多层片式陶瓷电容器基本参数
  • 品牌
  • 成都三福
  • 型号
  • S系列多层片式陶瓷电容器;软瑞子系列多层片式陶瓷电容器
多层片式陶瓷电容器企业商机

MLCC 的集成化发展是应对电子设备高集成化需求的重要趋势,传统的电子电路中需要大量离散的 MLCC 来实现滤波、去耦等功能,占用了较多的 PCB 空间。为解决这一问题,行业推出了集成式 MLCC 产品,将多颗 MLCC 集成在一个封装体内,形成阵列式或模块式结构,例如 MLCC 阵列、MLCC 模块等。集成式 MLCC 不仅能大幅减少 PCB 上的元器件数量,节省安装空间,还能减少焊接点数量,提升电路的可靠性,同时降低寄生参数的影响,改善电路性能。集成式 MLCC 的制备需要采用更精密的叠层和封装工艺,确保多颗 MLCC 之间的电气隔离和性能一致性,目前已在智能手机、平板电脑等消费电子设备中得到应用,随着 5G 技术和人工智能设备的发展,对集成式 MLCC 的需求将进一步增长,推动其向更高集成度、更小型化方向发展。多层片式陶瓷电容器采用水性陶瓷浆料后,生产中无挥发性有害气体排放,更环保。跨境贸易通用型多层片式陶瓷电容器医疗设备电路

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多层片式陶瓷电容器(MLCC)是电子信息产业的基础被动元器件,以多层交替叠合的陶瓷介质与内电极为内部重要结构,外部覆盖外电极实现电路连接。其优势是 “小体积大容量”,通过增加陶瓷介质与内电极的叠层数,在毫米级封装内实现从皮法(pF)到微法(μF)级的电容量,完美适配电子设备小型化趋势。相比传统引线电容,MLCC 寄生电感、电阻更低,高频特性更优,在手机、电脑、汽车电子等领域不可或缺,全球每年需求量以百亿颗计,是电子产业链中用量较大的元器件之一。​跨境贸易高性价比多层片式陶瓷电容器笔记本电脑适配多层片式陶瓷电容器的自动化生产线可实现从浆料制备到测试分选的全流程管控。

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MLCC 的市场格局呈现出明显的梯队分布,国际上由日本村田(Murata)、TDK、太阳诱电(Taiyo Yuden),韩国三星电机(SEMCO)等几个企业占据市场主导地位,这些企业在车规级、高频、高容量 MLCC 领域拥有深厚的技术积累和完善的产品线,凭借优异的产品性能和可靠性,普遍供应给汽车电子、通信设备等应用领域。中国台湾地区的国巨(Yageo)、华新科(Walsin)等企业则在消费电子 MLCC 市场表现突出,通过规模化生产和成本控制能力,占据较大的市场份额。中国大陆企业如风华高科、三环集团等近年来发展迅速,在中低端 MLCC 市场已具备较强的竞争力,产品普遍应用于消费电子、工业控制等领域,同时不断加大研发投入,向车规级MLCC 市场突破,逐步打破国际企业的垄断格局。

损耗角正切(tanδ),又称介质损耗,是反映 MLCC 能量损耗程度的参数,指的是电容器在交流电场作用下,介质损耗功率与无功功率的比值。损耗角正切值越小,说明 MLCC 的能量损耗越小,在电路中产生的热量越少,工作效率越高,尤其在高频电路和大功率电路中,低损耗的 MLCC 能有效减少能量浪费,提升整个电路的性能。I 类陶瓷 MLCC 的损耗角正切通常远小于 II 类陶瓷 MLCC,例如 I 类陶瓷 MLCC 的 tanδ 一般在 0.1% 以下,而 II 类陶瓷 MLCC 的 tanδ 可能在 1%~5% 之间。在实际应用中,对于对能量损耗敏感的电路,如射频通信电路、高精度测量电路等,应优先选择损耗角正切值小的 I 类陶瓷 MLCC;而对于普通的滤波、去耦电路,II 类陶瓷 MLCC 的损耗特性通常可接受。低温型多层片式陶瓷电容器引入镧、钕等稀土元素,-55℃下电容量衰减可控制在 5% 以内。

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MLCC 的抗振动性能是其在轨道交通领域应用的关键指标,地铁、高铁的运行过程中会产生持续振动(频率通常为 10-2000Hz),且振动加速度可达 50m/s² 以上,普通 MLCC 若焊接可靠性不足,易出现外电极脱落、焊盘开裂等故障。为提升抗振动能力,行业从两方面优化:一是改进外电极结构,采用 “阶梯式” 外电极设计,增加外电极与陶瓷芯片的接触面积,同时在电极与焊盘之间增加柔性过渡层,缓解振动产生的应力;二是优化 PCB 焊盘设计,采用 “梅花形”“长方形” 等非对称焊盘,提升焊接后的机械固持力。这类轨道交通 MLCC 需通过 IEC 61373 标准的振动测试,在 50m/s² 加速度下振动 2 小时后,电性能变化率需控制在 ±5% 以内,确保列车控制系统、牵引变流器等关键设备稳定运行。多层片式陶瓷电容器的陶瓷介质分为I类和II类,适用场景不同。二线城市低损耗多层片式陶瓷电容器汽车电子电路

高容量多层片式陶瓷电容器通过增加叠层数量、减薄介质层厚度实现。跨境贸易通用型多层片式陶瓷电容器医疗设备电路

MLCC 的容量衰减问题是影响其长期可靠性的重要因素,尤其是 II 类陶瓷 MLCC,在长期使用或特定工作条件下,电容量可能会出现一定程度的下降,若衰减过度,可能导致电路功能失效。容量衰减的主要原因与陶瓷介质的微观结构变化有关,II 类陶瓷介质采用铁电材料,其电容量来源于电畴的极化,在高温、高电压或长期直流偏置作用下,电畴的极化状态可能会逐渐稳定,导致可极化的电畴数量减少,从而引起容量衰减。为改善容量衰减问题,行业通过优化陶瓷介质的配方,例如添加稀土元素调整晶格结构,增强电畴的稳定性;同时,改进烧结工艺,使陶瓷介质的微观结构更均匀致密,减少缺陷对电畴极化的影响。此外,在应用过程中,合理选择 MLCC 的类型和参数,避免长期在超出额定条件的环境下使用,也能有效减缓容量衰减速度。跨境贸易通用型多层片式陶瓷电容器医疗设备电路

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