担心高电压设备漏电风险？氮化硼导热薄膜体积电阻率超 10¹⁴Ω·cm，击穿电压≥15kV/mm，在导热的同时提供绝缘保护，杜绝漏电隐患。昆山首科电子材料科技有限公司在2024年成功开发“低维氮化硼导热薄膜”，该散热膜以高导热系数、高电击穿强度和低介电常数等特点著称，SK-BN 氮化硼导热薄膜是一种基于二维氮化硼纳米片的复合薄膜，该散热膜具有透电磁波、高导热、高柔性、高绝缘、低介电系数、低介电损耗等优异特性，是当前5G射频芯片、毫米波天线领域较为有效的散热材料之一。昆山首科氮化硼导热绝缘薄膜，适配车载娱乐系统功率放大器，降低温度，提升音质表现。江苏应用氮化硼导热绝缘薄膜按需定制
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无线充电设备散热解决方案！氮化硼导热薄膜具备透波特性，5G 毫米波穿透率 > 95%，不干扰无线充电信号，同时高效导热，解决无线充电时的发热问题，提高充电效率。 昆山首科电子材料科技有限公司在2024年成功开发“低维氮化硼导热薄膜”，该散热膜以高导热系数、高电击穿强度和低介电常数等特点著称，SK-BN 氮化硼导热薄膜是一种基于二维氮化硼纳米片的复合薄膜，该散热膜具有透电磁波、高导热、高柔性、高绝缘、低介电系数、低介电损耗等优异特性，是当前5G射频芯片、毫米波天线领域较为有效的散热材料之一。
散热材料安装复杂、成本高？氮化硼导热薄膜自带弱粘性，可直接粘贴使用，无需额外粘合剂，安装便捷，可反复拆卸，降低维护成本。昆山首科电子材料科技有限公司在2024年成功开发“低维氮化硼导热薄膜”，该散热膜以高导热系数、高电击穿强度和低介电常数等特点著称，SK-BN 氮化硼导热薄膜是一种基于二维氮化硼纳米片的复合薄膜，该散热膜具有透电磁波、高导热、高柔性、高绝缘、低介电系数、低介电损耗等优异特性，是当前5G射频芯片、毫米波天线领域较为有效的散热材料之一。昆山首科材料科技有限公司氮化硼导热绝缘薄膜，表面平整光滑，与散热界面贴合度高，热传导效率大幅提升。
氮化硼导热薄膜采用无溶剂制备工艺，环保无污染，符合绿色生产理念，同时避免溶剂残留对电子设备的损害，提高产品可靠性。昆山首科电子材料科技有限公司在2024年成功开发“低维氮化硼导热薄膜”，该散热膜以高导热系数、高电击穿强度和低介电常数等特点著称，SK-BN 氮化硼导热薄膜是一种基于二维氮化硼纳米片的复合薄膜，该散热膜具有透电磁波、高导热、高柔性、高绝缘、低介电系数、低介电损耗等优异特性，是当前5G射频芯片、毫米波天线领域较为有效的散热材料之一。昆山首科氮化硼导热绝缘薄膜，应用于 AI 视觉产品处理器，高效散热，提升图像处理速度与精度昆山首科。江苏应用氮化硼导热绝缘薄膜按需定制
昆山首科电子材料科技有限公司氮化硼导热绝缘薄膜，长期使用导热性能不衰减，保障设备持久高效运行。江苏应用氮化硼导热绝缘薄膜按需定制
第三代半导体（SiC、GaN）的广泛应用推动导热材料升级，氮化硼导热薄膜能承受更高的工作温度和电压，为功率器件提供高效散热和安全保护，助力半导体产业发展。昆山首科电子材料科技有限公司在2024年成功开发“低维氮化硼导热薄膜”，该散热膜以高导热系数、高电击穿强度和低介电常数等特点著称，SK-BN 氮化硼导热薄膜是一种基于二维氮化硼纳米片的复合薄膜，该散热膜具有透电磁波、高导热、高柔性、高绝缘、低介电系数、低介电损耗等优异特性，是当前5G射频芯片、毫米波天线领域较为有效的散热材料之一。江苏应用氮化硼导热绝缘薄膜按需定制
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