ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
扩频技术的应用大幅降低了EMI辐射,在功率和喇叭线长一定的范围内,可以用磁珠替代电感方案,从而优化了成本和电路面积,使得芯片在设计和应用中更加灵活和经济。降低 EMI 辐射:大幅降低电磁干扰,使产品在功率和喇叭线长一定范围内,可用磁珠替代电感方案,优化成本与电路面积。增强抗干扰能力:因信号频谱变宽,信道利用率提高,不同用户占不同频率段,减少相互干扰,提升信号传输稳定性。提升安全性:信号在频域分散,**难度大,为音频数据传输提供更安全保障,满足对安全性要求高的应用场景。ACM8816在电动汽车领域利用优化电源转换,提升驱动系统性能和能效。佛山蓝牙至盛ACM3108

在专业音频领域,如录音室、演出设备等,ACM8629的***音频输出和稳定的性能可以满足专业用户对音频的高要求。其内置的DSP功能可以为音频处理提供更多的可能性。教育设备如电子白板、教学音箱等需要具备良好的音频播放能力,ACM8629可以为这些设备提供清晰、响亮的音频输出,确保教学内容的清晰传达。在智能家居系统中,ACM8629可以用于智能音箱、智能门铃等设备的音频输出,提供高质量的语音提示和音乐播放功能,提升智能家居的用户体验。湖北音响至盛ACM2188现货车载音响系统集成ACM8623,在复杂电源环境下稳定输出好品质音乐,优化驾驶体验。

至盛 ACM 芯片针对不同应用场景推出了定制化方案,以更好地满足用户需求。对于户外应用场景,考虑到环境的复杂性与对续航的高要求,芯片在设计上进一步优化了抗干扰能力与低功耗性能。同时,增强了功率放大输出,使音响在户外嘈杂环境中也能提供足够响亮、清晰的声音。在车载应用场景中,芯片着重提升了与车载系统的兼容性,确保与汽车的蓝牙连接稳定可靠,并且优化了音频输出效果,以适应车内独特的声学环境,为驾驶者和乘客带来愉悦的驾乘音乐体验。而在智能家居应用场景中,芯片强化了智能语音交互功能与设备联动能力,能够与其他智能家居设备协同工作,如根据音乐节奏自动调节灯光亮度、控制窗帘开合等,通过定制化方案,至盛 ACM 芯片在不同应用场景中都能发挥出较佳性能。
展望未来,至盛 ACM 芯片将持续创新发展。在技术层面,不断优化音频处理算法,提升对新兴音频格式的支持,进一步降低失真,提高音质。随着物联网与智能家居发展,ACM 芯片将增强与其他智能设备的互联互通能力,实现多设备音频协同播放等创新功能。在应用领域,除深耕现有智能音箱、家庭影院、车载音响等市场,还将拓展至医疗设备音频提示、工业设备状态监测音频反馈等新领域。至盛半导体也将不断加大研发投入,吸引更多优秀人才,持续推出高性能、高可靠性的 ACM 芯片产品,巩固其在音频芯片市场的地位,为音频技术发展贡献更多力量。至盛12S数字功放芯片通过AEC-Q100车规认证,在-40℃至125℃环境下失效率低于10ppm。

至盛功放芯片通过其先进的音频处理技术,能够呈现出纯净细腻的音质。这种音质不仅表现在声音的清晰度和透明度上,更体现在对音色细节的精细捕捉和呈现上。无论是低音的深沉、中音的饱满还是高音的明亮,至盛功放芯片都能将其表现得淋漓尽致。至盛功放芯片拥有宽广的音域和出色的动态范围,这意味着它能够处理从低音到高音的各种频率,并且在各种音量下都能保持音质的稳定性和一致性。这种特性使得至盛功放芯片在播放音乐时能够呈现出更为丰富的声音层次和动态效果。专注高性能芯片研发,至盛 ACM 芯片为功率器件领域带来革新性的解决方案。湖南信息化至盛ACM8625P
至盛12S数字功放芯片内置温度补偿算法,工作温度范围扩展至-40℃至105℃极端环境。佛山蓝牙至盛ACM3108
至盛 ACM 芯片对蓝牙音响音质的提升起到了关键作用。从音频信号的接收开始,芯片凭借其强大的蓝牙接收模块,能够稳定、快速地接收来自音源设备的音频信号,减少信号丢失与干扰,为高质量音频传输奠定基础。在音频解码阶段,芯片先进的解码算法与对多种音频格式的支持,能够准确还原音频文件中的每一个细节,使声音更加真实、饱满。功率放大模块则为扬声器提供了合适的驱动功率,确保扬声器能够充分发挥性能,展现出清晰、洪亮的声音。通过对音质提升的多方位把控,至盛 ACM 芯片能够让用户在使用蓝牙音响时,仿佛置身于音乐会现场,享受到身临其境的音乐体验,极大地提升了蓝牙音响的音质水平,满足了用户对品质高的音乐的追求。佛山蓝牙至盛ACM3108
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
山东蓝牙音响芯片ACM8623
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