ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
扩频技术的应用大幅降低了EMI辐射,在功率和喇叭线长一定的范围内,可以用磁珠替代电感方案,从而优化了成本和电路面积,使得芯片在设计和应用中更加灵活和经济。降低 EMI 辐射:大幅降低电磁干扰,使产品在功率和喇叭线长一定范围内,可用磁珠替代电感方案,优化成本与电路面积。增强抗干扰能力:因信号频谱变宽,信道利用率提高,不同用户占不同频率段,减少相互干扰,提升信号传输稳定性。提升安全性:信号在频域分散,**难度大,为音频数据传输提供更安全保障,满足对安全性要求高的应用场景。至盛半导体的 ACM 芯片,推动功率器件技术迈向新高度。河源数据链至盛ACM现货

ACM8816内部包含多个寄存器,用于配置和控制数字输入接口的工作模式。用户可以通过编程方式设置这些寄存器的值,从而实现对数字输入接口功能的定制和配置。中断和事件处理:当数字输入接口接收到有效的数字信号时,ACM8816可以产生中断或事件信号。这些信号可以被微控制器或其他处理器捕获和处理,从而实现对外部事件的快速响应。软件滤波和去抖动:为了进一步提高数字输入信号的准确性,ACM8816的软件部分还可以实现滤波和去抖动功能。通过软件算法对输入信号进行处理,可以消除因噪声或机械抖动引起的误触发问题。湛江靠谱的至盛ACM8623电动汽车领域利用ACM8816优化电源转换,提升驱动系统性能和能效。

至盛 ACM 芯片的优良性能,吸引了众多有名品牌与之合作,实现了互利共赢。以小米和零刻为例,小米 Sound Move 智能音箱和零刻 SER9 Pro 迷你电脑采用至盛 ACM 芯片后,产品的音质得到明显提升,增强了产品的市场竞争力。对于至盛半导体而言,与这些有名品牌的合作,提升了品牌有名度和市场影响力,促进了芯片的销售和推广。同时,品牌方在产品设计、市场推广等方面的经验,也为至盛半导体提供了宝贵的借鉴。在合作过程中,双方不断沟通和创新,共同优化产品性能。这种品牌合作模式不仅为消费者带来了更质优的产品,也为半导体芯片行业和终端产品行业的合作树立了典范,推动两个行业的协同发展。
ACM8628的内部模块可以**控制,左右通道也可以**调整,为用户提供了更多的音频处理自由度。ACM8628支持I2S、TDM等多种数字音频接口,兼容多种音频格式和采样率,方便与其他数字音频设备连接。在特定条件下,ACM8628的静态电流可低至28mA,有助于延长电池续航时间,特别适用于便携式音频设备。ACM8628内置了过流、过热保护机制,确保设备在异常情况下能够安全运行,保护用户的安全和设备的稳定性。芯悦澄服专业一站式音频设计,热诚欢迎大家莅临参观咨询。
于功率器件领域,至盛 ACM 芯片通过创新设计优化了能源利用效率。

ACM8816在便携式电源设备中表现突出,其紧凑设计和高效能为用户提供持久电力支持。适用于户外探险、应急救援等场景,提升设备续航能力。在亚马逊的森林探险队中,队员们携带了内置ACM8816的便携式电源,为他们的探险提供了可靠的电力支持,确保了通讯设备和仪器的正常运行。ACM8816的高功率密度和高效能使其成为数据中心供电的理想选择。通过优化能源利用,降低运营成本,同时提高系统的稳定性和可靠性。在谷歌的大型数据中心中,ACM8816被用于服务器供电系统,有效降低了能耗和运营成本,同时提升了服务器的运行效率和稳定性。ACM8816作为一款单声道氮化镓D类功放芯片,在50V输入、4欧负载下可输出300W功率,失真度1%。韶关至盛ACM865
凭借出色设计,至盛 ACM 芯片使马达驱动器发挥较佳效能。河源数据链至盛ACM现货
与市场上同类型数字功放芯片相比,至盛 ACM8625M 在多个方面展现出明显优势。在输出功率方面,其在 22V 电压 8Ω 负载下,可实现 2×26W 的输出功率,PBTL 模式下单通道输出 1×52W@1% THD+N,远超部分竞品。在算法集成上,ACM8625M 支持动态低音、人声增强及清晰度提升算法,能够全方面优化音频效果,而部分竞品只具备单一音效处理功能。在功耗控制方面,其系统级多 Level 效率提升算法,可有效延长电池系统播放时长,相比之下,部分竞品因功耗过高,导致设备续航能力不足。至盛 ACM8625M 凭借这些优势,在智能音箱、便携式音频设备等领域获得了广泛应用,以优良的性能和可靠性赢得了市场的认可,也为行业树立了新的性能标准。河源数据链至盛ACM现货
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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