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产品特点:耐溶剂型优良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能优良;经特殊乳化聚合技术处理,网版平滑、无白点、无沙眼、亮度高;剥膜性好,网版可再生使用;解像性、高架桥性好,易做精细网点和线条;感光度高,曝光时间短,曝光宽容度大,节省网版作业时间,提高工作效率 。
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应用范围:适用于塑料、皮革、标牌、印刷电路板(PCB)、广告宣传、玻璃、陶瓷、纺织品等产品的印刷。例如在塑料表面形成牢固图案,满足皮革制品精细印刷需求,制作各类标牌保证图案清晰,用于 PCB 制造满足高精度要求等。
光刻胶半导体领域的应用。黑龙江水油光刻胶工厂
国产替代进程加速
日本信越化学因地震导致KrF光刻胶产能受限后,国内企业加速验证本土产品。鼎龙股份潜江工厂的KrF/ArF产线2024年12月获两家大厂百万大单,二期300吨生产线在建。武汉太紫微的T150A光刻胶性能参数接近日本UV1610,已通过中芯国际14nm工艺验证。预计到2025年,国内KrF/ArF光刻胶国产化率将从不足5%提升至10%。
原材料国产化突破
光刻胶树脂占成本50%-60%,八亿时空的光刻胶树脂产线预计2025年实现百吨级量产,其产品纯度达到99.999%,金属杂质含量低于1ppb。怡达股份作为全球电子级PM溶剂前段(市占率超40%),与南大光电合作开发配套溶剂,打破了日本关东化学的垄断。这些进展使光刻胶生产成本降低约20%。
供应链风险缓解
合肥海关通过“空中专线”保障光刻胶运输,将进口周期从28天缩短至17天,碳排放减少18%。国内在建12座光刻胶工厂(占全球总数58%),预计2025年产能达3000吨/年,较2023年增长150%。
大连UV纳米光刻胶生产厂家正性光刻胶生产原料。
关键应用领域
半导体制造:
◦ 在晶圆表面涂覆光刻胶,通过掩膜曝光、显影,刻蚀出晶体管、电路等纳米级结构(如EUV光刻胶用于7nm以下制程)。
印刷电路板(PCB):
◦ 保护电路图形或作为蚀刻抗蚀层,制作线路和焊盘。
显示面板(LCD/OLED):
◦ 用于制备彩色滤光片、电极图案等。
微机电系统(MEMS):
◦ 加工微结构(如传感器、执行器)。
工作原理(以正性胶为例)
1. 涂胶:在基材(如硅片)表面均匀旋涂光刻胶,烘干形成薄膜。
2. 曝光:通过掩膜版,用特定波长光线照射,曝光区域的光敏剂分解,使树脂变得易溶于显影液。
3. 显影:用显影液溶解曝光区域,留下未曝光的光刻胶图案,作为后续刻蚀或离子注入的掩蔽层。
4. 后续工艺:刻蚀基材(保留未被光刻胶保护的区域),或去除光刻胶(剥离工艺)。
公司遵循国际质量管理标准,通过 ISO9001:2008 认证,并在生产过程中执行 8S 现场管理,从原料入库到成品出库实现全流程监控。以锡膏产品为例,其无卤无铅配方符合环保要求,同时具备低飞溅、高润湿性等特点,适用于电子产品组装。此外,公司建立了行业标准化实验室,配备先进检测设备,确保产品性能达到国际同类水平。
凭借多年研发积累,公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面,不仅提供常规锡膏、助焊膏,还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品,满足精密电子组装的多样化需求。同时,感光胶系列产品分为水性与油性两类,兼具耐潮性与易操作性,广泛应用于印刷电路板制造。
显影环节使用碱性溶液(如TMAH)溶解曝光后的光刻胶,形成目标图形。
上游原材料:
◦ 树脂:彤程新材、鼎龙股份实现KrF/ArF光刻胶树脂自主合成,金属杂质含量<5ppb(国际标准<10ppb)。
◦ 光引发剂:久日新材攻克EUV光刻胶原料光致产酸剂,累计形成吨级订单;威迈芯材合肥基地建成100吨/年ArF/KrF光刻胶主材料产线。
◦ 溶剂:怡达股份电子级PM溶剂全球市占率超40%,与南大光电合作开发配套溶剂,技术指标达SEMI G5标准。
设备与验证:
◦ 上海新阳与上海微电子联合开发光刻机适配参数,验证周期较国际厂商缩短6个月;徐州博康实现“单体-树脂-成品胶”全链条国产化,适配ASML Twinscan NXT系列光刻机。
◦ 国内企业通过18-24个月的晶圆厂验证周期(如中芯国际、长江存储),一旦导入不易被替代。
多层光刻胶技术通过堆叠不同性质的胶层,可提升图形结构的深宽比。济南油性光刻胶多少钱
光刻胶在光学元件(如衍射光栅)和生物芯片中也有广泛应用。黑龙江水油光刻胶工厂
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。
LCD 正性光刻胶 YK - 200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力的特点,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,能确保 LCD 生产过程中图形的精确转移和良好的涂布效果。
半导体正性光刻胶 YK - 300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蚀的特性,适用于在有腐蚀风险的光刻工艺中,比如一些特殊环境下的半导体加工或电路板制造。
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