ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
Soundbar产品通常需要具备小巧的体积和出色的音质,ACM8629的高度集成和高效音频处理能力使其成为Soundbar产品的理想选择。其内置的音效算法可以为Soundbar带来环绕声效果,提升用户的观影体验。屏电视对音频的要求越来越高,ACM8629的大功率输出和良好的音频性能可以为大屏电视提供清晰、震撼的音效,使观众在观看电视节目时能够获得更加身临其境的感觉。许多传统的模拟输入蓝牙音箱可以通过升级到ACM8629数字功放芯片来提升音质和性能。数字功放的低底噪、高效率和丰富的音效算法可以使蓝牙音箱的音质得到***改善。数模混合电路与功率芯片研发,至盛 ACM 芯片展现出优良的设计与制造工艺。佛山数据链至盛ACM

至盛 ACM 芯片在兼容性方面表现优良,经过大量严格的兼容性测试,能够与市面上几乎所有主流的蓝牙设备实现无缝连接与稳定通信。无论是较新款的智能手机、平板电脑,还是老旧型号的笔记本电脑,亦或是智能手表等可穿戴设备,都能与搭载至盛 ACM 芯片的蓝牙音响迅速配对并建立稳定连接。在连接过程中,芯片能够自动识别设备类型,适配不同设备的音频输出格式与传输速率,确保音频信号的顺畅传输与高质量播放。例如,当用户使用苹果手机连接该芯片的蓝牙音响时,能够完美支持苹果设备特有的 AAC 音频格式,实现品质高的音乐播放;而使用安卓设备连接时,同样能根据设备性能进行优化,为用户带来出色的音乐体验,充分证明了其强大的兼容性。湖北蓝牙至盛ACM3108智能会议音响设备采用ACM8623,其低底噪与数字信号处理能力,确保会议发言清晰无杂音,提升沟通效率。

ACM8629的供电方式灵活且电压范围guangfan,能够适应多种不同的应用场景。其供电电压范围在4.5V至26.4V之间,这一特性使其能够兼容多种电源环境,无论是低电压的便携设备还是高电压的工业应用,都能轻松应对。同时,ACM8629的数字接口电源支持3.3V,进一步增强了其与各种数字设备的兼容性。这种宽电压范围的供电设计,不仅提高了芯片的通用性,还为用户在电路设计中提供了更多的选择和灵活性。深圳市芯悦澄科技有限公司专业一站式音频开发和设计。
游戏玩家对音频的实时性和沉浸感有较高的要求,ACM8629的低延迟和高音质输出可以为游戏设备带来更加逼真的游戏音效,增强游戏的趣味性。公共广播系统需要具备***的覆盖范围和清晰的音频播放能力,ACM8629的大功率输出和稳定的性能可以满足公共广播系统的需求,确保信息的准确传达。在安防监控领域,ACM8629可以用于监控设备的音频录制和播放,提供高质量的音频信号,为安防监控提供更加***的信息。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频开发设计。ACM8816集成的数字输入功能可直接接收数字信号,无需额外模数转换电路,简化系统设计并提高可靠性。

至盛 ACM 芯片具备强大的音频格式支持能力,能够解码市面上几乎所有主流的音频格式,包括常见的 MP3、WAV、FLAC,以及品质高的 AAC、aptX HD 等。对于追求良好的音质的用户,芯片对无损音频格式 FLAC 和 ALAC 的完美支持,能够原汁原味地还原音乐中的每一个细微之处,从歌手的轻声吟唱到乐器的细微颤音,都能清晰呈现。而对于日常使用场景,对 MP3 等格式的高效解码,确保了用户可以便捷地播放各种来源的音乐。此外,芯片还针对不同音频格式进行了专门的优化,在解码过程中能够根据格式特点调整处理参数,以达到较佳的音质效果,满足用户在不同场景下对音频格式多样性与高质量解码的需求。ACM8816在数字输入设计增强抗干扰能力,适合长距离信号传输。蓝牙至盛ACM现货
至盛半导体精心打造的 ACM 芯片,为功率器件提升整体性能。佛山数据链至盛ACM
扩频技术的应用大幅降低了EMI辐射,在功率和喇叭线长一定的范围内,可以用磁珠替代电感方案,从而优化了成本和电路面积,使得芯片在设计和应用中更加灵活和经济。降低 EMI 辐射:大幅降低电磁干扰,使产品在功率和喇叭线长一定范围内,可用磁珠替代电感方案,优化成本与电路面积。增强抗干扰能力:因信号频谱变宽,信道利用率提高,不同用户占不同频率段,减少相互干扰,提升信号传输稳定性。提升安全性:信号在频域分散,**难度大,为音频数据传输提供更安全保障,满足对安全性要求高的应用场景。佛山数据链至盛ACM
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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