深圳UV纳米光刻胶

光刻胶作为半导体、显示面板等高级制造的材料，其技术挑战主要集中在材料性能优化、制程精度匹配、复杂环境适应性以及产业自主化突破等方面

光刻胶国产替代的主要难点有哪些？深圳UV纳米光刻胶

吉田半导体水性感光胶 JT-1200：水油兼容，钢片加工精度 ±5μm

厚板光刻胶

• 电路板制造：在制作对线路精度和抗蚀刻性能要求高的电路板时，厚板光刻胶可确保线路的精细度和稳定性，比如汽车电子、工业控制等领域的电路板，能承受复杂环境和大电流、高电压等工况。
• 功率器件制造：像绝缘栅双极晶体管（IGBT）这类功率器件，需要承受高电压和大电流，厚板光刻胶可用于其芯片制造过程中的光刻环节，保障芯片内部电路的精细布局，提高器件的性能和可靠性。

负性光刻胶

• 半导体制造：在芯片制造过程中，用于制作一些对精度要求高、图形面积较大的结构，如芯片的金属互连层、接触孔等。通过负性光刻胶的曝光和显影工艺，能实现精确的图形转移，确保芯片各部分之间的电气连接正常。
• 平板显示制造：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管显示器（OLED）的制造中，用于制作电极、像素等大面积图案。以 LCD 为例，负性光刻胶可帮助形成液晶层与玻璃基板之间的电极图案，控制液晶分子的排列，从而实现图像显示。

• YK-300 正性光刻胶：分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于 45nm 及以上制程，良率达 98% 以上，成本较进口产品降低 40%，已通过中芯国际量产验证。
• SU-3 负性光刻胶：支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，成功应用于高通 5G 基带芯片封装，良率提升至 98.5%。
• JT-2000 纳米压印光刻胶：突破 250℃耐高温极限，图形保真度 > 95%，性能对标德国 MicroResist 系列，已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。

◦ 市场布局：产品远销全球，与世界500强企业及多家电子加工企业建立长期合作关系，覆盖集成电路、显示面板、先进封装等领域。

吉田半导体光刻胶，45nm 制程验证，国产替代方案！常州UV纳米光刻胶生产厂家

吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造光刻胶。深圳UV纳米光刻胶