上海弥正构建覆盖 “生产 - 包装 - 运输 - 回收” 全生命周期的低碳化超高纯气体供应体系，为注重可持续发展的企业提供全链条碳减排支持。生产环节采用节能型提纯设备，结合余热回收系统，能耗较传统设备降低 30%；包装环节采用可重复使用的不锈钢气瓶，替代一次性包装，气瓶回收率达 98%，减少固体废弃物产生；运输环节优化物流网络，采用新能源危险品运输车辆，短途运输碳排放降低 100%，长途运输通过集中配送减少车辆空驶率，碳排放降低 40%。为每批次产品提供详细的碳足迹报告，清晰标注各环节碳排放数据，并协助客户将其纳入自身的 ESG 报告体系。某跨国电子企业采购该低碳供应方案后，其电子产品的包装环节碳排放减少 55%，全产品生命周期碳足迹降低 18%，在国际市场的绿色竞争力明显提升，获得多个国际品牌的优先采购权。超高纯一氧化碳纯度≥99.99%，是化学合成与材料制备的原料气。江苏四氯化硅超高纯气体半导体制造
上海弥正超高纯乙硼烷（5N 级纯度），专为 FinFET、GAA（全环绕栅极）等先进晶体管结构的超浅结掺杂工艺设计，以 “超高纯度 + 准确控制” 突破芯片制程瓶颈。采用低温合成与精密吸附提纯技术，将杂质含量控制在极低水平，其中磷、砷等杂质含量≤5ppt，水分含量≤10ppb，满足 5nm 及以下先进制程对超浅结掺杂的严苛要求。在超浅结掺杂中，它能提供高浓度的硼离子，实现对半导体材料的准确、浅度掺杂，形成高性能的 P 型半导体层，其纯度与稳定性直接影响结深控制精度与器件的阈值电压，对提升晶体管开关性能至关重要。提供定制化的稀释与输送方案，可根据客户工艺需求，将乙硼烷准确稀释至 1-100ppm 的标准混合气，采用不锈钢管道输送，配备在线浓度监测与自动报警系统，确保掺杂过程准确可控。某专注于先进制程的芯片设计与制造企业应用后，GAA 晶体管的阈值电压波动范围缩小至 ±0.02V，开关电流提升 20%，成功实现 5nm 制程芯片的稳定量产。二氧化氮超高纯气体芯片制造超高纯氧气与氮气混合气（氧含量可调），满足医疗与发酵需求。
上海弥正针对 OLED、LCD 显示面板制造，推出包含超高纯氨气、硅烷、氮气、氢气的特用气体组合，适配高世代线与新型显示技术的生产需求。组合内气体纯度均达到 5N-6N 级别，其中用于 ITO 薄膜溅射沉积的超高纯氧气纯度达 99.999%，杂质含量≤0.5ppb；用于退火工艺的超高纯氢气纯度达 6N 级，确保薄膜沉积质量与器件性能稳定。提供定制化的供气压力与流量配置，支持根据不同生产环节（如 CVD 沉积、蚀刻、退火）的工艺参数准确适配，输送系统采用无死腔设计，避免气体残留与污染。配备实时在线监测系统，可远程监控气体纯度、压力、流量等参数，故障响应时间≤1 小时。某显示面板企业应用该组合后，8.6 代线面板良品率提升 2.2%，OLED 面板发光寿命延长 15%，年节约生产成本超 800 万元，且完全满足 DSCC（Display Supply Chain Consultants）的行业标准，适配中国大陆地区显示面板产业 41% 的全球市场占比需求。
