二极管导通时相当于开关闭合(电路接通),截止时相当于开关打开(电路切断),所以二极管可作开关用,常用型号为1N4148。由于半导体二极管具有单向导电的特性,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电阻很小,约为几十至几百欧;在反向偏压下,则呈截止状态,其电阻很大,一般硅二极管在10ΜΩ以上。高频条件下,二极管的势垒电容表现出来极低的阻抗,并且与二极管并联。当这个势垒电容本身容值达到一定程度时,就会严重影响二极管的开关性能。极端条件下会把二极管短路,高频电流不再通过二极管,而是直接绕路势垒电容通过,二极管就失效了。而开关二极管的势垒电容一般极小,这就相当于堵住了势垒电容这条路,达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效果。 二极管在电路中起到稳定电压、保护其他元件的作用。BYTA225-600B
DS2782美信电量计芯片IICSTM32/STM8/51单片机C代码DS2782测量可充电锂离子和锂离子聚合物电池的电压、温度和电流,并估算其可用电量。电量计算所需的电池特性参数和应用参数存储在片内EEPROM中。通过可用电量寄存器,向主系统报告在当前的温度、放电速率、存储电荷和应用参数下,可供系统使用的电荷量的一个保守估计。估计电量以剩余mAh数和满容量的百分比的形式报告。MAX4699ETE+MAX20087ATPA/VY+DS8500-JND+MAX20088ATPA/VY+MAX20412AJD/VDS4832T+TMAXQ1744DS4830AT+TMAX17113ETL+MAX9880AETM+MAX2142GM/VMAX2142GM/VMAX96912EGTM/VYMAX96755RGTN/VMAX14819AATMMAX2137ETN/VMAX96934DGGE/VMAX35103EHJMAX14803CCM+MAX4968AECM+MAX5452EUB+TDS3502U+T&。 BSC160N10NS3G其他被动元件当二极管反向偏置时,即正极接低电位,负极接高电位,二极管截止,电流很小。
二极管PN结形成原理:P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。[6]因此,在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素,便形成了P型区和N型区,根据N型半导体和P型半导体的特性,可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异,电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散,它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。
二极管在稳压电路中的作用:稳压电路中,二极管常用作参考电压源或电压调整元件。例如,在齐纳稳压电路中,利用齐纳二极管的反向击穿特性,可以稳定输出电压。此外,二极管还可以与电阻、电容等元件组合,构成各种复杂的稳压电路。二极管在数字电路中的应用:在数字电路中,二极管常用作逻辑门的输入保护元件或实现逻辑功能的辅助元件。例如,在TTL逻辑门电路中,二极管用于防止输入端过压损坏门电路。此外,二极管还可以与晶体管组合,构成各种逻辑功能电路。二极管的工作原理基于PN结的半导体特性,涉及复杂的物理过程。
开关二极管工作特性:开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间;从导通到截止的时间叫反向恢复时间;两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间,故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的,像硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒,即使是锗开关二极管,也不过几百纳秒。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点,广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 二极管作为电子元件的基石,在电路中发挥着整流和开关的重要作用。安徽SZMM5Z5V6T1G二极管稳流二极管
二极管虽小,却在电子世界里发挥着不可或缺的大作用。BYTA225-600B
二极管特性参数:用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。[4]伏安特性二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线如图2所示[5]。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示[4]。对于锗二极管,开启电压为,导通电压UD约为。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏[4]。正向特性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变。 BYTA225-600B