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    N5的一些关键IP模块，如PAM4SerDes和HBM模块也仍在开发中。N6虽然缺乏N5在性能和功率上的提升，但与N7相比，体积缩小了18％(比N7+体积缩小8%），并且可以使用现有的N7设计规则和模块。但由于其用于M0路由的关键设计库仍在开发中，所以直到2020年一季度N6才会开始试产。台积电竞争对手三星4月底才宣布成功制造了定制6纳米工艺的芯片。台积电此时宣布更新其工艺路线图让有些分析师有点摸不着头脑。比如LinleyGroup的MikeDemler说，“我能想到的答案是他们希望客户不要着急地采用5nm，这样他们就可以提供更加节省成本的6nm。据推测，裸片缩小会抵消新掩模装置的成本。”台积电在N7+的“几个关键层”上采用了极紫外光刻技术（EUV）。N7+是台积电EUV技术工艺，将在2019年第三季度开始量产。N6使用一个附加的EUV层，而N5将增加更多层。设计师们应该看到，由于采用了EUV光刻技术，N7+工艺将节省大约10％的掩模，而N6和N5将节省更多。新的EUV光刻机支持稳定的280W光源，台积电希望年底能达到300W，到2020年更超过350W。光刻机正常运行时间也从去年的70％增加到现在的85％，明年应该会达到90％。EUV“已超出了我们的需求，”Mii说。并非每个人都被这些附加的工艺节点所吸引。IBS。合理规划 SMT 贴片加工车间布局，物料流转顺畅，生产效率飙升。闵行区优势的SMT贴片加工哪里找

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