ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
至盛 ACM 芯片高度重视软件算法的优化,并持续投入大量资源进行研发。在音频解码算法上,不断优化算法结构,提高解码效率,减少解码时间与资源占用,同时进一步提升音频的还原度与音质表现,使音乐更加真实、动听。在降噪算法方面,通过对环境噪音的实时监测与分析,采用自适应降噪算法,能够更准确地去除背景噪音,即使在嘈杂的环境中,也能为用户提供清晰纯净的音乐。此外,软件算法还实现了对音响系统的智能控制,如根据用户的使用习惯自动调整音量、音效模式等个性化设置。通过持续的软件算法优化,至盛 ACM 芯片不断挖掘硬件潜力,为用户带来更质优、便捷的使用体验,增强了产品的市场竞争力。至盛12S数字功放芯片集成马达驱动预驱电路,可控制无刷直流电机实现0-10万转无极调速。浙江蓝牙至盛ACM3128A

ACM8815的PEQ支持31段**调节,每段可配置频点(f0)、增益(G)和Q值。设计步骤如下:频点选择:根据扬声器频响曲线(如测量得到100Hz处衰减5dB),选择f0=100Hz。增益设置:为补偿衰减,设置G=+5dB。Q值计算:Q值决定带宽,计算公式为Q=f0/BW(BW为-3dB带宽)。若需窄带补偿(BW=1个八度),则Q=100Hz/(100Hz/√2 - 100Hz/2)=1.41;若需宽带补偿(BW=2个八度),则Q=100Hz/(100Hz/√2 - 100Hz/4)=0.71。本例选择Q=1.41。系数计算:将f0、G、Q转换为二阶IIR滤波器系数(b0、b1、b2、a1、a2),公式如下:ω0=2πf0/Fs(Fs为采样率,如48kHz)α=sin(ω0)/(2Q)A=10^(G/40)b0=(1+αA)重庆信息化至盛ACM8625M广场舞音响设备选用ACM8623,凭借大功率输出与抗干扰能力,让音乐在嘈杂环境中依然清晰洪亮。

至盛 ACM 系列芯片,如 ACM86xx 系列,采用高阶闭环调制架构提高音频性能,THD+N(总谐波失真加噪声)可低于 0.02%。在音频信号处理过程中,该架构对音频信号进行实时监测与反馈调整。当音频信号出现失真趋势时,通过调整内部电路参数,如放大器增益、脉宽调制比例等,修正信号偏差,确保输出音频信号高度还原输入信号。这种低失真特性让音频信号传输更纯净,声音清晰、逼真,有效减少毛刺感与粗糙感,使音乐中的高低音更加圆润饱满,为用户呈现品质高的音频体验 。
至盛消费类音频芯片支持5W-200W功率范围,形成“低端市场性价比+**市场技术壁垒”的双轮驱动。其ACM1201模拟麦克风ADC芯片采用QFN12-2.5X2.5小封装,信噪比达90dB,在TWS耳机市场占有率突破18%。以小米Air 3 Pro为例,搭载该芯片后,语音唤醒成功率提升至99.2%,功耗降低22%,单次续航延长1.5小时。同时,至盛全集成升压电源芯片在智能手机快充领域实现突破,ACM5618芯片使5G手机充电效率提升30%,15分钟可充至70%,已进入华为、OPPO供应链体系,推动国产芯片在消费电子领域渗透率提升至42%。家庭影院系统采用至盛芯片后,通过低音管理技术将chao低音信号jing准分配至指定声道。

支持PCM、PDM等多种数字音频格式输入,可直接连接MEMS麦克风或数字麦克风阵列。在智能会议系统应用中,该特性使芯片可同时处理音频播放和回声消除功能,BOM成本降低30%。实测显示,在8米距离拾音时,语音清晰度指数(AI)从0.65提升至0.82。老化自检功能芯片内置自检电路,可定期检测输出级MOSFET、滤波电容等关键元件性能。在索尼WH-1000XM5耳机中,该功能使产品返修率从2%降至0.5%,***提升品牌口碑。当检测到元件参数偏移超过10%时,芯片通过FAULT引脚报警,并自动切换至安全模式运行。车载音响系统应用至盛芯片后,总谐波失真率控制在0.05%以内,人声还原度达到录音室级别。天津数据链至盛ACM865
至盛芯片内置DSP算法,使Soundbar音响在3米距离内声压级波动不超过±1.5dB。浙江蓝牙至盛ACM3128A
氮化镓作为宽禁带半导体材料,其禁带宽度(3.4eV)是硅(1.1eV)的3倍,这意味着在相同电压下,GaN器件的击穿场强更高,可设计更薄的漂移层,从而大幅降低导通电阻。ACM8815集成的GaN MOSFET在4Ω负载下,10% THD+N条件下可输出200W功率,而传统硅基D类功放需外接散热器才能实现同等功率,且效率通常低于85%。GaN的开关频率可达MHz级(ACM8815实测开关频率1.2MHz),远高于硅基器件的几百kHz,这使得输出滤波器体积缩小60%以上,同时降低EMI干扰。此外,GaN的零温度系数特性(导通电阻随温度变化极小)确保了ACM8815在-40℃至125℃宽温范围内功率稳定性,这是汽车音响等极端环境应用的关键。浙江蓝牙至盛ACM3128A
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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