ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
小米对至盛半导体的战略投资,引发了行业的普遍关注。至盛半导体作为高性能数模混合电路和功率芯片研发商,专注于高性能数模混合电路和功率器件的芯片设计与销售,产品涵盖模拟功放、耳放等。小米的投资不仅为至盛半导体提供了资金支持,助力其扩大研发团队、升级生产设备,加速芯片的研发进程;也意味着至盛半导体的芯片有望更多地应用于小米的产品生态中,实现芯片与终端产品的深度融合。随着合作的深入,至盛半导体或将为小米的智能音箱、手机、笔记本电脑等产品定制专属芯片,进一步提升小米产品的竞争力。这一投资案例为半导体行业的上下游合作提供了新的思路,有望促进产业链各环节的协同发展,推动整个行业迈向新的高度。智能家居设备中,ACM8816用于高效电源管理,实现节能与智能化控制。湖南数据链至盛ACM3107

随着汽车智能化的发展,车载娱乐系统成为汽车产业的重要组成部分,至盛 ACM 芯片在这一领域的应用不断拓展。至盛 ACM 芯片能够为车载音响系统提供品质高的音频输出,营造沉浸式的音乐和电影体验。通过优化音频算法,芯片能够根据车内环境的变化,自动调整音频参数,降低噪音干扰,提升音质。在车载语音交互系统中,至盛 ACM 芯片可以准确识别语音指令,提高语音交互的准确性和流畅性。此外,至盛半导体还可以与汽车制造商合作,将芯片与汽车的中控系统进行深度融合,实现音频设备的智能化控制。至盛 ACM 芯片在车载娱乐系统的应用拓展,不仅提升了驾乘人员的体验,也为汽车产业的智能化升级提供了技术支持。湛江智能化至盛ACM8625P高性能的至盛 ACM 芯片,在模拟功放里让声音更具影响力。

ACM3107采用动态PWM调制技术,有效降低电感损耗,提升整体效率,确保音频信号传输的精细与高效。作为D类音频功放,ACM3107在转换效率上达到90%,***减少能量浪费,适合长时间高负载工作。支持立体声与单声道灵活切换,分别提供2x21W和42W的输出功率,满足多样音频需求。集成Class-H功能,动态控制外部升压,优化功放与升压芯片效率,延长播放时间。固定频率340kHz展频功能有效降低EMI噪声,确保音频信号的纯净输出,无需额外滤波电感。采用全差分输入方式,减少噪声干扰,提升音频信号的信噪比,带来更清晰的声音体验。
ACM8629信号混合模块是一款高度集成的音频处理单元,支持左右声道**控制与信号混合功能。其**优势在于:**通道控制:左右声道可分别调节增益、EQ及动态范围,实现立体声场的精细塑造;灵活信号混合:支持输入信号的自由混合与分配,满足多音源场景需求;低功耗设计:采用PWM脉宽调制架构,动态调整脉宽以降低静态功耗,同时防止POP音;音效扩展性:集成15个EQ和5个postEQ,结合3段DRC动态范围控制,可实现复杂音效处理。该模块通过硬件级优化,***提升音频解析力与动态范围,适用于便携音箱、家庭影院等高保真音频设备。至盛 ACM 芯片对数模混合电路的优化,提升了耳放音质。

ACM8816内部集成了专门的数字输入接口电路,这些电路能够接收来自外部的数字信号。数字输入接口通常包括多个输入通道,每个通道都可以duli接收和处理数字信号。信号调理电路:为了确保数字信号的准确性和稳定性,ACM8816的数字输入接口通常配备了信号调理电路。信号调理电路可以对输入的数字信号进行滤波、整形和放大等操作,以提高信号的抗干扰能力和可靠性。电平转换:由于不同设备或系统之间的电平标准可能不同,ACM8816的数字输入接口还具备电平转换功能。通过电平转换电路,ACM8816可以将不同电平标准的数字信号转换为内部电路能够识别的标准电平。至盛 ACM 芯片融入创新架构,大幅提升数据处理速度与运算精度。韶关靠谱的至盛ACM供应商
ACM8816其集成的数字输入功能可直接接收数字信号,无需额外模数转换电路,简化系统设计并提高可靠性。湖南数据链至盛ACM3107
至盛 ACM 芯片在数据传输与存储方面具有明显优势。它采用了高速的数据接口技术,能够以极快的速度与外部设备进行数据交换。同时,芯片内部的存储结构经过精心设计,具备高带宽和低延迟的特点,确保数据的快速读写。在大数据处理场景中,芯片能够迅速从存储设备中读取大量数据,并高效地将处理结果传输出去。例如,在企业的数据中心,至盛 ACM 芯片可助力服务器快速处理海量的业务数据,提高数据处理效率,为企业决策提供及时支持。其高效的数据传输与存储能力,为各种对数据交互要求严苛的应用提供了坚实保障。湖南数据链至盛ACM3107
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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