二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。 二极管就选深圳和润天下电子科技有限公司-专业定制二极管。SPI80N08S2-07R
二极管的基本原理：二极管是一种基本的电子元件，其重要特性是单向导电性。它由半导体材料制成，通常是硅或锗，内部有一个PN结。当正向偏置时，即P区接正极、N区接负极，二极管导通，电流可以顺畅通过；而反向偏置时，二极管截止，几乎不导电。这种特性使得二极管在整流、检波、稳压等电路中发挥着重要作用。二极管的历史发展：二极管的发明是电子学发展史上的重要里程碑。早期的二极管采用矿石晶体或金属触点，性能不稳定。随着半导体材料的发现和研究，硅和锗等半导体二极管逐渐取代了早期产品。现代二极管制造工艺先进，体积小、性能稳定，已成为电子设备中不可或缺的元件。IPB011N04LG 其他被动元件二极管就选华芯源电子-专业定制二极管。
二极管，这个看似微小的电子元件，却在电子世界中扮演着不可或缺的角色。它是半导体器件中的一种，具有单向导电性，即电流只能从其一端流向另一端，而不能反向流动。这种特性使得二极管在电路中起到了整流、开关、放大等多种作用。在整流电路中，二极管可以将交流电转换为直流电，为电子设备提供稳定的电源；在开关电路中，它可以通过控制电流的通断来实现电路的逻辑功能；而在放大电路中，二极管则能够放大微弱的信号，使得信息得以远距离传输。
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开[2]。二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。二极管是*早诞生的半导体器件之一，其应用非常**。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。 什么二极管适合小电压大电流整流。
二极管常见种类：一、TVS二极管：TVS二极管全称瞬态电压抑制二极管，TVS是一种保护器件，常用在连接器接口，测试点，开关电源等地方，与被保护负载并联使用。二、稳压二极管：利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。三、肖特基二极管：肖特基简称SBD，有正向压降低和反向恢复时间小的特点，常用来作大电流整流。四、快回复二极管：简称FRD，与肖特基类似，但是功耗更大。五、发光二极管：简称LED，LED由含镓、砷、磷、氮等的化合物制成，主要作用可以发光。六、变容二极管：是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的二极管。稳压二极管的测量方法？BYT28-300
高频整流二极管有哪些型号？SPI80N08S2-07R
二极管PN结形成原理：P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。[6]因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。 SPI80N08S2-07R
