其中,WoW只适用于相同尺寸的两个裸片,而SoIC可以堆叠多个不同尺寸的裸片。两种封装技术都针对移动和高性能计算系统,目前仍处在开发中,预计到2021年实现商用。这两种封装技术都属于前沿工艺,采用铜焊盘直接粘合芯片,互连间距从9微米开始,同时采用硅通孔(TSV)技术连接外部微凸点。到第三季度,台积电将提供宏指令作为TSV设计的起点,今年年底还将推出热模型。各厂商当前工艺节点现状。(来源:InternationalBusinessStrategies,Inc。)与此同时,台积电今年还扩展了其CoWoS工艺,以支持两倍于掩模版尺寸的器件。明年,还将扩展到支持三倍的掩模尺寸,并支持在硅基板中使用深沟槽电容器的五个金属层,以应对信号和电源完整性的挑战。台积电还报告了其为嵌入式存储器、图像传感器、MEMS和其他一些组件提供的七种不同工艺的进展,并且越来越多地将它们封装成与逻辑节点紧密相关的模块。在RF-SOI技术上,台积电将其200mm晶圆上的180nm功能转移至300mm晶圆上的40nm节点。在5G手机应用中,优化28/22nm工艺节点并应用于毫米波(mmWave)前端模块;同时将16FFC工艺用于毫米波和sub-6-GHz收发器。在微控制器方面,嵌入式MRAM已于去年开始在22nm工艺节点进行试产。SMT 贴片加工的首件检验严格执行,预防批量不良,把好质量头道关。松江区有优势的SMT贴片加工
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InternationalBusinessStrategies)总裁HandelJones就建议设计人员跳过台积电和三星的临时节点。他说,“在一些多选领域,客户应该专注于5nm和3nm,忽略其他一些选择诸如6nm和4nm”。Jones还提醒设计人员要等到晶圆厂在一个新节点上产能达到10万片时才采用它,以避免因早期漏洞而产生的开发和试用新IP模块的成本(如下所示)。迈向3纳米、**封装技术和特殊模块随着工艺节点的发展,预计成本不断上升。(来源:InternationalBusinessStrategies,Inc。)台积电的报告展示了其向3nm和2nm节点发展的道路,但没有提到他们需要新的晶体管。Mii表示,硫化物和硒化物2D材料具有良好的移动性,因为其沟道厚度低于1纳米,可以提供比7纳米栅长硅片更高的驱动电流。随着芯片尺寸的逐步缩小,台积电晶圆厂已开发出一种新的低k薄膜,可以很好的克服耗尽效应。另外,使用新的反应离子蚀刻工艺还实现了在30nm工艺节点制造常规金属线。在更多主流节点中,台积电表示其22ULL节点将支持电池供电芯片的。HDMI模块仍在开发中,USB、MIPI和LPDDR模块被用于升级其28nm工艺节点,目前仍处于试用期。在封装方面,台积电提供了其***封装技术系统级整合芯片(SoIC)和多晶圆堆叠封装(WoW)的更多细节。
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