ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
Soundbar产品通常需要具备小巧的体积和出色的音质,ACM8629的高度集成和高效音频处理能力使其成为Soundbar产品的理想选择。其内置的音效算法可以为Soundbar带来环绕声效果,提升用户的观影体验。屏电视对音频的要求越来越高,ACM8629的大功率输出和良好的音频性能可以为大屏电视提供清晰、震撼的音效,使观众在观看电视节目时能够获得更加身临其境的感觉。许多传统的模拟输入蓝牙音箱可以通过升级到ACM8629数字功放芯片来提升音质和性能。数字功放的低底噪、高效率和丰富的音效算法可以使蓝牙音箱的音质得到***改善。至盛 ACM 芯片以其独特优势,在耳放产品中营造出沉浸式的听觉体验。四川自主可控至盛ACM8625M

当外部数字信号通过数字输入接口进入ACM8816时,首先经过信号调理电路进行处理。处理后的信号被送到内部电路进行电平转换和识别。内部处理:识别后的数字信号被送到相应的寄存器进行存储或处理。根据寄存器的配置,ACM8816可以产生中断或事件信号,通知处理器进行后续处理。输出响应:处理器根据中断或事件信号的内容,执行相应的处理任务。处理结果可以通过ACM8816的其他输出接口(如数字输出接口、模拟输出接口等)进行输出。深圳市芯悦澄服科技有限公司代理至盛一系列芯片。湛江智能化至盛ACM供应商ACM8816在物联网设备中,低功耗特性延长设备续航时间。

随着消费者对音频设备便携性的要求越来越高,至盛 ACM 芯片凭借自身优势,推动音频设备向小型化发展。以零刻 SER9 Pro 迷你电脑为例,至盛 ACM8625S 数字功放芯片采用紧凑的封装设计,占用空间小,为迷你电脑内部结构的优化提供了可能。该芯片与其他音频组件协同工作,在有限的空间内实现了品质高的音频输出。在智能音箱领域,至盛 ACM8625M 数字输入 D 类音频功放的应用,简化了音箱的电路设计,使得音箱的体积得以缩小。至盛半导体通过不断优化芯片设计,提高芯片的集成度,减少元器件的数量,为音频设备的小型化设计提供了有力支持,满足了消费者对便携音频设备的需求,推动音频设备朝着更轻便、更实用的方向发展。
扩频技术的应用大幅降低了EMI辐射,在功率和喇叭线长一定的范围内,可以用磁珠替代电感方案,从而优化了成本和电路面积,使得芯片在设计和应用中更加灵活和经济。降低 EMI 辐射:大幅降低电磁干扰,使产品在功率和喇叭线长一定范围内,可用磁珠替代电感方案,优化成本与电路面积。增强抗干扰能力:因信号频谱变宽,信道利用率提高,不同用户占不同频率段,减少相互干扰,提升信号传输稳定性。提升安全性:信号在频域分散,**难度大,为音频数据传输提供更安全保障,满足对安全性要求高的应用场景。至盛 ACM 芯片在模拟功放中,以出色性能还原音乐丰富细节。

零刻 SER9 Pro 作为 AI 世代的迷你电脑,凭借强大性能备受关注。其内置音响采用PCB 模块化设计,搭载至盛半导体的 ACM8625S 数字功放芯片。该芯片内置 DSP 算法,与芯麦科技的 GC1808 ADC 芯片、宏晶科技的 STC8G1K08 控制芯片,以及两个 23mm 扬声器单元协同工作。相较于传统数字功放芯片,ACM8625S 对音频信号的处理更加细腻,能够明显提升音频的还原度。在播放高保真音乐时,它能清晰还原乐器的音色,让用户仿佛置身音乐会现场。此外,该芯片的加入,极大地节省了主板空间,为迷你电脑内部结构的优化提供了更多可能。至盛 ACM8625S 助力零刻 SER9 Pro,在有限的空间内实现了品质高的音频输出,不仅满足了用户日常的娱乐需求,也为迷你电脑音频系统的设计提供了新的思路,带领迷你电脑音频领域迈向新的发展阶段。ACM8816在数据中心供电系统中的高效率、高功率密度特性有助于降低运营成本。江门绿色环保至盛ACM8625S
ACM芯片工作电压范围宽(4.5V-60V),采用QFN-48封装,效率高且无需外接散热器。四川自主可控至盛ACM8625M
该技术降低了电磁辐射干扰,使得ACM8615M可以采用外部磁珠滤波,相比传统电感滤波大大减小了外部电路成本。ACM8615M凭借其出色的性能和广泛的应用范围,被广泛应用于蓝牙音箱、耳机、车载音响等音频设备中。ACM8615M通过其先进的技术和丰富的功能,为用户带来了更加质量、便捷的音频体验,满足了用户对***音频的追求。ACM8615M自推出以来,凭借其***的性能和稳定的品质赢得了市场的***认可,成为众多音频设备制造商的优先。芯悦澄服一站式音频设计,欢迎大家随时咨询和探讨。四川自主可控至盛ACM8625M
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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