ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
ACM5618是一款高效率的全集成DC-DC同步升压芯片,其设计旨在提供超大电流能力,从而实现单节电池升压至12V的输出。该芯片不仅具有出色的升压性能,还具备低导通阻抗和高效率的特点,使其在各种应用中表现出色。ACM5618的输入电压范围***,从2.7V至17V,输出电压则可在4.5V至17V之间调整。这种宽广的电压范围使其能够适用于多种不同的电源需求,从而提高了芯片的灵活性和实用性。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载,致力于新产品的开发与设计,热情欢迎大家莅临本公司参观考察,共同探讨音界的美妙。至盛 ACM 芯片凭借先进架构,在温度控制器产品中实现准确的温度调控。河源自主可控至盛ACM3108

至盛 ACM 芯片在智能汽车领域发挥着关键作用。它为汽车的自动驾驶系统提供强大的计算能力,能够实时处理来自摄像头、雷达等传感器的海量数据,快速做出决策,保障行车安全。在智能座舱方面,芯片支持高清显示屏的流畅显示,实现多屏互动功能,为乘客提供丰富的娱乐体验。同时,芯片的低功耗特性也符合汽车对能源管理的要求,减少了车辆的能源消耗。例如,在自动驾驶过程中,至盛 ACM 芯片能够快速识别道路上的行人、车辆和交通标志,及时调整车速和行驶方向。在车内娱乐系统中,芯片可实现高清视频播放、在线游戏等功能,让乘客在旅途中享受愉悦的体验。肇庆数据链至盛ACM8625MACM8816在音频放大器领域,提供高保真、高效率的功率放大解决方案。

ACM8629作为一款高性能的音频功率放大器IC,具备zhuoyue的功率输出特性。在4欧姆负载的BTL(桥接式负载)模式下,其能够稳定输出2×50W的功率,且总谐波失真加噪声(THD+N)jin为1%,确保了音频信号的高保真还原。而在2欧姆负载的PBTL(并行桥接式负载)模式下,单通道输出功率可高达1×100W,THD+N同样控制在1%以内,展现出强大的驱动能力。这一特性使得ACM8629能够轻松应对各种中大功率音频系统的需求,为用户带来震撼的听觉体验。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频开发和设计。
小米对至盛半导体的战略投资,引发了行业的普遍关注。至盛半导体作为高性能数模混合电路和功率芯片研发商,专注于高性能数模混合电路和功率器件的芯片设计与销售,产品涵盖模拟功放、耳放等。小米的投资不仅为至盛半导体提供了资金支持,助力其扩大研发团队、升级生产设备,加速芯片的研发进程;也意味着至盛半导体的芯片有望更多地应用于小米的产品生态中,实现芯片与终端产品的深度融合。随着合作的深入,至盛半导体或将为小米的智能音箱、手机、笔记本电脑等产品定制专属芯片,进一步提升小米产品的竞争力。这一投资案例为半导体行业的上下游合作提供了新的思路,有望促进产业链各环节的协同发展,推动整个行业迈向新的高度。芯片具备过载保护、短路保护等功能,确保设备安全运行。

至盛 ACM 芯片采用了独特且先进的架构设计,其融合了前沿的计算单元布局理念。在重要架构中,多个高性能的处理内核协同工作,通过优化的内部总线结构,实现了数据的高速传输与高效处理。这种架构能够极大地提升芯片在并行计算任务中的表现,无论是复杂的数据分析,还是对实时性要求极高的应用场景,都能应对自如。其独特的缓存机制,可快速响应处理器对数据的请求,减少等待时间,提高整体运算效率。例如,在处理大规模图像数据时,芯片的重要架构能够迅速将任务分配到各个内核,实现数据的快速处理,使得图像的识别与分析在极短时间内完成,展现出优良的性能。至盛 ACM 芯片助力马达驱动器,实现动力传输的高效稳定。江苏数据链至盛ACM3107
ACM8816内阻小效率高,支持高保真音频放大,适用于专业音响设备。河源自主可控至盛ACM3108
与市场上同类型数字功放芯片相比,至盛 ACM8625M 在多个方面展现出明显优势。在输出功率方面,其在 22V 电压 8Ω 负载下,可实现 2×26W 的输出功率,PBTL 模式下单通道输出 1×52W@1% THD+N,远超部分竞品。在算法集成上,ACM8625M 支持动态低音、人声增强及清晰度提升算法,能够全方面优化音频效果,而部分竞品只具备单一音效处理功能。在功耗控制方面,其系统级多 Level 效率提升算法,可有效延长电池系统播放时长,相比之下,部分竞品因功耗过高,导致设备续航能力不足。至盛 ACM8625M 凭借这些优势,在智能音箱、便携式音频设备等领域获得了广泛应用,以优良的性能和可靠性赢得了市场的认可,也为行业树立了新的性能标准。河源自主可控至盛ACM3108
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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