ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
ACM8636内置LDO稳压器,在输入电压波动±20%时仍能保持输出稳定。在车载应用中,当发动机启动导致电瓶电压从14V跌落至9V时,芯片可自动调整PWM占空比维持功率输出,避免音乐中断。实测显示,在9V输入时,30W输出功率下THD+N*上升0.05%,音质无明显劣化。多语言开发支持提供中英文双语版开发文档和调音软件,降低工程师学习成本。在印度市场,某厂商基于ACM8636开发的智能音箱,通过本地化调音软件将低音增强量从默认的+3dB调整至+6dB,更符合当地用户偏好。该特性使产品上市周期缩短40%,快速响应区域市场需求。至盛12S数字功放芯片集成智能负载检测功能,无负载时自动进入休眠模式,系统安全性提升。四川蓝牙至盛ACM供应商

ACM8623集成I2S数字音频接口,支持32位音频数据直接输入,避免模拟信号转换损耗。内置DSP模块包含15段EQ均衡器、3段DRC动态范围控制和1段Lookahead DRC预判算法,可针对小音量信号增强低频响应,提升人声清晰度。数字增益调节范围达-60dB至+12dB,通过I2C总线实现精确控制,简化系统调音流程。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载,致力于蓝牙音频新产品的开发与设计,热情欢迎大家莅临本公司参观考察,共同探讨音界的美妙。福建蓝牙至盛ACM8628ACM8623内置了DSP(数字信号处理器)音效处理算法,包括小音量低频增强等功能,能够提升音质体验。

苏州至盛半导体凭借“集成氮化镓器件的D类控制器芯片封装结构”技术,在音频功率放大器领域实现颠覆性创新。该技术将氮化镓高频高能效特性与D类控制器高精度音频处理能力结合,使系统集成度提升40%,功耗降低30%。其“中高功率全集成D类音频功率放大器芯片”已通过热保护方法**认证,覆盖5W-200W功率范围,在智能音箱、家庭影院等消费电子领域实现国产替代。以ACM8615M芯片为例,其三段动态范围控制算法可**能量峰值,结合后端均衡器实现平滑音效控制,使音乐清晰度提升25%,已应用于索尼、三星等品牌的**音响系统,推动全球音频芯片市场向高集成度、低功耗方向演进。
在智能家居场景中,ACM3221凭借其小封装与低功耗特性,成为智能音箱、电视音响等设备的理想音频解决方案。例如,某品牌智能音箱采用ACM3221驱动2英寸全频扬声器,在3W输出功率下实现90dB声压级,覆盖10㎡房间无压力。其低底噪特性确保语音助手唤醒词识别率提升至98%,即使在音乐播放时也能准确响应指令。此外,芯片的无滤波器设计简化了音箱内部结构,使产品厚度从8mm压缩至6mm,更适配现代家居的极简美学需求。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频方案。至盛12S数字功放芯片多段压限器(DRC)采用Lookahead预测技术,有效防止音频信号削波失真。

在智能音箱领域,至盛 ACM 芯片表现优良。以天猫精灵 X6 智能音箱采用的 ACM8628M 芯片为例,它采用新型 PWM 脉宽调制架构,有效降低静态功耗,提高能源利用效率,延长智能音箱续航时间。芯片内置 DSP 可实现主动分频、延时处理、EQ 调试等功能,对数字音频信号精确控制,实现出色音质表现。同时,能与智能音箱中的其他芯片,如全志 R328 智能语音处理器协同工作,为用户提供流畅语音交互与品质高的音乐播放体验。其高集成度减少外围电路元件,降低智能音箱生产与设计成本,提升产品竞争力 。ACM8623的架构能够根据输入信号的大小动态调整脉宽。深圳绿色环保至盛ACM8625S
至盛12S数字功放芯片内置高性能DSP,可实现32bit/96kHz高保真音频处理,还原声音纯净本质。四川蓝牙至盛ACM供应商
至盛电子在消费电子市场的音频芯片革新,正重塑用户对音质与智能交互的期待。其***一代D类音频功率放大器芯片,通过动态范围控制算法与低噪声设计,使智能音箱的失真率降至0.01%以下,远超行业平均的0.1%。以小米Sound Pro为例,搭载至盛ACM8630芯片后,高频延展性提升30%,低频下潜深度增加25%,配合AI语音交互功能,语音识别准确率达99.5%,即使在50分贝环境噪音下也能精细响应。此外,芯片支持蓝牙5.3与Wi-Fi 6双模连接,使设备间传输延迟压缩至10ms以内,多设备协同播放时音画同步误差小于1帧,推动消费电子从“功能满足”向“体验升级”转型。据IDC数据,2025年中国智能音箱市场出货量达1.2亿台,至盛凭借技术优势占据35%市场份额,成为音频体验升级的**推动者。四川蓝牙至盛ACM供应商
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
河南ATS芯片ACM8623
2025-12-11
河北ATS芯片ATS2825C
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上海ACM芯片ACM3108ETR
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湖北音响芯片ACM3108ETR
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甘肃家庭音响芯片ACM8628
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黑龙江ACM芯片ATS2819
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上海国产芯片ATS2833
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福建ATS芯片ATS3015
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陕西炬芯芯片ACM3107ETR
2025-12-10