吉田半导体 YK-300 正性光刻胶:半导体芯片制造的材料
YK-300 正性光刻胶以高分辨率与耐蚀刻性,成为 45nm 及以上制程的理想选择。
YK-300 正性光刻胶分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于半导体芯片前道工艺。其耐溶剂性与绝缘阻抗性能突出,在显影与蚀刻过程中保持图形稳定性。产品已通过中芯国际量产验证,良率达 98% 以上,生产过程执行 ISO9001 标准,帮助客户降低封装成本 20% 以上。支持小批量试产与定制化需求,为国产芯片制造提供稳定材料支撑。
政策支持:500亿加码产业链。珠海激光光刻胶
光刻胶(如液晶平板显示器光刻胶)
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液晶平板显示器制造:在液晶平板显示器(LCD)的生产过程中,光刻胶用于制作液晶盒内的各种精细图案,包括像素电极、公共电极、取向层图案等。这些图案的精度和质量直接影响液晶显示器的显示效果,如分辨率、对比度、视角等。
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有机发光二极管显示器(OLED)制造:OLED 显示器的制造同样需要光刻胶来制作电极、像素定义层等关键结构。OLED 显示器具有自发光、响应速度快等优点,而光刻胶能保障其精细的像素结构制作,提升显示器的发光效率和显示质量 。
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主要优势:细分领域技术突破与产业链协同
技术积累与自主化能力
公司拥有23年光刻胶研发经验,实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如,其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系,分辨率达3μm,适用于MEMS传感器、光学器件等领域,填补了国内空白。
技术壁垒:掌握光刻胶主要原材料(如树脂、光酸)的合成技术,部分原材料纯度达PPT级,金属离子含量低于0.1ppb,良率超99%。
产品多元化与技术化布局
产品线覆盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等,形成“光刻胶+配套材料”的完整体系。例如:
◦ LCD光刻胶:适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术,与京东方、TCL华星合作开发高分辨率产品,良率提升至98%。
◦ 半导体锡膏:供应华为、OPPO等企业,年采购量超200吨,用于5G手机主板封装。
技术化延伸:计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发,目标进入中芯国际、长江存储供应链。
质量控制与生产能力
通过ISO9001:2008质量体系认证,生产环境执行8S管理,原材料采用美、德、日进口高质量材料。拥有全自动化生产线,年产能达2000吨(光刻胶及配套材料),支持大规模订单交付。
关键应用领域
半导体制造:
◦ 在晶圆表面涂覆光刻胶,通过掩膜曝光、显影,刻蚀出晶体管、电路等纳米级结构(如EUV光刻胶用于7nm以下制程)。
印刷电路板(PCB):
◦ 保护电路图形或作为蚀刻抗蚀层,制作线路和焊盘。
显示面板(LCD/OLED):
◦ 用于制备彩色滤光片、电极图案等。
微机电系统(MEMS):
◦ 加工微结构(如传感器、执行器)。
工作原理(以正性胶为例)
1. 涂胶:在基材(如硅片)表面均匀旋涂光刻胶,烘干形成薄膜。
2. 曝光:通过掩膜版,用特定波长光线照射,曝光区域的光敏剂分解,使树脂变得易溶于显影液。
3. 显影:用显影液溶解曝光区域,留下未曝光的光刻胶图案,作为后续刻蚀或离子注入的掩蔽层。
4. 后续工艺:刻蚀基材(保留未被光刻胶保护的区域),或去除光刻胶(剥离工艺)。
光刻胶新兴及扩展应用。
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。
UV 纳米压印光刻胶:JT-2000 型号,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g。适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如半导体器件制造。
其他光刻胶
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水油光刻胶 JT-2001:属于水油两用光刻胶,具有工厂研发、可定制、使用、品质保障、性能稳定的特点,重量 1L。
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水油光刻胶 SR-3308:同样为水油两用光刻胶,重量 5L,具备上述通用优势,应用场景。
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技术突破与产业重构的临界点
光刻胶技术的加速突破正在推动芯片制造行业进入“材料定义制程”的新阶段。中国在政策支持和资本推动下,已在KrF/ArF领域实现局部突破,但EUV等领域仍需5-10年才能实现替代。未来3-5年,EUV光刻胶研发、原材料国产化及客户认证进度将成为影响产业格局的主要变量。国际竞争将从单纯的技术比拼转向“专利布局+供应链韧性+生态协同”的综合较量,而中国能否在这场变革中占据先机,取决于对“卡脖子”环节的持续攻关和产业链的深度整合。
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