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目前的碳化硅抛光方法存在着材料去除率低、成本高的问题，且无磨粒研抛、催化辅助加工等加工方法，由于要求的条件苛刻、装置操作复杂，目前仍处在实验室范围内，批量生产的实现可能性不大。人类1905年 一次在陨石中发现碳化硅，现在主要来源于人工合成，碳化硅有许多用途，行业跨度大，可用于单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料，但其应用范围却超过一般的磨料。崇明区碳化硅哪个牌子好

但要注意：它与天然金刚砂（石榴子石）的成分不同。在工业生产中，SiC冶炼块通常以石英、石油焦等为原料，辅助回收料、乏料，经过粉磨等工序调配成为配比合理与粒度合适的炉料（为了调节炉料的透气性需要加入适量的木屑，制备绿碳化硅时还要添加适量食盐)经高温制备而成。高温制备SiC冶炼块的热工设备是专门用的碳化硅电炉，其结构由炉底、内面镶有电极的端墙、可卸式侧墙、炉心体(全称为：电炉中心的通电发热体，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形状与尺寸安装在炉料中心，一般为圆形或矩形。其两端与电极相连）等组成。徐汇区碳化硅多少钱具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。

目前用直拉法，72小时能生长出2-3米左右的硅单晶棒，一根单晶棒一次能切下上千片硅片。你知道72小时能长多少厚碳化硅单晶体吗？只有几厘米都不到！！！目前较快的碳化硅单晶生长的方法，生长速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右，因此72小时也只有7.2mm~14.4mm厚度的晶体。所以大家可以想象，生产出来的碳化硅单晶片能贵成啥样了。目前4英寸碳化硅衬底售价在2000-3000元左右，6英寸衬底更是达到6000-8000元的水平，外延片至少再X2的价格以上，而且还有价无货。

在模块层面上，SiC主要有两个好处：更小的芯片尺寸和更低的动态损耗。在系统层面上，这些优势可被以多种方式利用。低动态损耗带来输出功率的明显增加，将提供减轻重量和减小体积的机会。值得一提的是，无需额外的冷却能力就可实现功率的增加。因为与硅器件相比，SiC带来实际的损耗减少，可能在相同的冷却条件下得到更高的输出功率。低的功率损耗能提高能效，允许设计高效率的逆变器，例如用于太阳能和UPS应用。此外，低动态损耗使得SiC器件非常适用于20kHz以上的较高开关频率。利用高开关频率，可以减少LC滤波器的成本和尺寸。根据所使用的芯片面积，在4kHz的低开关频率下也可以展示SiC的优点。SiC的其它优点涉及到增强的散热和正温度系数，这对并联的的SiC芯片很重要。所有这一切都使得SiC在普遍的可能应用范围内成为非常有吸引力的材料。碳化硅可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍。

于常规硅二极管相比，SiC肖特基二极管的反向恢复电流IRRM要低50%以上，反向恢复电荷QRR降低了14倍，关断损耗Eoff降低了16倍。Si-快速二极管显示了比常规硅二极管更好的特性，但它不会达到SiC肖特基二极管那样的优异动态特性。由于SiC肖特基二极管动态损耗低，可以明显减少逆变器损耗，节约用于冷却的开支并且增加逆变器的功率密度。此外，低动态损耗使SiC肖特基二极管非常适合高开关频率。另一方面，快速开关的续流二极管可能有个缺点，反向电流非常陡峭的下降可能导致电流截止和振荡。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。徐汇区碳化硅供应商

碳化硅比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。崇明区碳化硅哪个牌子好

利用碳化硅具有耐高温，强度大，导热性能良好，抗冲击，作高温间接加热材料，如坚罐蒸馏炉，精馏炉塔盘，铝电解槽，铜熔化炉内衬，锌粉炉用弧型板，热电偶保护管等。利用碳化硅的耐腐蚀，抗热冲击耐磨损，导热好的特点，用于大型高炉内衬提高了使用寿命。碳化硅硬度只次于金刚石，具有较强的耐磨性能，是耐磨管道、叶轮、泵室、旋流器、矿斗内衬的理想材料，其耐磨性能是铸铁.橡胶使用寿命的5-20倍也是航空飞行跑道的理想材料之一。利用其导热系数、热辐射、高热强度大的特性，制造薄板窑具，不只能减少窑具容量，还提高了窑炉的装容量和产品质量，缩短了生产周期，是陶瓷釉面烘烤烧结理想的间接材料。崇明区碳化硅哪个牌子好

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