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吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000：国产技术突破耐高温极限自主研发 JT-2000 纳米压印光刻胶耐...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

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吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000：国产技术突破耐高温极限

自主研发 JT-2000 纳米压印光刻胶耐受 250℃高温，为国产纳米器件制造提供关键材料。吉田半导体 JT-2000 纳米压印光刻胶采用国产交联树脂，在 250℃高温下仍保持图形保真度 > 95%。产品采用国产原材料与全自动化工艺，其高粘接强度与耐强酸强碱特性，适用于光学元件、传感器等精密器件。产品已通过国内科研机构验证，应用于国产 EUV 光刻机前道工艺，帮助客户实现纳米结构加工自主化。

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定义与特性

正性光刻胶是一种在曝光后，曝光区域会溶解于显影液的光敏材料，形成与掩膜版（Mask）图案一致的图形。与负性光刻胶（未曝光区域溶解）相比，其优势是分辨率高、图案边缘清晰，是半导体制造（尤其是制程）的主流选择。

化学组成与工作原理

主要成分

• 树脂（成膜剂）：

◦ 传统正性胶：采用**酚醛树脂（Novolak）与重氮萘醌（DNQ，光敏剂）**的复合体系（PAC体系），占比约80%-90%。

◦ 化学增幅型（用于DUV/EUV）：含环化烯烃树脂或含氟聚合物，搭配光酸发生器（PAG），通过酸催化反应提高感光度和分辨率。

• 溶剂：溶解树脂和感光剂，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。

• 添加剂：表面活性剂（改善涂布均匀性）、稳定剂（防止暗反应）、碱溶解度调节剂等。

工作原理

• 曝光前：光敏剂（如DNQ）与树脂结合，形成不溶于碱性显影液的复合物。

• 曝光时：

◦ 传统PAC体系：DNQ在紫外光（G线436nm、I线365nm）照射下发生光分解，生成羧酸，使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。

◦ 化学增幅型：PAG在DUV/EUV光下产生活性酸，催化树脂发生脱保护反应，大幅提高显影速率（灵敏度提升10倍以上）。

• 显影后：曝光区域溶解去除，未曝光区域保留，形成正性图案。

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广东吉田半导体材料有限公司成立于松山湖经济技术开发区，是一家专注于半导体材料研发、生产与销售的技术企业。公司注册资本 2000 万元，拥有 23 年行业经验，产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等，服务全球市场并与多家世界 500 强企业建立长期合作关系。

作为国家技术企业，吉田半导体以科技创新为驱动力，拥有多项技术，并通过 ISO9001:2008 质量体系认证。生产过程严格遵循 8S 现场管理标准，原材料均采用美、德、日等国进口的材料，确保产品质量稳定可靠。公司配备全自动化生产设备，具备行业大型的规模化生产能力，致力于成为 “半导体材料方案提供商”。

其明星产品包括：适用于 LCD 制造的正性光刻胶 YK-200/YK-300，具备高分辨率与优异涂布性能；3 微米负性光刻胶 SU-3，适用于厚膜工艺；耐高温达 250℃的纳米压印光刻胶 JT-2000，可满足高精度微纳加工需求。所有产品均符合要求，部分型号通过欧盟 ROHS 认证。

客户认证：从实验室到产线的漫长“闯关”

验证周期与试错成本

半导体光刻胶需经历PRS（性能测试）、STR（小试）、MSTR（中批量验证）等阶段，周期长达2-3年。南大光电的ArF光刻胶自2021年启动验证，直至2025年才通过客户50nm闪存平台认证。试错成本极高，单次晶圆测试费用超百万元，且客户为维持产线稳定，通常不愿更换供应商。

设备与工艺的协同难题

光刻胶需与光刻机、涂胶显影机等设备高度匹配。国内企业因缺乏ASML EUV光刻机测试资源，只能依赖二手设备或与晶圆厂合作验证，导致研发效率低下。例如，华中科技大学团队开发的EUV光刻胶因无法接入ASML原型机测试，性能参数难以对标国际。

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光刻胶的纳米级性能要求

超高分辨率：需承受电子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波长）的轰击，避免散射导致的边缘模糊，目前商用EUV胶分辨率已达13nm（3nm制程）。

低缺陷率：纳米级结构对胶层中的颗粒或化学不均性极其敏感，需通过化学增幅型配方（如酸催化交联）提升对比度和抗刻蚀性。

多功能性：兼容多种基底（柔性聚合物、陶瓷）和后处理工艺（干法刻蚀、原子层沉积），例如用于柔性电子的可拉伸光刻胶。

技术挑战与前沿方向

• EUV光刻胶优化：解决曝光后酸扩散导致的线宽波动，开发含氟聚合物或金属有机材料以提高灵敏度。

• 无掩膜光刻：结合机器学习优化电子束扫描路径，直接写入复杂纳米图案（如神经网络芯片的突触阵列），缩短制备周期。

• 生物基光刻胶：开发可降解、低毒性的天然高分子光刻胶，用于生物芯片或环保型纳米制造。

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广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，各有特性与优势，适用于不同领域。

厚板光刻胶 JT - 3001：具有优异的分辨率和感光度，抗深蚀刻性能良好。符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年，适用于对光刻精度和抗蚀刻要求较高的厚板加工场景，如一些特殊的电路板制造。

SU - 3 负性光刻胶：分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应。重量为 100g，常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。

液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000：有 1L 和 100g 两种规格，具有优异的分辨率，准确性和稳定性好。主要应用于液晶平板显示器的制造，能满足其对光刻胶高精度和稳定性的需求。

JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶：耐强酸强碱，耐高温达 250°C，长期可靠性高，粘接强度高。重量 100g，适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺，如一些半导体器件的制造。武汉网版光刻胶报价

广东吉田半导体材料有限公司汇集了大量的优秀人才，集企业奇思，创经济奇迹，一群有梦想有朝气的团队不断在前进的道路上开创新天地，绘画新蓝图，在广东省等地区的电工电气中始终保持良好的信誉，信奉着“争取每一个客户不容易，失去每一个用户很简单”的理念，市场是企业的方向，质量是企业的生命，在公司有效方针的领导下，全体上下，团结一致，共同进退，**协力把各方面工作做得更好，努力开创工作的新局面，公司的新高度，未来吉田半导体供应和您一起奔向更美好的未来，即使现在有一点小小的成绩，也不足以骄傲，过去的种种都已成为昨日我们只有总结经验，才能继续上路，让我们一起点燃新的希望，放飞新的梦想！

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