ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
面对复杂多变的电磁干扰环境,至盛 ACM 芯片构建了完善的抗干扰机制。芯片内部采用了多层屏蔽技术,有效阻挡外界电磁干扰信号的入侵。同时,配合先进的数字信号滤波算法,对接收的蓝牙音频信号进行实时滤波处理,去除夹杂在其中的干扰噪声。在实际应用场景中,如在地铁、商场等人员密集且电磁干扰强烈的场所,搭载至盛 ACM 芯片的蓝牙音响能够稳定运行,音频播放流畅,声音清晰,不受周围环境干扰的影响。即使在同时存在多个蓝牙设备的环境中,芯片也能通过准确的信号识别与抗干扰技术,确保自身蓝牙连接的稳定与音频传输的质量,为用户提供可靠的音乐播放体验。至盛12S数字功放芯片数字增益通过I2C总线控制,元件减少80%,PCB设计面积缩减40%。肇庆电子至盛ACM3108

芯片支持4.5V至15.5V宽电压输入,数字电源为3.3V**供电。采用Class-H动态升压技术,结合ACM5618 DC-DC升压芯片,可将单节锂电池升压至12V供电,实现立体声2×15W输出。内置电源电压监测电路,当输入电压低于4.5V时自动降低输出功率,避免电池过放。待机功耗低于10mW,符合能效6级标准。ACM8623内置多重保护机制:过流保护(OCP)通过采样电阻实时监测输出电流,超过阈值时关闭功率级;过温保护(OTP)在芯片温度达150℃时启动,温度降至130℃后自动恢复;短路保护(SCP)检测输出端短路时立即关断输出。欠压锁定(UVLO)确保供电电压低于4.2V时停止工作,防止芯片损坏。湖北至盛ACM3108ACM8623采用先进的PWM(脉宽调制)脉宽调制架构。

至盛半导体科技有限公司于 2021 年成立,专注于数字音频芯片自主研发。其主要团队成员源自 TI、ADI、美信、高通、华为海思等国际 IC 设计公司,具备 10 - 20 年数模混合信号设计及产品应用经验。在这样强大的技术班底支持下,至盛致力于攻克音频芯片技术难题,打造具有自主知识产权、高性能的音频芯片,如 ACM 系列芯片。团队主导完成主流消费类和车载类数模混合音频功率驱动类芯片研发全流程,2022 年获小米集团与中芯聚源战略投资,彰显业界对其技术实力与发展潜力的高度认可,为 ACM 芯片的持续创新与优化奠定坚实基础。
展望未来,至盛 ACM 芯片将持续创新发展。在技术层面,不断优化音频处理算法,提升对新兴音频格式的支持,进一步降低失真,提高音质。随着物联网与智能家居发展,ACM 芯片将增强与其他智能设备的互联互通能力,实现多设备音频协同播放等创新功能。在应用领域,除深耕现有智能音箱、家庭影院、车载音响等市场,还将拓展至医疗设备音频提示、工业设备状态监测音频反馈等新领域。至盛半导体也将不断加大研发投入,吸引更多优秀人才,持续推出高性能、高可靠性的 ACM 芯片产品,巩固其在音频芯片市场的地位,为音频技术发展贡献更多力量。凭借先进技术,至盛 ACM 芯片让马达驱动器运转更高效、更稳定。

在家庭影院与 Soundbar 产品中,至盛 ACM 芯片大放异彩。杰科 921d 型号回音壁内置至盛 ACM8625S 芯片,该芯片提供高保真音频处理与高效放大,结合算法技术拓宽声场,实现虚拟 3D 环绕效果,搭配杰科自研 BestDynamic 音频算法,自动优化音频动态范围,提升输出功率,使音质清晰饱满,产品获杜比实验室认证,支持 Dolby Atmos 音效。杰科 ha - 960d 高级家庭影院 5.1.2 声道配置中,同样受益于至盛芯片。如 ACM8625S、ACM8629 等芯片,在不同声道准确发声,提供充沛音频动力,营造影院级震撼感,满足家庭用户对沉浸式影音体验的追求。至盛12S数字功放芯片内置自举电路设计,省去外部升压二极管,BOM成本降低15%。福建信息化至盛ACM2188现货
ACM8816内阻小、效率高,支持高保真音频放大,适用于专业音响设备。肇庆电子至盛ACM3108
智能电视音频系统中,ACM8623通过I2C总线与主控芯片通信,实现音量、EQ参数的动态调整。其105dB SNR确保语音对白的清晰度,低底噪特性避免夜间观影时的电流声干扰。PBTL模式可驱动单声道23W扬声器,满足客厅环境的声压级需求。车载音响系统中,ACM8623的4.5V至15.5V宽电压输入适配汽车电源波动。其Class-H动态升压技术根据音乐信号强度调整供电电压,平均工作电压6-7V,相比传统Class-AB功放效率提升40%。过温保护和短路保护功能适应汽车高温、振动环境。肇庆电子至盛ACM3108
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
河南ATS芯片ACM8623
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河北ATS芯片ATS2825C
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上海ACM芯片ACM3108ETR
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湖北音响芯片ACM3108ETR
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甘肃家庭音响芯片ACM8628
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黑龙江ACM芯片ATS2819
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上海国产芯片ATS2833
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福建ATS芯片ATS3015
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陕西炬芯芯片ACM3107ETR
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