ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
在游戏耳机中,ACM8623通过I2S接口连接USB声卡芯片,实现7.1虚拟环绕声处理。其15段EQ可定制游戏音效,DRC算法防止声过载。低延迟特性(<50μs)确保声画同步,提升竞技体验。2×10.5W@6Ω输出功率推动头戴式耳机,提供沉浸式音效。ACM8623外围电路*需少量电容和电阻,BOM成本降低30%。与ACM8625/ACM8628等管脚兼容芯片可实现平台化设计,缩短产品开发周期。其数字接口和DSP功能支持OTA固件升级,便于后期音效优化。在智能家居、教育装备等领域,该芯片已成为高性价比音频解决方案的优先。至盛12S数字功放芯片多段压限器(DRC)采用Lookahead预测技术,有效防止音频信号削波失真。四川靠谱的至盛ACM3108

至盛 ACM 系列芯片,如 ACM86xx 系列,采用高阶闭环调制架构提高音频性能,THD+N(总谐波失真加噪声)可低于 0.02%。在音频信号处理过程中,该架构对音频信号进行实时监测与反馈调整。当音频信号出现失真趋势时,通过调整内部电路参数,如放大器增益、脉宽调制比例等,修正信号偏差,确保输出音频信号高度还原输入信号。这种低失真特性让音频信号传输更纯净,声音清晰、逼真,有效减少毛刺感与粗糙感,使音乐中的高低音更加圆润饱满,为用户呈现品质高的音频体验 。福建信息化至盛ACM8628至盛12S数字功放芯片集成马达驱动预驱电路,可控制无刷直流电机实现0-10万转无极调速。

ACM5618特别适用于音频功放等需要动态升压的应用。例如,它可以实现单节电池升压到12V给CLASS D功放供电,实现立体声2X15W 1%失真的系统方案。同时,它还可以结合其他带有动态控制升压的功放,如ACM8623、ACM8625等,进一步发挥CLASS H动态调整升压的优势。ACM5618的供电电压和输出电压范围都非常***,这使得它能够适应多种不同的应用场景。无论是在蓝牙音箱、智能音箱等智能家居产品中,还是在便携打印机、便携电机类产品中,ACM5618都能提供稳定可靠的升压输出。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载,致力于新产品的开发与设计,热情欢迎大家莅临本公司参观考察,共同探讨音界的美妙。
ACM3107广泛应用于蓝牙音箱、WIFI音箱、家庭音响系统、液晶电视等音频设备。为笔记本等便携式设备提供强大的音频支持,提升音质表现,增强用户体验。在汽车音响系统中,ACM3107的高效能与低EMI特性,为驾驶者带来震撼的听觉享受。易于集成到各类音频设备中,为产品提供高质量的音频解决方案,提升市场竞争力。高效能与低能耗的设计理念,符合现代环保要求,为可持续发展贡献力量。经过严格测试与验证,确保ACM3107在恶劣环境下也能稳定运行,降低维护成本。ACM3107**了音频功放技术的***进展,为音频设备的发展注入了新的活力。ACM芯片工作电压范围宽(4.5V-60V),采用QFN-48封装,效率高且无需外接散热器。

芯片支持4.5V至15.5V宽电压输入,数字电源为3.3V**供电。采用Class-H动态升压技术,结合ACM5618 DC-DC升压芯片,可将单节锂电池升压至12V供电,实现立体声2×15W输出。内置电源电压监测电路,当输入电压低于4.5V时自动降低输出功率,避免电池过放。待机功耗低于10mW,符合能效6级标准。ACM8623内置多重保护机制:过流保护(OCP)通过采样电阻实时监测输出电流,超过阈值时关闭功率级;过温保护(OTP)在芯片温度达150℃时启动,温度降至130℃后自动恢复;短路保护(SCP)检测输出端短路时立即关断输出。欠压锁定(UVLO)确保供电电压低于4.2V时停止工作,防止芯片损坏。ACM8816集成的数字输入功能可直接接收数字信号,无需额外模数转换电路,简化系统设计并提高可靠性。上海靠谱的至盛ACM8625M
ACM8816在50V输入、4欧负载下可输出300W功率,失真只有1%。四川靠谱的至盛ACM3108
ACM8623集成I2S数字音频接口,支持32位音频数据直接输入,避免模拟信号转换损耗。内置DSP模块包含15段EQ均衡器、3段DRC动态范围控制和1段Lookahead DRC预判算法,可针对小音量信号增强低频响应,提升人声清晰度。数字增益调节范围达-60dB至+12dB,通过I2C总线实现精确控制,简化系统调音流程。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载,致力于蓝牙音频新产品的开发与设计,热情欢迎大家莅临本公司参观考察,共同探讨音界的美妙。四川靠谱的至盛ACM3108
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
山东蓝牙音响芯片ACM8623
2025-12-18
甘肃ACM芯片ATS2815
2025-12-13
海南汽车音响芯片ACM3128A
2025-12-12
广西芯片ACM3108ETR
2025-12-12
湖北ACM芯片ACM8625P
2025-12-12
江苏汽车音响芯片ATS2825
2025-12-12
山西ACM芯片ACM3108ETR
2025-12-12
河南ATS芯片ACM8623
2025-12-11
河北ATS芯片ATS2825C
2025-12-11