ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
ACM8629的供电方式灵活且电压范围guangfan,能够适应多种不同的应用场景。其供电电压范围在4.5V至26.4V之间,这一特性使其能够兼容多种电源环境,无论是低电压的便携设备还是高电压的工业应用,都能轻松应对。同时,ACM8629的数字接口电源支持3.3V,进一步增强了其与各种数字设备的兼容性。这种宽电压范围的供电设计,不仅提高了芯片的通用性,还为用户在电路设计中提供了更多的选择和灵活性。深圳市芯悦澄科技有限公司专业一站式音频开发和设计。至盛 ACM 芯片对数模混合电路的优化,提升了耳放音质。肇庆工业至盛ACM8628

至盛 ACM 芯片在智能汽车领域发挥着关键作用。它为汽车的自动驾驶系统提供强大的计算能力,能够实时处理来自摄像头、雷达等传感器的海量数据,快速做出决策,保障行车安全。在智能座舱方面,芯片支持高清显示屏的流畅显示,实现多屏互动功能,为乘客提供丰富的娱乐体验。同时,芯片的低功耗特性也符合汽车对能源管理的要求,减少了车辆的能源消耗。例如,在自动驾驶过程中,至盛 ACM 芯片能够快速识别道路上的行人、车辆和交通标志,及时调整车速和行驶方向。在车内娱乐系统中,芯片可实现高清视频播放、在线游戏等功能,让乘客在旅途中享受愉悦的体验。四川电子至盛ACM现货专注数模混合电路,至盛 ACM 芯片为耳放带来品质良好的音频放大效果。

在智能音箱和迷你电脑等产品的生产过程中,至盛 ACM 芯片通过多种方式帮助企业降低成本、提高效率。在芯片设计上,至盛 ACM 系列芯片采用高度集成化的设计理念,减少了元器件的使用,降低了物料成本和生产过程中的组装难度。以小米 Sound Move 智能音箱为例,至盛 ACM8625M 数字输入 D 类音频功放的应用,简化了音箱的电路设计,缩短了生产周期。在性能方面,该芯片出色的音频处理能力,减少了因音质问题导致的产品返工率,提升了产品的良品率。此外,至盛 ACM 芯片的低功耗特性,降低了设备的能耗,减少了使用过程中的运营成本。综合来看,至盛 ACM 芯片从生产到使用的各个环节,为产业的降本增效做出了重要贡献,推动产业向更高效、更可持续的方向发展。
ACM8816内部集成了专门的数字输入接口电路,这些电路能够接收来自外部的数字信号。数字输入接口通常包括多个输入通道,每个通道都可以duli接收和处理数字信号。信号调理电路:为了确保数字信号的准确性和稳定性,ACM8816的数字输入接口通常配备了信号调理电路。信号调理电路可以对输入的数字信号进行滤波、整形和放大等操作,以提高信号的抗干扰能力和可靠性。电平转换:由于不同设备或系统之间的电平标准可能不同,ACM8816的数字输入接口还具备电平转换功能。通过电平转换电路,ACM8816可以将不同电平标准的数字信号转换为内部电路能够识别的标准电平。ACM8816在数据中心供电系统中的高效率、高功率密度特性有助于降低运营成本。

展望未来,至盛半导体将围绕至盛 ACM 芯片开展一系列研发工作。在音频处理技术上,进一步提升芯片对高分辨率音频的处理能力,满足用户对音质的追求。同时,结合 AI 技术,研发具有智能音频场景识别功能的芯片,使芯片能够根据不同的使用场景自动调整音频参数,提供个性化的音频体验。在功耗控制方面,探索新的技术和材料,降低芯片的功耗,延长设备的续航时间。此外,至盛半导体还将关注新兴应用领域,如元宇宙、脑机接口等,研发适用于这些领域的音频芯片,拓展至盛 ACM 芯片的应用边界。通过持续的研发投入和技术创新,至盛 ACM 芯片有望在未来的市场竞争中保持前列地位,为用户带来更多质优的产品和服务。至盛 ACM 芯片凭借先进架构,在温度控制器产品中实现准确的温度调控。惠州至盛ACM3129A
在B超接收电路中,ACM8816用于信号通道切换,提高信号传输质量。肇庆工业至盛ACM8628
ACM8629防失真功能通过多重技术实现高保真音频输出:动态增益控制:内置数字与模拟增益调节模块,可实时调整信号幅度,避免过载失真;PWM脉宽调制:采用新型PWM架构,根据信号大小动态调整脉宽,在4Ω负载下输出2×50W(THD+N=1%),2Ω负载下单通道输出100W(THD+N=1%),***降低静态功耗并防止POP音;3段DRC与EQ:结合3段提前能量预测DRC和15个EQ、5个post EQ模块,优化频段动态范围,抑制谐波失真;扩频技术:降低EMI辐射,优化电路稳定性,减少干扰导致的失真。该功能确保音频信号在全功率范围内保持清晰纯净肇庆工业至盛ACM8628
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
山东蓝牙音响芯片ACM8623
2025-12-18
甘肃ACM芯片ATS2815
2025-12-13
海南汽车音响芯片ACM3128A
2025-12-12
广西芯片ACM3108ETR
2025-12-12
湖北ACM芯片ACM8625P
2025-12-12
江苏汽车音响芯片ATS2825
2025-12-12
山西ACM芯片ACM3108ETR
2025-12-12
河南ATS芯片ACM8623
2025-12-11
河北ATS芯片ATS2825C
2025-12-11