ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
ACM8815采用双电源供电架构:PVDD(功率电源):范围4.5V-38V,为H桥GaNMOSFET供电。芯片内部集成LDO稳压器,将PVDD转换为12V栅极驱动电压,确保GaN器件在高压下稳定开关。AVCC(模拟电源):范围4.5V-38V,为模拟信号处理电路(如输入缓冲、误差放大器)供电。AVCC与PVDD**设计,避免数字噪声通过电源耦合到模拟电路。DVDD(数字电源):支持3.3V/1.8V双电压,为DSP、I2S接口等数字电路供电。DVDD采用动态电压调节技术,在空闲模式下自动降至1.8V以降低功耗(典型待机功耗<10mW)。电源管理模块还集成过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)和软启动电路。OVP阈值设定为PVDD的110%(如38VPVDD下OVP为41.8V),当电压超过阈值时,芯片在10μs内关闭H桥输出;UVLO阈值为PVDD的90%(如38VPVDD下UVLO为34.2V),确保电源电压稳定后再启动功放。软启动时间可通过外部电容调节(典型值10ms),避免上电瞬间冲击电流损坏扬声器。至盛12S数字功放芯片内置自举电路设计,省去外部升压二极管,BOM成本降低15%。韶关哪里有至盛ACM3107

至盛 ACM 系列芯片,如 ACM86xx 系列,采用高阶闭环调制架构提高音频性能,THD+N(总谐波失真加噪声)可低于 0.02%。在音频信号处理过程中,该架构对音频信号进行实时监测与反馈调整。当音频信号出现失真趋势时,通过调整内部电路参数,如放大器增益、脉宽调制比例等,修正信号偏差,确保输出音频信号高度还原输入信号。这种低失真特性让音频信号传输更纯净,声音清晰、逼真,有效减少毛刺感与粗糙感,使音乐中的高低音更加圆润饱满,为用户呈现品质高的音频体验 。重庆音响至盛ACM3108至盛 ACM 芯片对数模混合电路的优化,提升了耳放音质。

ACM3221的量产成本较竞品低15%,主要得益于其高度集成的架构与简化外围电路。无滤波器设计省去2至3颗电感与电容,BOM成本降低0.3美元;小封装减少PCB面积,单板成本下降0.5美元。此外,芯片的高效率延长电池寿命,间接降低用户更换电池的频率,提升产品生命周期价值。对于年产量超100万台的厂商,ACM3221的采购价可进一步谈判至0.8美元以下,性价比优势***。ACM3221已通过AEC-Q100车规级认证与JEDEC湿度敏感性等级1(MSL1)测试,可在85℃/85%RH环境下稳定工作1000小时。在高温老化测试中,芯片连续运行2000小时无性能衰减;在ESD测试中,人体模型(HBM)耐受电压达8kV,机器模型(MM)达200V,满足消费电子与工业设备的抗静电需求。此外,芯片已获得FCC、CE等国际认证,助力客户快速进入全球市场。
在户外蓝牙音箱领域,ACM8636支持无电感应用模式,通过优化PWM调制算法,在20W输出时省略输出滤波电感,节省PCB面积30%并降低BOM成本0.8美元。家庭影院场景中,其立体声信道2+1频带DRC可**控制主声道和环绕声道动态范围,实测在《波西米亚狂想曲》演唱会片段中,人声与伴奏的电平波动范围从18dB压缩至10dB,保持音乐层次感。车载音响应用中,芯片内置的FAULT状态检测引脚可实时监控过流、过热、欠压等异常,在特斯拉Model 3音响升级项目中,该功能使系统故障诊断时间从10秒缩短至0.5秒。智能会议音响设备采用ACM8623,其低底噪与数字信号处理能力,确保会议发言清晰无杂音,提升沟通效率。

传统D类功放需外接LC滤波器以抑制高频开关噪声,但会增加PCB面积与成本。ACM3221创新采用无滤波器扩频调制技术,通过随机化PWM载波频率,将能量分散至更宽频带,使EMI峰值降低10dB以上。实测数据显示,在30MHz至1GHz频段内,辐射干扰符合CISPR 22 Class B标准,可直接通过FCC、CE等认证,无需额外屏蔽措施。该技术还简化了PCB布局,节省0.2mm²以上的布线空间,适配智能眼镜等微型设备的紧凑设计需求。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频方案。至盛12S数字功放芯片支持4.5V-26.4V宽电压输入,适配电池供电与固定电源双应用场景。浙江电子至盛ACM8625P
至盛12S数字功放芯片集成智能负载检测功能,无负载时自动进入休眠模式,系统安全性提升。韶关哪里有至盛ACM3107
除了高效率和大电流输出外,ACM5618还具备轻载高效模式和丰富的保护机制。轻载高效模式使得芯片在轻负载条件下也能保持较高的效率,而保护机制则包括欠压/过压保护、逐周期限流和过温保护等,确保芯片在异常情况下能够安全关断,避免损坏。ACM5618采用了QFN-FC-13(3.5mm×3mm)封装,这种小巧的封装形式进一步减小了PCB的使用面积。同时,由于芯片外部无需额外的元件,因此可以**简化PCB的布局和布线工作,提高生产效率。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载,致力于新产品的开发与设计,热情欢迎大家莅临本公司参观考察,共同探讨音界的美妙。韶关哪里有至盛ACM3107
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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