ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
在信息安全至关重要的当下,至盛 ACM 芯片构建了完善的信息安全防护体系。在蓝牙数据传输过程中,采用先进的加密算法,对音频数据进行加密处理,确保数据在传输过程中的安全性,防止数据被窃取或篡改。在设备配对环节,引入严格的安全认证机制,只有经过认证的设备才能与蓝牙音响建立连接,有效避免了非法设备的入侵。芯片内部还设置了多重防火墙与安全监测机制,实时监控系统运行状态,抵御外部恶意软件的攻击。例如,当检测到异常数据访问或潜在的攻击行为时,芯片能够迅速启动防护措施,保障系统的安全稳定运行,为用户提供安全可靠的使用环境,让用户放心享受音乐带来的乐趣。至盛12S数字功放芯片心理声学低音增强技术(Virtual Bass)突破物理限制,小体积设备也能呈现澎湃低频效果。广州信息化至盛ACM现货

ACM5618是一款高效率的全集成DC-DC同步升压芯片,其设计旨在提供超大电流能力,从而实现单节电池升压至12V的输出。该芯片不仅具有出色的升压性能,还具备低导通阻抗和高效率的特点,使其在各种应用中表现出色。ACM5618的输入电压范围***,从2.7V至17V,输出电压则可在4.5V至17V之间调整。这种宽广的电压范围使其能够适用于多种不同的电源需求,从而提高了芯片的灵活性和实用性。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载,致力于新产品的开发与设计,热情欢迎大家莅临本公司参观考察,共同探讨音界的美妙。广州绿色环保至盛ACM865至盛12S数字功放芯片3D声场拓展算法通过空间定位技术,让普通双声道设备实现环绕立体声沉浸体验。

新兴技术的蓬勃发展为至盛 ACM 芯片带来了诸多发展机遇。与 5G 技术融合,借助 5G 的高速率、低延迟特性,能够实现更流畅、更高质量的音频传输,为用户带来前所未有的音乐体验,如支持超高清音频流传输,让用户感受音乐的每一个细微变化。与人工智能技术结合,进一步优化智能语音交互功能,使芯片能够更好地理解用户意图,提供更加个性化的音频服务,如根据用户的音乐喜好智能推荐歌曲。在物联网时代,至盛 ACM 芯片作为智能家居生态系统的一部分,能够与其他智能设备实现互联互通,打造更加便捷、智能的生活环境,如与智能家电联动,根据音乐氛围自动调节家电设备状态,通过与新兴技术的融合,至盛 ACM 芯片不断拓展应用场景,提升产品价值,迎来更广阔的发展空间。
ACM8629采用新型PWM脉宽调制架构带来了诸多***好处。一方面,它能依据信号大小动态调整脉宽,在保证音频性能出色的情况下,大幅降低静态功耗,提升整体能效,这对于追求低功耗的电子设备而言意义重大。另一方面,这种架构有效防止了POP音(爆音)的产生,为用户提供了更纯净、更质量的音频体验,让音乐播放更加流畅自然,不会因爆音而破坏听感,极大地提升了音频设备的性能和用户体验。 深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频开发设计。ACM8816的开关速度快、损耗低,很大提升电力转换系统的整体性能。

至盛 ACM 芯片自有编译器架构,支持 96kHz、32bit 高保真音频处理。其特有音频处理算法可明显提升整机音效。DRB 动态人声 / 低音增强算法,能突出人声清晰度,强化低音效果,让音乐中歌手歌声更具影响力,低频节奏更震撼;Virtual Bass 心理声学低音增强技术,利用人耳听觉特性,在不增加低音扬声器尺寸与功率前提下,营造出更强劲、饱满的低音感受;3D 声场拓展算法模拟真实空间音效,使聆听者仿若置身音乐现场,声音环绕四周,带来沉浸式听觉体验。这些技术协同作用,还原音频原始音色与质感,减少失真,让音乐细节尽显。ACM8816在电动汽车领域利用优化电源转换,提升驱动系统性能和能效。广东音响至盛ACM865现货
至盛 ACM 芯片为温度控制器提供精确控制,保障设备稳定运行。广州信息化至盛ACM现货
扩频技术的应用大幅降低了EMI辐射,在功率和喇叭线长一定的范围内,可以用磁珠替代电感方案,从而优化了成本和电路面积,使得芯片在设计和应用中更加灵活和经济。降低 EMI 辐射:大幅降低电磁干扰,使产品在功率和喇叭线长一定范围内,可用磁珠替代电感方案,优化成本与电路面积。增强抗干扰能力:因信号频谱变宽,信道利用率提高,不同用户占不同频率段,减少相互干扰,提升信号传输稳定性。提升安全性:信号在频域分散,**难度大,为音频数据传输提供更安全保障,满足对安全性要求高的应用场景。广州信息化至盛ACM现货
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
山东蓝牙音响芯片ACM8623
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甘肃ACM芯片ATS2815
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广西芯片ACM3108ETR
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湖北ACM芯片ACM8625P
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江苏汽车音响芯片ATS2825
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山西ACM芯片ACM3108ETR
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河北ATS芯片ATS2825C
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