ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
至盛 ACM 芯片自有编译器架构,支持 96kHz、32bit 高保真音频处理。其特有音频处理算法可明显提升整机音效。DRB 动态人声 / 低音增强算法,能突出人声清晰度,强化低音效果,让音乐中歌手歌声更具影响力,低频节奏更震撼;Virtual Bass 心理声学低音增强技术,利用人耳听觉特性,在不增加低音扬声器尺寸与功率前提下,营造出更强劲、饱满的低音感受;3D 声场拓展算法模拟真实空间音效,使聆听者仿若置身音乐现场,声音环绕四周,带来沉浸式听觉体验。这些技术协同作用,还原音频原始音色与质感,减少失真,让音乐细节尽显。至盛12S数字功放芯片动态调压响应时间小于10μs,完美适配电影动态范围较大的音频场景。惠州信息化至盛ACM8625S

支持PCM、PDM等多种数字音频格式输入,可直接连接MEMS麦克风或数字麦克风阵列。在智能会议系统应用中,该特性使芯片可同时处理音频播放和回声消除功能,BOM成本降低30%。实测显示,在8米距离拾音时,语音清晰度指数(AI)从0.65提升至0.82。老化自检功能芯片内置自检电路,可定期检测输出级MOSFET、滤波电容等关键元件性能。在索尼WH-1000XM5耳机中,该功能使产品返修率从2%降至0.5%,***提升品牌口碑。当检测到元件参数偏移超过10%时,芯片通过FAULT引脚报警,并自动切换至安全模式运行。重庆绿色环保至盛ACM3128AACM8816芯片具备过载保护、短路保护等功能,确保设备安全运行。

至盛 ACM9631、ACM9632、ACM9634 等芯片应用于车载音响系统。这些芯片具备单 / 双通道、四通道配置,支持负载检测功能。在车载环境中,当音响系统检测到无负载情况(如扬声器故障或未正确连接)时,芯片可自动降低功放音频输出功率,实现节电与保护功能,提高系统智能化与安全性。同时,芯片能适应车载电源电压波动,提供稳定音频放大,确保在车辆行驶过程中,无论发动机运转状态如何,都能为驾乘人员提供质优、稳定的音乐播放效果,提升车载娱乐体验。
ACM8636在待机模式下,ACM8636静态电流*56mA,相比传统AB类功放降低90%。在1W输出功率时,效率达90%,比TPA3116D2等同类产品高8个百分点。在哈曼卡顿Onyx Studio 7音箱中,该特性使电池续航时间从12小时延长至15小时。芯片采用自适应PWM调制技术,根据负载轻重动态调整开关频率,在播放古典音乐时,实测平均效率从85%提升至89%,有效减少发热。深圳市芯悦澄服科技有限公司代理至盛一系列功放芯片,专业一站式音频设计方案,欢迎大家莅临公司参观指导。专注高性能芯片研发,至盛 ACM 芯片为功率器件领域带来革新性的解决方案。

在信息安全至关重要的当下,至盛 ACM 芯片构建了完善的信息安全防护体系。在蓝牙数据传输过程中,采用先进的加密算法,对音频数据进行加密处理,确保数据在传输过程中的安全性,防止数据被窃取或篡改。在设备配对环节,引入严格的安全认证机制,只有经过认证的设备才能与蓝牙音响建立连接,有效避免了非法设备的入侵。芯片内部还设置了多重防火墙与安全监测机制,实时监控系统运行状态,抵御外部恶意软件的攻击。例如,当检测到异常数据访问或潜在的攻击行为时,芯片能够迅速启动防护措施,保障系统的安全稳定运行,为用户提供安全可靠的使用环境,让用户放心享受音乐带来的乐趣。ACM8623以双通道强劲输出和内置DSP音效,还原影片声场,营造沉浸式观影氛围。重庆绿色环保至盛ACM3128A
至盛12S数字功放芯片支持15段参数均衡器(EQ)与5段后置均衡,可调节0.1dB级频响曲线。惠州信息化至盛ACM8625S
至盛 ACM 芯片针对不同应用场景推出了定制化方案,以更好地满足用户需求。对于户外应用场景,考虑到环境的复杂性与对续航的高要求,芯片在设计上进一步优化了抗干扰能力与低功耗性能。同时,增强了功率放大输出,使音响在户外嘈杂环境中也能提供足够响亮、清晰的声音。在车载应用场景中,芯片着重提升了与车载系统的兼容性,确保与汽车的蓝牙连接稳定可靠,并且优化了音频输出效果,以适应车内独特的声学环境,为驾驶者和乘客带来愉悦的驾乘音乐体验。而在智能家居应用场景中,芯片强化了智能语音交互功能与设备联动能力,能够与其他智能家居设备协同工作,如根据音乐节奏自动调节灯光亮度、控制窗帘开合等,通过定制化方案,至盛 ACM 芯片在不同应用场景中都能发挥出较佳性能。惠州信息化至盛ACM8625S
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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