表面质量。第三代半导体材料具有耐高温、耐高压、高频的特性，对气体纯度与杂质控制要求远高于传统硅基半导体，该方案通过准确控制氧、碳、金属等杂质含量，有效减少外延层缺陷，提升器件的击穿电压与可靠性。提供外延生长、离子注入、刻蚀、退火等全工艺环节的气体组合，并配备工艺适配团队，协助客户优化气体流量、压力等工艺参数。某专注于 SiC 功率器件的企业应用该方案后，外延片的缺陷密度从 10³cm⁻² 降至 10²cm⁻² 以下，器件的击穿电压提升 20%，成功实现车规级 SiC MOSFET 的稳定量产。浙江四氟化碳超高纯气体芯片制造

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