ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
除了高效率和大电流输出外,ACM5618还具备轻载高效模式和丰富的保护机制。轻载高效模式使得芯片在轻负载条件下也能保持较高的效率,而保护机制则包括欠压/过压保护、逐周期限流和过温保护等,确保芯片在异常情况下能够安全关断,避免损坏。ACM5618采用了QFN-FC-13(3.5mm×3mm)封装,这种小巧的封装形式进一步减小了PCB的使用面积。同时,由于芯片外部无需额外的元件,因此可以**简化PCB的布局和布线工作,提高生产效率。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载,致力于新产品的开发与设计,热情欢迎大家莅临本公司参观考察,共同探讨音界的美妙。ACM8816在数据中心供电系统中的高效率、高功率密度特性有助于降低运营成本。江苏信息化至盛ACM8628

在智能音箱领域,至盛 ACM 芯片表现优良。以天猫精灵 X6 智能音箱采用的 ACM8628M 芯片为例,它采用新型 PWM 脉宽调制架构,有效降低静态功耗,提高能源利用效率,延长智能音箱续航时间。芯片内置 DSP 可实现主动分频、延时处理、EQ 调试等功能,对数字音频信号精确控制,实现出色音质表现。同时,能与智能音箱中的其他芯片,如全志 R328 智能语音处理器协同工作,为用户提供流畅语音交互与品质高的音乐播放体验。其高集成度减少外围电路元件,降低智能音箱生产与设计成本,提升产品竞争力 。靠谱的至盛ACM3129A至盛12S芯片集成动态人声增强算法,通过DRB技术提升中频清晰度,使人声表现更具穿透力。

ACM8623采用双通道PWM脉宽调制架构,通过动态调整脉宽实现高效音频信号放大。其**电路由差分输入级、PWM调制器和功率输出级组成。差分输入级抑制共模干扰,确保信号纯净度;PWM调制器根据输入信号幅度实时调整脉宽,优化效率并降低静态功耗;功率输出级采用Class-D拓扑,通过MOSFET开关实现高功率密度输出。该架构在4Ω负载下可输出2×14W功率,PBTL模式下单通道达23W,兼顾便携性与性能。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载,致力于新产品的开发与设计,热情欢迎大家莅临本公司参观考察,共同探讨音界的美妙。
ACM8629 的模拟增益调节功能为音频设计提供了灵活的信号控制手段。其内部集成**的模拟增益调节模块,可对输入信号进行幅度预处理,与数字增益调节协同工作,实现更精细的音量控制。该功能支持左右通道**调节,允许用户根据应用场景优化音频动态范围。通过模拟增益调节,可在信号进入数字处理链路前完成初步放大或衰减,配合数字增益和 15 个 EQ 模块,可实现小信号低音增强、高低音补偿等复杂音效,***提升音频解析力和层次感。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频开发设计。至盛12S数字功放芯片采用QFN48封装设计,散热性能提升3倍,满足车载级可靠性要求。

展望未来,至盛 ACM 芯片将持续创新发展。在技术层面,不断优化音频处理算法,提升对新兴音频格式的支持,进一步降低失真,提高音质。随着物联网与智能家居发展,ACM 芯片将增强与其他智能设备的互联互通能力,实现多设备音频协同播放等创新功能。在应用领域,除深耕现有智能音箱、家庭影院、车载音响等市场,还将拓展至医疗设备音频提示、工业设备状态监测音频反馈等新领域。至盛半导体也将不断加大研发投入,吸引更多优秀人才,持续推出高性能、高可靠性的 ACM 芯片产品,巩固其在音频芯片市场的地位,为音频技术发展贡献更多力量。专注数模混合电路,至盛 ACM 芯片为耳放带来品质良好的音频放大效果。上海蓝牙至盛ACM
至盛 ACM 芯片在模拟功放中,以出色性能还原音乐丰富细节。江苏信息化至盛ACM8628
ACM8625P 等型号的音频功放芯片,采用高度集成化架构。内置 32 位高精度音频 DSP,处理带宽最大支持 96kHz(192kHz 采样率)。这种架构赋予芯片强大的音频处理能力,能执行复杂音频算法。如内部集成 2×15 个均衡器,可对不同频段音频信号准确调节,满足不同音乐风格与场景的音效需求;3 段 DRC(动态范围控制)能自动调整音频动态范围,避免声音忽大忽小,确保音频播放的稳定性与舒适度;还有 AGL 等调音算法,优化整体音质。同时,新型 PWM 脉宽调制架构根据音频信号大小动态调整脉宽,在保障音频性能前提下,有效降低静态功耗,提升能源利用效率 。江苏信息化至盛ACM8628
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
山东蓝牙音响芯片ACM8623
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海南汽车音响芯片ACM3128A
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广西芯片ACM3108ETR
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湖北ACM芯片ACM8625P
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