企业商机
光刻胶基本参数
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  • 吉田半导体
  • 型号
  • 型号齐全
光刻胶企业商机

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。

厚板光刻胶:JT-3001 型号,具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺,如特定电路板制造。

负性光刻胶

  • SU-3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。


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  • LCD 正性光刻胶 YK-200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,确保 LCD 生产中图形精确转移和良好涂布效果。
  • 半导体正性光刻胶 YK-300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
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工艺流程

• 目的:去除基板表面油污、颗粒,增强感光胶附着力。

• 方法:

◦ 化学清洗(硫酸/双氧水、去离子水);

◦ 表面处理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化处理)。

 涂布(Coating)

• 方式:

◦ 旋涂:半导体/显示领域,厚度控制精确(纳米至微米级),转速500-5000rpm;

◦ 喷涂/辊涂:PCB/MEMS领域,适合大面积或厚胶(微米至百微米级,如负性胶可达100μm)。

• 关键参数:胶液黏度、涂布速度、基板温度(影响厚度均匀性)。

 前烘(Soft Bake)

• 目的:挥发溶剂,固化胶膜,增强附着力和稳定性。

• 条件:

◦ 温度:60-120℃(正性胶通常更低,如90℃;负性胶可至100℃以上);

◦ 时间:5-30分钟(根据胶厚调整,厚胶需更长时间)。

 曝光(Exposure)

• 光源:

◦ 紫外光(UV):G线(436nm)、I线(365nm)用于传统光刻(分辨率≥1μm);

◦ 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半导体先进制程(分辨率至20nm);

◦ 极紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性胶适用)。

• 曝光方式:

◦ 接触式/接近式:掩膜版与胶膜直接接触(PCB、MEMS,低成本但精度低);

◦ 投影式:通过物镜聚焦(半导体,分辨率高,如ArF光刻机精度达22nm)。

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广东吉田半导体材料有限公司的产品体系丰富且功能强大。

在光刻胶领域,芯片光刻胶为芯片制造中的精细光刻环节提供关键支持,确保芯片线路的精细刻画;

纳米压印光刻胶适用于微纳加工,助力制造超精细的微纳结构;

LCD 光刻胶则满足液晶显示面板生产过程中的光刻需求,保障面板成像质量。

在电子焊接方面,半导体锡膏与焊片性能,能实现可靠的电气连接,广泛应用于各类电子设备组装。

靶材产品在材料溅射沉积工艺中发挥关键作用,通过精细控制材料沉积,为半导体器件制造提供高质量的薄膜材料。凭借出色品质,远销全球,深受众多世界 500 强企业和电子加工企业青睐 。

技术验证周期长
半导体光刻胶的客户验证周期通常为2-3年,需经历PRS(性能测试)、STR(小试)、MSTR(批量验证)等阶段。南大光电的ArF光刻胶自2021年启动验证,预计2025年才能进入稳定供货阶段。

 原材料依赖仍存
树脂和光酸仍依赖进口,如KrF光刻胶树脂的单体国产化率不足10%。国内企业需在“吸附—重结晶—过滤—干燥”耦合工艺等关键技术上持续突破。

 未来技术路线

◦ 金属氧化物基光刻胶:氧化锌、氧化锡等材料在EUV光刻中展现出更高分辨率和稳定性,清华大学团队已实现5nm线宽的原型验证。

◦ 电子束光刻胶:中科院微电子所开发的聚酰亚胺基电子束光刻胶,分辨率达1nm,适用于量子芯片制造。

◦ AI驱动材料设计:华为与中科院合作,利用机器学习优化光刻胶配方,研发周期缩短50%。

吉田半导体全流程解决方案,赋能客户提升生产效率。

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关键工艺流程

 涂布:

◦ 在晶圆/基板表面旋涂光刻胶,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度调整),需均匀无气泡(旋涂转速500-5000rpm)。

 前烘(Soft Bake):

◦ 加热(80-120℃)去除溶剂,固化胶膜,增强附着力(避免显影时边缘剥离)。

 曝光:

◦ 光源匹配:

◦ G/I线胶:汞灯(适用于≥1μm线宽,如PCB、LCD)。

◦ DUV胶(248nm/193nm):KrF/ArF准分子激光(用于28nm-14nm制程,如存储芯片)。

◦ EUV胶(13.5nm):极紫外光源(用于7nm以下制程,需控制纳米级缺陷)。

◦ 曝光能量:需精确控制(如ArF胶约50mJ/cm²),避免过曝或欠曝导致图案失真。

 显影:

◦ 采用碱性溶液(如0.262N四甲基氢氧化铵,TMAH),曝光区域胶膜溶解,未曝光区域保留,形成三维立体图案。

 后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

◦ 化学增幅型胶需此步骤,通过加热(90-130℃)激发光酸催化反应,提高分辨率和耐蚀刻性。
半导体芯片制造,用于精细电路图案光刻,决定芯片性能与集成度。广东阻焊油墨光刻胶感光胶

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主要原材料“卡脖子”:从树脂到光酸的依赖

 树脂与光酸的技术断层
光刻胶成本中50%-60%来自树脂,而国内KrF/ArF光刻胶树脂的单体国产化率不足10%。例如,日本信越化学的KrF树脂纯度达99.999%,金属杂质含量低于1ppb,而国内企业的同类产品仍存在批次稳定性问题。光酸作为光刻胶的“心脏”,其合成需要超纯试剂和复杂纯化工艺,国内企业在纯度控制(如金属离子含量)上与日本关东化学等国际巨头存在代差。

 原材料供应链的脆弱性
光刻胶所需的酚醛树脂、环烯烃共聚物(COC)等关键原料几乎全部依赖进口。日本信越化学因地震导致KrF光刻胶产能受限后,国内部分晶圆厂采购量从100kg/期骤降至10-20kg/期。更严峻的是,光敏剂原料焦性没食子酸虽由中国提取,但需出口至日本加工成光刻胶光敏剂后再高价返销,形成“原料出口-技术溢价-高价进口”的恶性循环。
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广东吉田半导体材料有限公司是一家有着先进的发展理念,先进的管理经验,在发展过程中不断完善自己,要求自己,不断创新,时刻准备着迎接更多挑战的活力公司,在广东省等地区的电工电气中汇聚了大量的人脉以及**,在业界也收获了很多良好的评价,这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果,这些评价对我们而言是比较好的前进动力,也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神,努力把公司发展战略推向一个新高度,在全体员工共同努力之下,全力拼搏将共同吉田半导体供应和您一起携手走向更好的未来,创造更有价值的产品,我们将以更好的状态,更认真的态度,更饱满的精力去创造,去拼搏,去努力,让我们一起更好更快的成长!

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