全SiC模块的功率密度比IGBT模块要高得多,甚至在开关频率低于5kHz时。因此,通过使用更大的芯片面积来优化用于低开关频率的全SiC模块是可能的。 只要SiC芯片尺寸合适,SiC器件可以在普遍的开关频率范围内提供更高的输出电流和输出功率。大功率要求功率芯片和模块大量并联。目前,可以获得额定电流高达200A的硅IGBT和传统续流二极管,SiC MOSFET和肖特基二极管的较大额定电流迄今为止小于100A。因此,不得不并联大量的SiC晶片以实现大额定功率。考虑到SiC器件的快速开关特性和振荡趋势,需要低电感模块设计和DCB基板上优化的芯片布局。在下文中,1200V、900A全SiC模块与1300A的常规硅模块相对比。 IGBT模块利用2块并联的DCB基板,每个基板配有并联的9个75A沟道IGBT,连同5个100A CAL续流二极管。碳化硅可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍。奉贤区碳化硅厂家报价
由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食盐和木屑,置入电炉中,加热到2000°C左右高温,经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料。例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的主选窑具材料之一,它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。制备SiC制品首先要制备SiC冶炼块[或称:SiC颗粒料,因含有C且超硬,因此SiC颗粒料曾被称为:金刚砂。黄浦区碳化硅定制公司黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅。
2012年**季度,中国钢铁厂开工率较低,只有到10月份以后钢厂增加了开工率,对原料和耐火材料的消耗才略有增加,消耗了部分库存。据海关统计显示:2012年全年,中国碳化硅出口16.47万吨,同比下降23.83%,出口2.75亿美元,同比下降44.28%,出口平均价格1671.53美元/吨,同比下降26.84%。出口量价大幅度下降。全年领证量合计17.1万吨,占全年出口量的104%。生产的碳化硅主要的出口国家有美国、日本、韩国、及某些欧洲国家。从出口的20个省市分析,比2011年增加了一个新疆。出口数量在万吨以上的省市分别依次为宁夏、河南、江苏、北京、辽宁和山东,合计出口量11.8万吨,占出口总量的71.64%,市场份额分别为18.21%、12.99%、12.71%、11.4%、9.72%和6.61%,六个省市出口数量均呈下滑态势,其中宁夏同比下滑幅度较高,为32.62%;从出口单价看,同比下滑幅度较大的是辽宁,达35.3%,宁夏和江苏的单价同比下滑也高于全国平均数。
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟,碳化硅功率器件行业未来可期。碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片,制作芯片的重要材料按照历史进程分为:一代半导体材料(大部分为目前普遍使用的高纯度硅),第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟),第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化镓) 。碳化硅因其优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将是未来较被普遍使用的制作半导体芯片的基础材料。 碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,只次于世界上较硬的金刚石(10级)。
目前用直拉法,72小时能生长出2-3米左右的硅单晶棒,一根单晶棒一次能切下上千片硅片。你知道72小时能长多少厚碳化硅单晶体吗?只有几厘米都不到!!!目前较快的碳化硅单晶生长的方法,生长速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右,因此72小时也只有7.2mm~14.4mm厚度的晶体。所以大家可以想象,生产出来的碳化硅单晶片能贵成啥样了。目前4英寸碳化硅衬底售价在2000-3000元左右,6英寸衬底更是达到6000-8000元的水平,外延片至少再X2的价格以上,而且还有价无货。碳化硅大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。静安区碳化硅厂家直销
碳化硅是用石英砂、石油焦、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。奉贤区碳化硅厂家报价
在模块层面上,SiC主要有两个好处:更小的芯片尺寸和更低的动态损耗。在系统层面上,这些优势可被以多种方式利用。低动态损耗带来输出功率的明显增加,将提供减轻重量和减小体积的机会。值得一提的是,无需额外的冷却能力就可实现功率的增加。因为与硅器件相比,SiC带来实际的损耗减少,可能在相同的冷却条件下得到更高的输出功率。低的功率损耗能提高能效,允许设计高效率的逆变器,例如用于太阳能和UPS应用。此外,低动态损耗使得SiC器件非常适用于20kHz以上的较高开关频率。利用高开关频率,可以减少LC滤波器的成本和尺寸。根据所使用的芯片面积,在4kHz的低开关频率下也可以展示SiC的优点。SiC的其它优点涉及到增强的散热和正温度系数,这对并联的的SiC芯片很重要。所有这一切都使得SiC在普遍的可能应用范围内成为非常有吸引力的材料。奉贤区碳化硅厂家报价
上海铈威新材料科技有限公司是一家集研发、生产、咨询、规划、销售、服务于一体的贸易型企业。公司成立于2013-12-09,多年来在增碳剂,硅铁,碳化硅,铬铁行业形成了成熟、可靠的研发、生产体系。铈威目前推出了增碳剂,硅铁,碳化硅,铬铁等多款产品,已经和行业内多家企业建立合作伙伴关系,目前产品已经应用于多个领域。我们坚持技术创新,把握市场关键需求,以重心技术能力,助力冶金矿产发展。铈威为用户提供真诚、贴心的售前、售后服务,产品价格实惠。公司秉承为社会做贡献、为用户做服务的经营理念,致力向社会和用户提供满意的产品和服务。上海铈威新材料科技有限公司以市场为导向,以创新为动力。不断提升管理水平及增碳剂,硅铁,碳化硅,铬铁产品质量。本公司以良好的商品品质、诚信的经营理念期待您的到来!