ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
ACM8815从电路和布局两方面优化EMC性能:电路级优化:展频技术(SSG):DSP引擎生成伪随机调制信号,对开关频率进行±5%的抖动调制,将EMI峰值降低10dB以上。边沿速率控制:通过调节GaNMOSFET栅极驱动电阻(典型值5Ω),将开关边沿时间控制在10ns以内,避免过慢边沿导致高频谐波增多。共模滤波:在PVDD和GND之间并联10μF+0.1μF陶瓷电容,滤除电源噪声;在输出端串联10Ω电阻+100nF电容组成LC滤波器,抑制共模干扰。布局级优化:关键信号隔离:将数字电路(DSP、I2S接口)与模拟电路(输入缓冲、误差放大器)分区布局,中间用地平面隔离。电源路径优化:PVDD和AVCC采用星形接地,避免地回路干扰;DVDD电源引脚附近放置10μF钽电容和0.1μF陶瓷电容,形成低阻抗电源路径。输出走线控制:输出差分对走线长度差<50mil,阻抗控制在50Ω±10%,减少反射干扰。实测在CISPR25标准下,ACM8815的EMI辐射强度比传统方案低15dB,无需额外屏蔽即可通过汽车电子级EMC认证。至盛12S数字功放芯片高阶闭环调制架构使THD+N低至0.02%,音频信号纯净度达到专业级标准。湖南自主可控至盛ACM8625M

ACM8815采用双电源供电架构:PVDD(功率电源):范围4.5V-38V,为H桥GaNMOSFET供电。芯片内部集成LDO稳压器,将PVDD转换为12V栅极驱动电压,确保GaN器件在高压下稳定开关。AVCC(模拟电源):范围4.5V-38V,为模拟信号处理电路(如输入缓冲、误差放大器)供电。AVCC与PVDD**设计,避免数字噪声通过电源耦合到模拟电路。DVDD(数字电源):支持3.3V/1.8V双电压,为DSP、I2S接口等数字电路供电。DVDD采用动态电压调节技术,在空闲模式下自动降至1.8V以降低功耗(典型待机功耗<10mW)。电源管理模块还集成过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)和软启动电路。OVP阈值设定为PVDD的110%(如38VPVDD下OVP为41.8V),当电压超过阈值时,芯片在10μs内关闭H桥输出;UVLO阈值为PVDD的90%(如38VPVDD下UVLO为34.2V),确保电源电压稳定后再启动功放。软启动时间可通过外部电容调节(典型值10ms),避免上电瞬间冲击电流损坏扬声器。惠州靠谱的至盛ACM3107凭借先进技术,至盛 ACM 芯片让马达驱动器运转更高效、更稳定。

芯片支持4.5V至15.5V宽电压输入,数字电源为3.3V**供电。采用Class-H动态升压技术,结合ACM5618 DC-DC升压芯片,可将单节锂电池升压至12V供电,实现立体声2×15W输出。内置电源电压监测电路,当输入电压低于4.5V时自动降低输出功率,避免电池过放。待机功耗低于10mW,符合能效6级标准。ACM8623内置多重保护机制:过流保护(OCP)通过采样电阻实时监测输出电流,超过阈值时关闭功率级;过温保护(OTP)在芯片温度达150℃时启动,温度降至130℃后自动恢复;短路保护(SCP)检测输出端短路时立即关断输出。欠压锁定(UVLO)确保供电电压低于4.2V时停止工作,防止芯片损坏。
相较于部分国际有名品牌音频芯片,至盛 ACM 芯片在性价比方面优势明显。在音频处理性能上,如对高保真音频处理能力、音效算法丰富度等方面,与同类高级芯片相当,能提供清晰、饱满、富有层次感的音频输出。在功耗控制方面,通过新型架构与算法优化,ACM 芯片在保证音质前提下,有效降低功耗,优于部分传统芯片,可延长设备续航时间。在价格上,至盛凭借自身研发实力与成本控制能力,为市场提供更具价格竞争力的产品,让消费者以更低成本获得高性能音频体验,尤其在中低端音频设备市场,至盛 ACM 芯片市场份额逐步扩大。广场舞音响设备选用ACM8623,凭借大功率输出与抗干扰能力,让音乐在嘈杂环境中依然清晰洪亮。

新兴技术的蓬勃发展为至盛 ACM 芯片带来了诸多发展机遇。与 5G 技术融合,借助 5G 的高速率、低延迟特性,能够实现更流畅、更高质量的音频传输,为用户带来前所未有的音乐体验,如支持超高清音频流传输,让用户感受音乐的每一个细微变化。与人工智能技术结合,进一步优化智能语音交互功能,使芯片能够更好地理解用户意图,提供更加个性化的音频服务,如根据用户的音乐喜好智能推荐歌曲。在物联网时代,至盛 ACM 芯片作为智能家居生态系统的一部分,能够与其他智能设备实现互联互通,打造更加便捷、智能的生活环境,如与智能家电联动,根据音乐氛围自动调节家电设备状态,通过与新兴技术的融合,至盛 ACM 芯片不断拓展应用场景,提升产品价值,迎来更广阔的发展空间。至盛12S数字功放芯片动态调压响应时间小于10μs,完美适配电影动态范围较大的音频场景。江苏至盛ACM3108
ACM8816在工业自动化控制领域,高可靠性和抗干扰能力确保系统稳定运行。湖南自主可控至盛ACM8625M
ACM8815的DRC算法采用“分段压缩”策略,将输入信号动态范围划分为多个区间,每个区间应用不同的增益和压缩比。具体实现步骤如下:输入信号检测:通过峰值检测电路(时间常数1ms)实时监测输入信号幅度(Vin)。区间划分:将动态范围划分为4个区间(示例):区间1:Vin<-20dB,增益=+10dB,压缩比=1:1(线性放大)区间2:-20dB≤Vin<-10dB,增益=+5dB,压缩比=2:1区间3:-10dB≤Vin<0dB,增益=0dB,压缩比=4:1区间4:Vin≥0dB,增益=-∞dB(限幅)增益计算:根据Vin所在区间,通过查表法(LUT)获取对应增益值(G)。增益应用:将输入信号乘以G,得到输出信号(Vout=Vin×G)。平滑过渡:为避免增益突变导致失真,在区间边界处应用10ms攻击时间和100ms释放时间的平滑滤波。实测在输入信号峰值从-30dB跳变至0dB时,DRC算法在10ms内将增益从+10dB降至-∞dB,输出信号峰值被限制在0dB,THD+N*增加0.02%。湖南自主可控至盛ACM8625M
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
山东蓝牙音响芯片ACM8623
2025-12-18
甘肃ACM芯片ATS2815
2025-12-13
海南汽车音响芯片ACM3128A
2025-12-12
广西芯片ACM3108ETR
2025-12-12
湖北ACM芯片ACM8625P
2025-12-12
江苏汽车音响芯片ATS2825
2025-12-12
山西ACM芯片ACM3108ETR
2025-12-12
河南ATS芯片ACM8623
2025-12-11
河北ATS芯片ATS2825C
2025-12-11