ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
ACM8629作为一款高性能的音频功率放大器IC,具备zhuoyue的功率输出特性。在4欧姆负载的BTL(桥接式负载)模式下,其能够稳定输出2×50W的功率,且总谐波失真加噪声(THD+N)jin为1%,确保了音频信号的高保真还原。而在2欧姆负载的PBTL(并行桥接式负载)模式下,单通道输出功率可高达1×100W,THD+N同样控制在1%以内,展现出强大的驱动能力。这一特性使得ACM8629能够轻松应对各种中大功率音频系统的需求,为用户带来震撼的听觉体验。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频开发和设计。至盛12S数字功放芯片通过AEC-Q100车规认证,在-40℃至125℃环境下失效率低于10ppm。上海数据链至盛ACM供应商

ACM8629 的模拟增益调节功能为音频设计提供了灵活的信号控制手段。其内部集成**的模拟增益调节模块,可对输入信号进行幅度预处理,与数字增益调节协同工作,实现更精细的音量控制。该功能支持左右通道**调节,允许用户根据应用场景优化音频动态范围。通过模拟增益调节,可在信号进入数字处理链路前完成初步放大或衰减,配合数字增益和 15 个 EQ 模块,可实现小信号低音增强、高低音补偿等复杂音效,***提升音频解析力和层次感。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频开发设计。肇庆工业至盛ACM现货ACM8623支持I2S数字输入,可以直接与蓝牙芯片等数字信号源对接,减少信号转换损失,提高音质保真度。

ACM8629采用TSSOP-28封装形式,这种封装具有体积小、引脚间距适中等特点,有利于在电路板上进行紧凑布局,满足现代电子设备对小型化和集成化的需求。同时,TSSOP-28封装还具备良好的电气性能和机械强度,能够保证芯片在各种工作环境下的稳定运行。ACM8629的散热片位于背部,且支持外接散热器。这一设计使得芯片在工作过程中产生的热量能够通过散热片快速传导至外部散热器,有效降低芯片的工作温度,确保其在长时间高负载运行下的稳定性和可靠性。外接散热器的设计还为用户提供了更多的散热方案选择,可根据实际需求进行灵活配置。
Soundbar产品通常需要具备小巧的体积和出色的音质,ACM8629的高度集成和高效音频处理能力使其成为Soundbar产品的理想选择。其内置的音效算法可以为Soundbar带来环绕声效果,提升用户的观影体验。屏电视对音频的要求越来越高,ACM8629的大功率输出和良好的音频性能可以为大屏电视提供清晰、震撼的音效,使观众在观看电视节目时能够获得更加身临其境的感觉。许多传统的模拟输入蓝牙音箱可以通过升级到ACM8629数字功放芯片来提升音质和性能。数字功放的低底噪、高效率和丰富的音效算法可以使蓝牙音箱的音质得到***改善。专注高性能芯片研发,至盛 ACM 芯片为功率器件领域带来革新性的解决方案。

语音助手音箱需要具备良好的语音识别和音频播放能力,ACM8629的低底噪和清晰的音频输出可以确保语音指令的准确识别和音乐的清晰播放,提升用户的使用体验。在笔记本电脑中,ACM8629可以用于音频输出,提供高质量的音频体验。其数字接口和内置的DSP功能可以方便地与笔记本电脑的主板进行连接和集成,实现音频信号的高效处理和播放。对于台式机用户来说,ACM8629可以提供更强大的音频输出能力,满足用户对***音乐、游戏音效和多媒体播放的需求。其丰富的音效算法可以为用户带来更加逼真的音频体验。广场舞音响设备选用ACM8623,凭借大功率输出与抗干扰能力,让音乐在嘈杂环境中依然清晰洪亮。惠州绿色环保至盛ACM3108
智能会议音响设备采用ACM8623,其低底噪与数字信号处理能力,确保会议发言清晰无杂音,提升沟通效率。上海数据链至盛ACM供应商
至盛半导体科技有限公司于 2021 年成立,专注于数字音频芯片自主研发。其主要团队成员源自 TI、ADI、美信、高通、华为海思等国际 IC 设计公司,具备 10 - 20 年数模混合信号设计及产品应用经验。在这样强大的技术班底支持下,至盛致力于攻克音频芯片技术难题,打造具有自主知识产权、高性能的音频芯片,如 ACM 系列芯片。团队主导完成主流消费类和车载类数模混合音频功率驱动类芯片研发全流程,2022 年获小米集团与中芯聚源战略投资,彰显业界对其技术实力与发展潜力的高度认可,为 ACM 芯片的持续创新与优化奠定坚实基础。上海数据链至盛ACM供应商
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
湖北音响芯片ACM3108ETR
2025-12-11
甘肃家庭音响芯片ACM8628
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黑龙江ACM芯片ATS2819
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上海国产芯片ATS2833
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福建ATS芯片ATS3015
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陕西炬芯芯片ACM3107ETR
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吉林家庭音响芯片ATS3031
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安徽音响芯片ATS2835
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天津ATS芯片ACM8625P
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