广东吉田半导体材料有限公司以全球化视野布局市场,通过严格的质量管控与完善的服务体系赢得客户信赖。公司产品不仅通过 ISO9001 认证,更以进口原材料和精细化生产流程保障品质,例如锡膏产品采用无卤无铅配方,符合环保要求,适用于电子产品制造。其销售网络覆盖全球,与富士康、联想等企业保持长期合作,并在全国重点区域设立办事处,提供本地化技术支持与售后服务。
作为广东省创新型中小企业,吉田半导体始终将技术研发视为核心竞争力。公司投入大量资源开发新型光刻胶及焊接材料,例如 BGA 助焊膏和针筒锡膏,满足精密电子组装的需求。同时,依托东莞 “世界工厂” 的产业集群优势,公司强化供应链协同,缩短交付周期,为客户提供高效解决方案。未来,吉田半导体将持续深化技术创新与全球合作,助力中国半导体产业迈向更高台阶。
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作为深耕半导体材料领域二十余年的综合性企业,广东吉田半导体材料有限公司始终将技术创新与产品质量视为重要发展动力。公司位于东莞松山湖产业集群,依托区域产业链优势,持续为全球客户提供多元化的半导体材料解决方案。
公司产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等,原材料均严格选用美国、德国、日本等国的质量进口材料。通过全自动化生产设备与精细化工艺控制,确保每批次产品的稳定性与一致性。例如,纳米压印光刻胶采用特殊配方,可耐受 250℃高温及复杂化学环境,适用于高精度纳米结构制造;LCD 光刻胶以高分辨率和稳定性,成为显示面板行业的推荐材料。
四川纳米压印光刻胶报价光刻胶的显示面板领域。
正性光刻胶
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半导体分立器件制造:对于二极管、三极管等半导体分立器件,正性光刻胶可实现精细的图形化加工,满足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件时,正性光刻胶凭借其高分辨率和良好对比度,能精确刻画器件的结构,提高器件性能。
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微机电系统(MEMS)制造:MEMS 器件如加速度计、陀螺仪等,结构复杂且尺寸微小。正性光刻胶用于 MEMS 制造过程中的光刻步骤,可在硅片等材料上制作出高精度的微结构,确保 MEMS 器件的功能实现。
光刻胶的工作原理:
1. 涂覆与曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均匀涂覆光刻胶,通过掩膜(或直接电子束扫描)对特定区域曝光。
2. 化学变化:曝光区域的光刻胶发生光化学反应(正性胶曝光后溶解,负性胶曝光后交联不溶)。
3. 显影与刻蚀:溶解未反应的部分,留下图案化的胶层,作为后续刻蚀或沉积的掩模,将图案转移到基底上。
在纳米技术中,关键挑战是突破光的衍射极限(λ/2),因此需依赖高能束曝光技术(如电子束光刻、极紫外EUV光刻)和高性能光刻胶(高分辨率、低缺陷)。
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吉田半导体厚板光刻胶 JT-3001:国产技术助力 PCB 行业升级
JT-3001 厚板光刻胶支持 500nm/min 深蚀刻,成为国产 PCB 电路板制造推荐材料。
吉田半导体自主研发的 JT-3001 厚板光刻胶,分辨率 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,适用于高密度 PCB 制造。其无卤无铅配方通过欧盟 RoHS 认证,已应用于华为 5G 基站主板量产。产品采用国产原材料与全自动化工艺,批次稳定性达 99.5%,帮助客户提升生产效率 20%,加速国产 PCB 行业技术升级,推动 PCB 行业国产化进程。
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负性光刻胶的工艺和应用场景。上海进口光刻胶国产厂家
晶圆制造(前道工艺)
• 功能:在硅片表面形成高精度电路图形,是光刻工艺的主要材料。
• 细分场景:
◦ 逻辑/存储芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻胶(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先进制程的ArF浸没式光刻胶(分辨率≤45nm),以及极紫外(EUV)光刻胶(目标7nm以下,研发中)。
◦ 功率半导体(如IGBT):使用厚膜光刻胶(膜厚5-50μm),满足深沟槽刻蚀需求。
◦ MEMS传感器:通过高深宽比光刻胶(如SU-8)实现微米级结构(如加速度计、陀螺仪的悬臂梁)。
芯片封装(后道工艺)
• 先进封装技术:
◦ Flip Chip(倒装芯片):用光刻胶形成凸点(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),线宽精度要求≤10μm。
◦ 2.5D/3D封装:在硅通孔(TSV)工艺中,光刻胶用于定义通孔开口(直径5-50μm)。
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