作为中国半导体材料领域的企业,吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略,通过 23 年技术沉淀与持续创新,成功突破多项 “卡脖子” 技术,构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域,为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作,在光刻胶领域实现多项技术突破:
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YK-300 正性光刻胶:分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于 45nm 及以上制程,良率达 98% 以上,成本较进口产品降低 40%,已通过中芯国际量产验证。
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SU-3 负性光刻胶:支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,成功应用于高通 5G 基带芯片封装,良率提升至 98.5%。
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JT-2000 纳米压印光刻胶:突破 250℃耐高温极限,图形保真度 > 95%,性能对标德国 MicroResist 系列,已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
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吉田半导体 SU-3 负性光刻胶:国产技术赋能 5G 芯片封装
自主研发 SU-3 负性光刻胶支持 3 微米厚膜加工,成为 5G 芯片高密度封装材料。
针对 5G 芯片封装需求,吉田半导体自主研发 SU-3 负性光刻胶,分辨率达 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min。其超高感光度与耐化学性确保复杂图形的完整性,已应用于高通 5G 基带芯片量产。产品采用国产原材料与工艺,不采用国外材料,成本较进口产品降低 40%,帮助客户提升封装良率至 98.5%,为国产 5G 芯片制造提供关键材料支撑。
广西PCB光刻胶报价负性光刻胶的工艺和应用场景。
光刻胶(Photoresist)是一种对光敏感的高分子材料,主要用于光刻工艺中,通过光化学反应实现图案的转移,是半导体、集成电路(IC)、印刷电路板(PCB)、液晶显示(LCD)等制造领域的材料之一。
光刻胶特性与组成
• 光敏性:在特定波长(如紫外光、极紫外光EUV等)照射下,会发生化学结构变化(如交联或分解),从而改变在显影液中的溶解性。
• 主要成分:
◦ 树脂(成膜剂):形成基础膜层,决定光刻胶的机械和化学性能。
◦ 光敏剂:吸收光能并引发化学反应(如光分解、光交联)。
◦ 溶剂:调节粘度,便于涂覆成膜。
◦ 添加剂:改善性能(如感光度、分辨率、对比度等)。
公司遵循国际质量管理标准,通过 ISO9001:2008 认证,并在生产过程中执行 8S 现场管理,从原料入库到成品出库实现全流程监控。以锡膏产品为例,其无卤无铅配方符合环保要求,同时具备低飞溅、高润湿性等特点,适用于电子产品组装。此外,公司建立了行业标准化实验室,配备先进检测设备,确保产品性能达到国际同类水平。
凭借多年研发积累,公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面,不仅提供常规锡膏、助焊膏,还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品,满足精密电子组装的多样化需求。同时,感光胶系列产品分为水性与油性两类,兼具耐潮性与易操作性,广泛应用于印刷电路板制造。
吉田质量管控与认证壁垒。
正性光刻胶
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半导体分立器件制造:对于二极管、三极管等半导体分立器件,正性光刻胶可实现精细的图形化加工,满足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件时,正性光刻胶凭借其高分辨率和良好对比度,能精确刻画器件的结构,提高器件性能。
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微机电系统(MEMS)制造:MEMS 器件如加速度计、陀螺仪等,结构复杂且尺寸微小。正性光刻胶用于 MEMS 制造过程中的光刻步骤,可在硅片等材料上制作出高精度的微结构,确保 MEMS 器件的功能实现。
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应用场景
半导体集成电路(IC)制造:
◦ 逻辑芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV胶用于晶体管、互连布线的精细图案化(如10nm节点线宽只有100nm)。
◦ 存储芯片(DRAM/NAND):3D堆叠结构中,正性胶用于层间接触孔(Contact)和栅极(Gate)的高深宽比图形(深宽比>10:1)。
平板显示(LCD/OLED):
◦ 彩色滤光片(CF):制作黑矩阵(BM)和彩色层(R/G/B),要求高透光率和边缘锐利度(线宽5-10μm)。
◦ OLED电极:在柔性基板上形成微米级透明电极,需低应力胶膜防止基板弯曲变形。
印刷电路板(PCB):
◦ 高密度互连(HDI):用于细线路(线宽/线距≤50μm),如智能手机主板,相比负性胶,正性胶可实现更精细的线路边缘。
微纳加工与科研:
◦ MEMS传感器:制作微米级悬臂梁、齿轮等结构,需耐干法蚀刻的正性胶(如含硅树脂胶)。
◦ 纳米光刻:电子束光刻胶(正性为主)用于研发级纳米图案(分辨率<10nm)。
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