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光刻胶基本参数
  • 品牌
  • 吉田半导体
  • 型号
  • 型号齐全
光刻胶企业商机

吉田半导体 SU-3 负性光刻胶:国产技术赋能 5G 芯片封装

自主研发 SU-3 负性光刻胶支持 3 微米厚膜加工,成为 5G 芯片高密度封装材料。
针对 5G 芯片封装需求,吉田半导体自主研发 SU-3 负性光刻胶,分辨率达 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min。其超高感光度与耐化学性确保复杂图形的完整性,已应用于高通 5G 基带芯片量产。产品采用国产原材料与工艺,不采用国外材料,成本较进口产品降低 40%,帮助客户提升封装良率至 98.5%,为国产 5G 芯片制造提供关键材料支撑。
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吉田半导体水性感光胶 JT-1200:水油兼容,钢片加工精度 ±5μm

JT-1200 水性感光胶解决钢片加工难题,提升汽车电子部件制造精度。
针对汽车电子钢片加工需求,吉田半导体研发的 JT-1200 水性感光胶实现水油兼容性达 100%,加工精度 ±5μm。其高粘接强度与耐强酸强碱特性,确保复杂结构的长期可靠性。其涂布性能优良,易做精细网点,适用于安全气囊传感器、车载摄像头模组等精密部件。产品通过 IATF 16949 汽车行业认证,生产过程严格控制金属离子含量,确保电子产品可靠性。
厦门低温光刻胶生产厂家吉田半导体实现光刻胶技术突破,为半导体产业链自主化提供材料支撑。

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 光伏电池(半导体级延伸)

• HJT/TOPCon电池:在硅片表面图形化金属电极,使用高灵敏度光刻胶(曝光能量≤50mJ/cm²),线宽≤20μm,降低遮光损失。

• 钙钛矿电池:用于电极图案化和层间隔离,需耐有机溶剂(适应溶液涂布工艺)。

 纳米压印技术(下一代光刻)

• 纳米压印光刻胶:通过模具压印实现10nm级分辨率,用于3D NAND存储孔阵列(直径≤20nm)、量子点显示阵列等。

 微流控与生物医疗

• 微流控芯片:制造微米级流道(宽度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS基材适配)。

• 生物检测芯片:通过光刻胶图案化抗体/抗原固定位点,精度≤5μm。

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。

厚板光刻胶:JT-3001 型号,具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺,如特定电路板制造。

负性光刻胶

  • SU-3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。


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  • LCD 正性光刻胶 YK-200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,确保 LCD 生产中图形精确转移和良好涂布效果。
  • 半导体正性光刻胶 YK-300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
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广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。

LCD 正性光刻胶 YK - 200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力的特点,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,能确保 LCD 生产过程中图形的精确转移和良好的涂布效果。

半导体正性光刻胶 YK - 300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。

耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蚀的特性,适用于在有腐蚀风险的光刻工艺中,比如一些特殊环境下的半导体加工或电路板制造。 深圳光刻胶厂家哪家好?重庆紫外光刻胶国产厂家

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吉田半导体助力区域经济,构建半导体材料生态圈,发挥企业作用,吉田半导体联合上下游资源,推动东莞松山湖半导体产业协同创新。
作为松山湖产业集群重要成员,吉田半导体联合光刻机制造商、光电子企业共建材料生态圈。公司通过技术输出与资源共享,帮助本地企业提升工艺水平,促进产业链协同创新。例如,与华中科技大学合作研发的 T150A KrF 光刻胶,极限分辨率 120nm,工艺宽容度优于日本信越同类产品,已实现量产并出口东南亚,为区域经济发展注入新动能。沈阳网版光刻胶价格

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