上海弥正针对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体制造，打造专属超高纯气体解决方案，以 “适配宽禁带特性 + 准确工艺控制” 助力功率器件与射频器件量产。方案涵盖超高纯氨气、硅烷、氢气、氩气等重心气体，其中用于 GaN 外延生长的超高纯氨气纯度达 7N 级，金属杂质含量≤0.01ppb；用于 SiC 刻蚀的超高纯氟化物气体纯度达 6N 级，确保材料刻蚀的准确度与表面质量。第三代半导体材料具有耐高温、耐高压、高频的特性，对气体纯度与杂质控制要求远高于传统硅基半导体，该方案通过准确控制氧、碳、金属等杂质含量，有效减少外延层缺陷，提升器件的击穿电压与可靠性。提供外延生长、离子注入、刻蚀、退火等全工艺环节的气体组合，并配备工艺适配团队，协助客户优化气体流量、压力等工艺参数。某专注于 SiC 功率器件的企业应用该方案后，外延片的缺陷密度从 10³cm⁻² 降至 10²cm⁻² 以下，器件的击穿电压提升 20%，成功实现车规级 SiC MOSFET 的稳定量产。超高纯氧气纯度≥99.999%，用于医疗供氧与电子行业氧化反应。
上海弥正超高纯氦气（6N 级纯度），是检漏、低温超导、气相色谱分析等场景的关键气体，以 “高纯度 + 低沸点” 发挥独特作用。采用低温吸附与精馏提纯工艺，将氮气、氧气、氢气等杂质含量控制在 0.2ppb 以下，低于 - 85℃，能在极低温度下保持气态，无凝固风险。在工业检漏领域，用于精密设备、管道与容器的气密性检测，检漏灵敏度达 1×10⁻¹²Pa・m³/s，确保检测准确性；在低温超导领域，用于超导磁体冷却，维持超导材料的超导状态，支持核磁共振（NMR）与粒子加速器的正常运行；在气相色谱分析中，作为载气可提升分析精度与分离效率。配备高压气瓶与减压阀，气体输出压力稳定，流量控制精度达 ±0.5%。某精密制造企业应用后，设备检漏合格率提升至 100%，泄漏故障减少 90%；某科研机构使用后，超导磁体运行稳定性提升，核磁共振检测精度提高，完全满足工业与科研领域的需求。超高纯一氧化二氮（杂质≤1ppm）用作半导体掺杂工艺气体。顺-2-丁烯超高纯气体香精香料
超高纯六氟化硫纯度达 99.999%，用作高压电气设备绝缘气体。江苏四氯化硅超高纯气体半导体制造
上海弥正超高纯六氟化钨（6N 级纯度），是半导体先进制程中钨金属层沉积的重心前驱体，以 “高纯度 + 低金属杂质” 助力芯片性能升级。采用化学合成与多级精馏提纯工艺，将杂质总量控制在 1ppm 以下，其中铜、铁、铝等金属杂质含量均≤0.1ppb，完全满足 14nm 及以下逻辑芯片、3D NAND 闪存制造的工艺要求。在化学气相沉积（CVD）工艺中，它能精细地在晶圆表面沉积出均匀、致密的钨金属层，用于芯片的栅极、互连线及接触孔填充，其纯度直接决定了钨层的导电性与可靠性，进而影响芯片的运行速度与寿命。配备耐腐蚀的特用包装与输送系统，采用内壁经特殊钝化处理的镍合金气瓶，防止气体与容器发生反应导致污染，输送管路采用无死腔设计，确保气体纯净度。某头部晶圆制造企业应用后，3D NAND 闪存的钨层沉积均匀性提升至 99.5%，芯片数据存储密度提高 15%，良率提升 2.2%，有力支撑了企业在先进存储领域的技术竞争力。江苏四氯化硅超高纯气体半导体制造
上海弥正气体有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在上海市等地区的电工电气中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志，和谐温馨的工作环境，富有营养的公司土壤滋养着我们不断开拓创新，勇于进取的无限潜力，上海弥正气体供应携手大家一起走向共同辉煌的未来，回首过去，我们不会因为取得了一点点成绩而沾沾自喜，相反的是面对竞争越来越激烈的市场氛围，我们更要明确自己的不足，做好迎接新挑战的准备，要不畏困难，激流勇进，以一个更崭新的精神面貌迎接大家，共同走向辉煌回来！
