ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
至盛 ACM 芯片的出现深刻改变了蓝牙音响的产品形态。由于芯片的高集成度与低功耗特性,蓝牙音响的体积得以进一步缩小,设计更加轻薄便携。例如,一些采用至盛 ACM 芯片的蓝牙音响,体积小巧如鸡蛋,方便用户随身携带,无论是户外运动、旅行还是日常出行,都能轻松享受音乐。同时,芯片强大的功能支持使得蓝牙音响的功能更加多样化,除了传统的音频播放功能外,还集成了智能语音交互、多设备连接等功能。这促使蓝牙音响从单纯的音频播放设备向智能化、多功能化的移动终端转变,产品形态也更加丰富多样,如出现了兼具照明功能的蓝牙音响、可穿戴式蓝牙音响等创新产品,满足了用户在不同场景下的多样化需求,推动了蓝牙音响产品形态的创新发展。ACM8623以双通道强劲输出和内置DSP音效,还原影片声场,营造沉浸式观影氛围。广东国产至盛ACM865现货

ACM8636在待机模式下,ACM8636静态电流*56mA,相比传统AB类功放降低90%。在1W输出功率时,效率达90%,比TPA3116D2等同类产品高8个百分点。在哈曼卡顿Onyx Studio 7音箱中,该特性使电池续航时间从12小时延长至15小时。芯片采用自适应PWM调制技术,根据负载轻重动态调整开关频率,在播放古典音乐时,实测平均效率从85%提升至89%,有效减少发热。深圳市芯悦澄服科技有限公司代理至盛一系列功放芯片,专业一站式音频设计方案,欢迎大家莅临公司参观指导。湛江自主可控至盛ACM8625SACM8623可应用于便携式蓝牙音箱,凭借高功率输出与低功耗特性,为用户带来清晰且续航持久的户外音乐体验。

ACM3221还广泛应用于工业控制、医疗设备等领域。在某款工业HMI(人机界面)中,芯片驱动0.5W扬声器实现按键提示音与报警功能,其低底噪特性避免干扰设备运行状态监测。在医疗听诊器中,ACM3221放大心音信号,通过12dB增益提升微弱声音的可听性,助力医生诊断。其宽电压输入(2.5V至5.5V)兼容不同设备的供电系统,简化设计流程。相较于至盛ACM上一代产品ACM3129(2×57W立体声功放),ACM3221在单声道功率密度、功耗控制与集成度上实现***提升。ACM3129虽具备更高输出功率,但静态功耗达5mA,且需外接滤波器,PCB面积增加30%。而ACM3221通过无滤波器设计与动态电源管理,将功耗降低75%,同时封装尺寸缩小60%,更适配微型化设备趋势。此外,ACM3221的THD+N指标从0.1%优化至0.03%,音频质量达到Hi-Fi入门级标准。
至盛 ACM 芯片在兼容性方面表现优良,经过大量严格的兼容性测试,能够与市面上几乎所有主流的蓝牙设备实现无缝连接与稳定通信。无论是较新款的智能手机、平板电脑,还是老旧型号的笔记本电脑,亦或是智能手表等可穿戴设备,都能与搭载至盛 ACM 芯片的蓝牙音响迅速配对并建立稳定连接。在连接过程中,芯片能够自动识别设备类型,适配不同设备的音频输出格式与传输速率,确保音频信号的顺畅传输与高质量播放。例如,当用户使用苹果手机连接该芯片的蓝牙音响时,能够完美支持苹果设备特有的 AAC 音频格式,实现品质高的音乐播放;而使用安卓设备连接时,同样能根据设备性能进行优化,为用户带来出色的音乐体验,充分证明了其强大的兼容性。智能家居背景音乐系统采用ACM8623,以小巧体积与高效能实现多房间同步播放,营造温馨舒适的家居氛围。

ACM8815是深圳市永阜康科技有限公司推出的国内***集成氮化镓(GaN)技术的200W大功率单声道D类数字功放芯片,标志着音频功率放大器从传统硅基MOSFET向第三代半导体材料的跨越。其**定位在于解决传统D类功放需依赖散热器、效率受限、体积庞大等痛点,尤其适用于家庭影院、专业音响、汽车电子等对功率密度和能效要求严苛的场景。据市场调研,2025年全球D类功放市场规模预计突破50亿美元,而ACM8815凭借氮化镓的高电子迁移率(硅基的10倍以上)、低导通电阻(Rdson*11mΩ)和高温稳定性(工作结温达150℃),在200W功率段形成技术壁垒,成为**音频设备的优先方案。至盛12S数字功放芯片支持单/双通道duli控制,可灵活配置为2.1声道或四声道输出系统。靠谱的至盛ACM8625P
ACM8623的架构能有效防止POP音的产生,提升音质体验。广东国产至盛ACM865现货
ACM8815采用全桥D类拓扑结构,通过四个GaN MOSFET组成H桥,实现单端输入到差分输出的转换。与传统半桥结构相比,全桥拓扑可利用电源电压的完整摆幅(如38V PVDD下输出峰峰值76V),功率提升一倍。芯片内部集成死区时间控制电路,将上下管开关重叠时间压缩至5ns以内,避免直通短路风险。其独特的“自适应栅极驱动”技术可根据负载阻抗(4Ω/8Ω)动态调整驱动电流,在4Ω负载下驱动电流达2A,确保快速开关响应;而在8Ω负载下自动降低至1A,减少开关损耗。这种动态优化使ACM8815在4Ω和8Ω负载下效率均维持在92%以上,较传统方案提升8个百分点。广东国产至盛ACM865现货
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
河北ATS芯片ATS2825C
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黑龙江ACM芯片ATS2819
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上海国产芯片ATS2833
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吉林家庭音响芯片ATS3031
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